グローバルファウンドリーズ、世�c中の拠点と28/22nmなど先端�\術で差別化
�櫂哀蹇璽丱襯侫．Ε鵐疋蝓璽此�GlobalFoundries）社の��(j┤ng)来に向けた戦�Sが次��に��確になってきた。昨�Qの4月にAMDからスピンオフしてファウンドリ企業として独立、その後シンガポールのチャータードセミコンダクターも�A収して、プロセスのポートフォリオを広げた。2010�Q1月に統合が完了して5カ月になろうとしている。
グローバルファウンドリーズのグロースCEO
このほど来日したグローバルファウンドリーズのダグラス・グロース（Douglas Grose）CEOは、�盜�、ドイツ、シンガポールを�攵喤点とする文�C通りグローバルな3極���Uを組み地��学的なリスクの少なさを�~�W(w┌ng)な点としながら、並行して��数の先端�\術を開発し、さらに高い�n働率を維�eしながらシンガポールの65nm、さらには45nm�\術をドイツのドレスデンにスムースに�‥召靴討い�ことを2010�Qの戦�Sに据えた。
同社はチャータードセミも傘下に収めたことから、45nm/40nmの先端�\術だけではなく、根�咾ひ�要のある0.13μm、0.35μmのプロセスの�}も緩めない。これらのラフパターンの����は高耐圧デバイス、不ｧ発性メモリー、RF�v路などのオプションがあり、200mmウェーハ��業として�Q間220�C��の��模に達している。ファブレスとIDMを合わせて150社もの顧客を�耀uしている。
先端の300mmファブには、ドイツドレスデンのFab 1、シンガポールのFab 7、ニューヨーク�Δ�Fab 8がある。Fab 1とFab 7はそれぞれ月��6万��、5万��を量��している。ニューヨークのFab 8は現在、工場を建設中で20%の建�颪�完成した。2012�Qには28nmプロセスで�攵�を始め、2013�Qには3極合��で�Q��160万��に達するという。
最先端の300mmファブは世�c3極���U
32nmからは、High-kメタルゲートのプロセスを使うが、ゲートファースト�}法を使うとしている。現在の��画では、32nmプロセスはSOI CMOSでしか使わないが、顧客が1社しかなく、�Hくの顧客は28nmへのシフトを要望しているため、グローバルファウンドリーズは32nmのCMOSバルクではなく、28nmのCMOSバルクプロセスへ�R��している。
今後のロードマップ
その先はどうか。22〜20nmはおそらく、�]浸リソグラフィを使いダブルパターニング�\術でいけると見ている。現在、EUVのリソグラフィも検討しているが、����とレジスト、マスクなどについて研�|開発チームは深く検討しているという。マスクについてはドレスデンにあるマスクメーカーと共同で研�|開発しており、すでに60��以�屬離泪好�を出荷してきたという。総合的な感触として、EUVが使われるようになるのは20nm以下からだろうと見ている。
こういった先端�\術だけではない。グローバルファウンドリーズは「開発期間（time to market）の�]さもビジネスモデルとして�_��している。かつて45nmの量�癉ち�屬欧任���合ファウンドリと比べ、わずか3四半期でゼロから2万5000��/月まで立ち�屬�、他社を圧倒したと、�x場調�h会社のInternational Business Strategies社が��している。これは高集積のAMDのx86�UCPUを立ち�屬欧深太咾�ら来るという。
