フェアチャイルドがSiCバイポ〖ラTrを丸鉗漣染券卿、IGBT材墻拉も赦懼
染瞥攣緩度の戲獸、フェアチャイルドセミコンダクタ〖∈Fairchild Semiconductor∷がSiCのバイポ〖ラトランジスタを丸鉗漣染に瀾墑步する。泣塑メ〖カ〖のMOSFET、ドイツインフィニオンのJFETに侖わるSiC媽3のトランジスタとしてのバイポ〖ラも判眷という疤彌燒けになる。
哭1 SiCバイポ〖ラトランジスタ
叫諾¨Fairchild Semiconductor
パワ〖デバイスにフォ〖カスしているフェアチャイルドは、2011鉗4奉にスウェ〖デンにあったSiCトランジスタメ〖カ〖TranSic家を傾箭した。海攙のSiCバイポ〖ラトランジスタは、TranSic家の禱窖をベ〖スに瀾墑步へこぎつけようとしてきたもの。
SiCは、エネルギ〖バンドギャップがSiの1.1eVと孺べ3.2eVと弓いため、光補瓢侯に羹く。裁えて、染瞥攣亨瘟としての冷憋卵暗が光いため、稍姐濕腔刨を布げなくても疥司の卵暗を評ることができる。錢帕瞥刨も4W/cm帴K、とSiより3擒光く、庶錢しやすい、という潑墓もある。
これまで泣塑では、ロ〖ムや話嫂排怠、サンケン排丹、デンソ〖などがSiCのMOSFETを倡券してきた。しかし、MOSFETは染瞥攣-煥步遂腸燙を排萎が萎れるため山燙風促の逼讀を減けやすい。このため澆尸な排萎を澄瘦しにくいという風爬がある。そこで、排暗を懼げ排萎を萎すという緘恕を何るため久銳排蝸が籠える飯羹がある。
インフィニオンが渴めるJFETや、やはりワイドギャップ染瞥攣であるGaNを蝗ったHEMTは、排萎を澆尸にとるためにはノ〖マリオン房になってしまう。ゲ〖トにマイナスの排暗をかけなければ排萎をオフできない。辦つのトランジスタに2排富も澀妥になる。このためインフィニオンは、掐蝸のゲ〖トをカスコ〖ド儡魯することで、ノ〖マリオフ潑拉を積たせることに喇根した。
バイポ〖ラ房は、排萎を笨ぶキャリヤとして排灰と賴功の企つを網(wǎng)脫するため排萎推翁がとれオン鳥鉤を布げることができる。瓤燙、排萎をオフする箕にベ〖ス撾拌に荒っている排灰(警眶キャリヤ)がなかなか久えないというストレ〖ジ箕粗が欄じてしまう。このため光廬スイッチングができないはずだった。Siではこの奶りだった。この馮蔡、垛や腳垛擄をわざとド〖プして警眶キャリヤのライフタイムを沒教することで光廬バイポ〖ラトランジスタを肋紛瀾隴してきた。ところが、SiCでは警眶キャリヤの眠姥箕粗が沒いというのである。おそらく、SiCでは馮窘風促がまだ驢いため、欄まれながらにライフタイムキラ〖として漂いているのであろう。フェアチャイルドは、警眶キャリヤの廟掐がSiと孺べて塑劑弄に警ないためだと批えている。
票家によると、SiCのバイポ〖ラは帽疤燙姥碰たりのオン鳥鉤がJFETやMOSFETよりも你いため、票じ排萎推翁をとろうとすると、チップ燙姥は警なくて貉む。この馮蔡、大欄推翁が你いためスイッチングスピ〖ドは廬くなる。辦數(shù)で、ベ〖ス鳥鉤がSiよりも井さいため、郊庶排に妥する箕年眶が沒くなり光廬スイッチングが材墻になる。
ただし、バイポ〖ラトランジスタは、排暗額瓢のJFETやMOSFETとは般い、排萎額瓢房であるため、排萎を萎すための掐蝸攙烯が澀妥となる。ここで排蝸を久銳する恫れがある。票家は掐蝸ドライバ攙烯を井さなボ〖ドで捏丁するが、丸鉗布袋にはドライバICを、その1鉗稿には媽2坤洛のドライバICを措茶している。
哭2 バイポ〖ラ(焊)、JFET(面)、MOSFET(寶)の久銳排蝸孺秤
叫諾¨Fairchild Semiconductor
票家が5kWの競暗攙烯で、JFET、MOSFETと孺秤したところ(哭2)、タ〖ンオン、タ〖ンオフ箕粗ともバイポ〖ラが銅網(wǎng)だったが、掐蝸の額瓢排萎攙烯の尸が籠えている。しかし、その鎳刨はわずかだ。另圭弄にはバイポ〖ラが銅網(wǎng)だというデ〖タである。
哭3 徒年しているSiC瀾墑 50A墑のオン鳥鉤が17mΩと井さい
叫諾¨Fairchild Semiconductor
票家は、SiCのチップを2鹼梧肋紛した。1200V/15Aでオン鳥鉤57mΩの瀾墑と、1200V/50Aでオン鳥鉤17mΩの瀾墑である。
SiCでバイポ〖ラ瓢侯が材墻となり、しかもライフタイムキラ〖なしでも光廬スイッチングができることがわかった。となると、MOSFET禱窖が澄惟する箕洛には、SiCのIGBTができるという材墻拉は光まってくる。SiCパワ〖デバイスはこれからが燙球くなりそうだ。
