緩另甫を面看としたTIAとフランスのデバイス甫墊疥LETIとの舔充尸么が湯澄に
フランスの柜惟甫墊倡券怠簇のLETIが澎疊でコンファレンスLETI Dayを倡號(hào)、泣塑染瞥攣緩度とLETIとの蛤萎を姥端弄に渴めることを潦えた。その媽1悶として2010鉗5奉にLETIと泣塑の緩度禱窖另圭甫墊疥との粗で禱窖蛤萎を面看としたMOU防腆を蛤わした。鼎にもう警し絡(luò)きな寥駿として、緩另甫はTIA∈つくばイノベ〖ションアリ〖ナ∷、LETIは蠟紹のCEA-DRTとの粗でのMOUとなっている。その拒嘿が湯らかになった。
哭1 LETIの倡券凋爬のあるMINATECキャンパス
LETI Dayの痙略怪遍の怪徽として泣塑の緩度禱窖另圭甫墊疥のナノ排灰デバイス甫墊センタ〖の垛懷梢騷センタ〖墓が怪遍し、LETIのCEOであるLaurent Malier會(huì)はLETI鏈攣のミッションについて揭べた。緩另甫はトランジスタレベルのデバイスˇプロセスに礁面し、LETIはトランジスタを礁姥したLSIレベルの炳脫甫墊することに礁面しており、尉家の捏啡は高いを輸窗しあいウィン-ウィンの簇犯になるとしている。
TIAは緩另甫と濕劑ˇ亨瘟甫墊怠菇∈NIMS∷、棉僑絡(luò)池という3莢でナノテクノロジを甫墊するための鼎票寥駿である。これまで袋嘎燒きで寵瓢していきたSelete∈染瞥攣黎眉テクノロジ〖ズ∷のクリ〖ンル〖ムを欄かし費(fèi)鏡する。ここから≈緩度撾拌を侯り叫したい∽と垛懷會(huì)は罷丹哈む。ArF閉炕リソグラフィとEUVリソグラフィを?yàn)ⅳà骏辍讥螗搿讥啶ⅳ辍?00mmウェ〖ハを胺えるプロセス肋灑もある。毋えば45nmCMOSベ〖スプロセスを積っているため活侯巴完に灤炳するR&Dファウンドリとしての舔充も蔡たす。
瓢侯排暗0.5V笆布のCMOSトランジスタやLSI、メモリ〖などプロセス禱窖を面看の倡券を渴めている。ウェ〖ハ票晃の磨り圭わせや3Dウェ〖ハIC、SiCプロセスなど、これからのシリコンプロセス禱窖を倡券する。票箕にカ〖ボンナノチュ〖ブ∈CNT∷や茨董に芹胃した亨瘟を蝗うグリ〖ンプロセス、你久銳排蝸ˇ浩欄材墻エネルギ〖ˇエネルギ〖ハ〖ベスティングなどのグリ〖ンデバイスなどについても甫墊する。TIAは柜柒措度だけではなく長嘲の措度や甫墊疥とも鼎票甫墊、肋灑の鼎票網(wǎng)脫も夸渴していくとする。
辦數(shù)のLETIは、緩度腸に禱窖を敗啪することをミッションとして非げているため、炳脫甫墊に礁面する。圭紛1600嘆の甫墊莢∈うちプロパ〖1300嘆∷がフランスˇグルノ〖ブルにあるMINATECキャンパスに礁まっている。緩度腸との鼎票甫墊では謄弄をしっかり年め、サ〖ドパ〖ティに灤してはオ〖プンイノベ〖ション、措度との鼎票甫墊に簇しては入泰瘦積を答塑とする。措度パ〖トナ〖の網(wǎng)弊になるようなIPのル〖ルを年めているとしている。
哭2 LETIがカバ〖するこれからの炳脫甫墊
附哼網(wǎng)脫材墻なダブルパタ〖ニングやEUVリソグラフィ、3D礁姥步禱窖を蝗い你久銳排蝸のLSIを倡券するが、緩另甫との般いはプロセスˇデバイス禱窖をさらに納第するのではなく、アプリケ〖ションに炳じたLSIを倡券することにある。このため、プログラマブルロジックチップに澀妥な寥み哈みソフトウエアを倡券したり、マルチコアˇマルチスレッドなどの事誤借妄コンピュ〖タ禱窖やワイヤレス奶慨禱窖を倡券したりする。
毋えば、ノキアと鼎票でNFC∈奪調(diào)違痰俐∷とワイヤレス惦排禱窖の寥み圭わせにより呵絡(luò)112Mbpsのデ〖タ啪流レ〖トを蝗い、1Gビットメモリ〖をバッテリなしでアクセスする禱窖を倡券している。板聞殼們ˇ茶嚨借妄脫チップも倡券面で、がんを浮叫し跡聞に欄かす炳脫甫墊も乖っている。スマ〖トグリッドのシステムに羹けたチップの倡券、ソ〖ラ〖システムの擴(kuò)告、排蝸默萎の擴(kuò)告などに羹けた染瞥攣チップの甫墊も幌めている。
泣塑の緩度腸と墓袋弄で動(dòng)蝸なパ〖トナ〖シップを馮び費(fèi)魯していきたいとMalier會(huì)はコミットしている。
