FD-SOI CMOSは20nm笆慣ではバルクよりも們臉銅網とSOIコンソ〖シアムが券山
窗鏈鄂順房∈fully depleted∷SOI CMOS禱窖は20nm笆慣のCMOS禱窖として拉墻、久銳排蝸、コストの爬でバルクCMOSと孺べ銅網になることをSOIインダストリコンソ〖シアムが券山した。このため啡掠怠達に蝗うべきSoCには羹いていると票コンソ〖シアムの懼甸ディレクタを壇めるHoracio Mendez會は肩磨する。
哭1 窗鏈鄂順房SOI(寶)とバルク房(焊)のMOSトランジスタ菇隴
FD-SOI禱窖(哭１)は、バルクCMOSと孺べると沒チャンネル跟蔡が彈きにくい。もちろん、MOSFETの瓢侯付妄から沒チャンネル跟蔡がない條ではないが、ゲ〖ト墓を沒くしていくにつれ、ゲ〖トしきい排暗Vthの你布が此やかになる。このためバルクCMOSならVthの你布が締なゲ〖ト墓でもまだフラットな覺輪を拜積する。この潑拉は腮嘿步する懼で端めて銅網である。排暗を布げても瓢侯できるためだ。
沒チャンネル跟蔡が彈きていないゲ〖ト墓は、プロセスバラつきが警ないことを罷蹋する。ゲ〖ト墓がバラついてもVthはさほど恃步しないためだ。この馮蔡、SRAMセルの瓢侯が奧年になる。SRAMはプロセッサのレジスタやFIFO、キャッシュなどさまざまな疥に蝗われる腳妥な攙烯である。これが奧年にあればプロセスバラつきの警ないプロセッサを侯ることができる。ARMのプロセッサをコアとするSoCなどに羹く條だ。
そこで、附悸弄なARMの你久銳排蝸プロセッサコアの辦つCortex-M0∈ゲ〖ト垂換で3它ゲ〖ト∷を蝗い、シリコンベ〖スのシミュレ〖ションをバルクCMOSとFD-SOIのCMOSに努脫し、孺秤した。その馮蔡、ある坤洛の瓢侯件僑眶を1とすると、バルクCMOSでは0.9Vから0.7Vにかけて25%羹懼した。これに灤して、FD-SOI CMOSは0.9Vでは票じ25%猖簾だが、0.8Vで40%猖簾し、0.7Vだと80%も瓢侯件僑眶が懼がった∈哭2∷。
哭2 FD-SOI CMOSは排暗を布げられる爬で們臉銅網になる
Mendez會は、SRAMなどのメモリ〖には呵努だとする。SRAMを奧年に瓢かすためにはVthの路ったフリップフロップが澀妥だ。票會によるとバルクCMOSなら0.8~0.9V瓢侯が附悸弄だが、FD-SOIなら0.65Vでも附悸弄だとしている。排暗が布がる尸、拉墻よりも久銳排蝸が絡きく布がるため啡掠怠達に羹く。剩眶の措度や絡池の甫墊では150mV(0.15V)という你い排暗でもFD-SOIトランジスタは瓢侯したことを澄千している。
さらにプロセスコストも奧くなるという。これはバルクシリコンと孺べプロセスが詞帽になるからだという。Mendez會は、リ〖ク排萎やサブスレッショルド排萎を娃えるため、バルクCMOSではVth脫のチャンネルド〖ピングに裁え、考いド〖ピングと、ドレインˇソ〖ス儡圭奪說のハロ〖ド〖ピング∈Halo doping∷を乖う。こういったプロセスステップがFD-SOIでは妥らない。
さらにバルクCMOSでは腮嘿になるとFINFETなど3肌傅菇隴のトランジスタが雇捌されているが、菇隴が剩花になり、コストは籠絡しリスクが絡きい。これに灤してFD-SOIだと、腮嘿步と鼎にBOX∈雖め哈み煥步遂∷も50nm鎳刨と泅くなるため、答饒バイアスをかけることができるようになる、というボ〖ナス弄なメリットも納裁される。
肌の檬超ではFD-SOI CMOSを蝗うために附哼、啡掠怠達メ〖カ〖と廈をしており、さらに眶ヵ奉稿には20nm笆慣の鏈てのバルクCMOSをFD-SOIに垂えようと票會は雇えている。沒チャンネル跟蔡が警なくVthのバラつきが警ないということは、コンパレ〖タや汗瓢掐蝸が誰少なアナログ攙烯にも銅網である。
FD-SOIを渴めるSOIコンソ〖シアムメンバ〖には、ARM、グロ〖バルファウンドリ〖ズ、IBM、STマイクロエレクトロニクス、Soitec、CEA-Letiがいる。さらに、SOIコンソ〖シアムとしては、プロセスファウンドリやIPプロバイダにも鈣びかけ、腮嘿なトランジスタのエコシステムを菇蜜したいと雇えている。
