GlobalFoundries、10鉗粗のfinFET倡券を沸て14nmプロセスで悸附へ
≈これまでプロセス坤洛は2鉗粗の倡券袋粗を沸てきたが、20nmから14nmへは1鉗で毗茫できそうだ∽。こう胳るのは、グロ〖バルファウンドリ〖ズ(GlobalFoundries)のグロ〖バルセ〖ルス敷マ〖ケティング么碰懼甸バイスプレジデントであるMike Noonen會。アジア稱孟でメディアとのロ〖ドショ〖を乖い、呵姜孟の駱頌と澎疊との粗で排廈柴斧を乖った。
哭1 GlobalFoundriesのグロ〖バルセ〖ルス敷マ〖ケティング么碰懼甸バイスプレジデントであるMike Noonen會
これまで、グロ〖バルファウンドリ〖ズは130nmから90nm、さらに65nm、45/40nm、28nm、20nmへと稱坤洛へ敗乖するのに2鉗を妥した(哭2)。14nmプロセスには介めてfinFETトランジスタを瞥掐するが、グロ〖バルファウンドリ〖ズはそれを10鉗漣から倡券してきたため、瞥掐はかえって玲まると斧ている。潑に、IBMとのコラボレ〖ションにより、finFET帽攣の倡券とシステムレベルのSoC肋紛を?qū)櫭摛扦郡长趣j(luò)きいとしている。
哭2 14nmプロセスの瞥掐は玲まる 叫諾¨GlobalFoundries
14nmプロセスでは、finFETトランジスタ嬸尸の呵井潰恕は14nmだが、トランジスタ笆嘲の嬸尸は20nmのLPMプロセスを寥み圭わせる。さらに、これまでのプレ〖ナトランジスタからfinFETトランジスタへの敗乖にはFFM∈Fin-Friendly Migration∷と鈣ぶ迫極のル〖ルを侯り、スム〖ズな敗乖を材墻にしている。
この迫極のル〖ルは、20nmプロセスを倡券する箕に、14nmのfinFETプロセスを罷急してモジュラ〖步を哭ったものだとしている。敗乖するために澀妥なル〖ルは碰介7000もあったが、20nmプロセス倡券と鼎にこのル〖ルの眶を70に負らしたという。票家が積つさまざまなセルライブラリにFFMル〖ルを碰てはめ、潑拉刪擦も乖った。さらに、芹彌ˇ芹俐のル〖ルは20nmプロセスをベ〖スにしており、ライブラリのセル柒はコンパクトな芹俐にし、セル-セル粗の芹俐沸烯も呵井になるようにした。このようにして、20nmから14nmプロセスへの敗乖を推白にした。この馮蔡、RTLやネットリストのレベルでも推白にプロセスを敗乖できるようになった。
票家は28nmプロセスでHKMG∈High-k Metal Gate∷ゲ〖トファ〖スト菇隴を蝗い、20nmプロセスではゲ〖トラスト菇隴に敗乖をするとしていた。HKMGプロセスのゲ〖トファ〖ストはメタル亨瘟に擴腆があるものの、驕丸のポリシリコンプロセスの變墓俐にあるため28nmプロセスは孺秤弄やりやすかった。グロ〖バルファウンドリ〖ズは≈これまでに40它改欄緩してきた悸烙がある∽とNoonen會は咐う。ゲ〖トラストで28nmプロセスをやっていた染瞥攣メ〖カ〖はずいぶん鵝汐していたと咐われている。では、グロ〖バルファウンドリ〖ズにとって20nmで介めてゲ〖トラストを沸賦することになる條だが、候鉗はすでにこのゲ〖トラストプロセスの倡券で匡尸鵝汐してきたらしい。しかし、HKMGのノウハウを鳴めてきたため20nmプロセスの風(fēng)促は呵奪警なくなってきたとしている。
14nmプロセスでのリソグラフィにはダブルパタ〖ニング禱窖を蝗うが、≈腳妥なことはダブルパタ〖ニングを蝗う供鎳をできるだけ警なくしたことだ∽とNoonen會は揭べる。≈だから、20nmプロセスと寥み圭わせる∽のである。マスク眶はできる嘎り負らしたいため、28nmプロセスの箕と票屯、まず芹俐另眶を鱗年し、その稿どうやってマスク眶を負らすかを雇えながらプロセス肋紛を乖っているという。
20nmから14nmへの敗乖はわずか1鉗だが、20nmをスキップする條ではない。杠狄によって20nmプロセスを魯けることを司む疥もあり、裁えて14nmの狄もあり、しばらく欄緩ラインを事誤に瘤らせることになりそうだ。
14nmプロセスを蝗った呵介のテ〖プアウトは2013鉗瑣になる斧哈みで、その翁緩箕袋が14鉗になることから、2014鉗に14nmというロ〖ドマップを閃いている。呵介の杠狄に羹けた瀾墑はインテルと頂圭する瀾墑となろうという。
