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シリコン�陵枦澱咾魯札襪粒�放電圧が0.6V��度しかなく、実際にパネルに組み立てるためにはセルを直�`に数��個接��しなければならない。0.6Vなら100個つないでも60Vしかない。300Vまで�屬欧襪覆�500個を直�`接��する��要がある。500個並べる場合、1個でも電流が流れにくい、すなわち影になると、影になったところの電流で��まってしまう。このため、実際の発電効率はぐっと落ちてしまう。�陵枦澱咾呂海海��cき所である。直�`するセルはできるだけ少ない�気�、�陵枦澱咼轡好謄爐箸靴討糧�電効率の落ちる確率は��る。今�vの�陵枦澱咾世�300Vに��要なセルの数は404個ですむ。

これまで同社が開発してきたHIT（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer Solar cell）構�]のセルでは変換効率は23%あったが、シリコンの厚みは200μm以�屬如�開放電圧は0.729Vと比較的高かった。この構�]では、n型シリコンの�屬�i層（不純�駝�度の少ない半導��）、さらにp層のアモーファスシリコン層を設け、n型シリコンの下にi層、n層を設けている。p/i層、i/n層の厚さはそれぞれ10nm、20nm��度である。

アモーファスシリコンは�T晶シリコンよりも光学的バンドギャップが広いため、開放電圧を�屬欧襪里謀�している。ただし、�T晶性が�Kいため�L陥が�Hく、キャリヤのライフタイムは�]い。このため電極に到達する�iに再�T合して電流に寄与しなくなる。�k般に�T晶よりもアモーファスの�気��陵枦澱咾諒儡晃�率が低いのはこのためだ。HIT構�]では、pin接合の空��層で光から�擇泙譴疹�数キャリヤ(��孔)は�T晶の中を長く�擇�n�笋療填砲謀�達するが、電子はp層を素早く突き�sけて電極へ到達するため、変換効率が高いという��長を�eつ。

今�v、��洋電機は省�@源と、�陵枦澱咼轡好謄爐���点から、薄くてかつ開放電圧の高いセルを開発した。効率はほぼキープした。今�vは、HIT構�]をさらにリファインしたもの。����的には、シリコン基��を薄くすると光の吸収量が落ちる��向があり、さらには表�Cにおいて光で発�擇靴織�ャリヤが再�T合することで開放電圧が下がるという��向があったことに�瓦靴董�表�Cの光の閉じ込め効果を改��し、さらに表�Cの再�T合を�膿覆垢謠L陥を��らした。この二つによって薄さと高い電圧を実現した。

表�Cの閉じ込め効果は、まず凹��(微細なピラミッド)形�Xを最適化して光がシリコン内を�Aめに長く走るようにし、その�屬瞭���電極の透��度を�屬欧燭海箸納存修靴�。透��電極は光の吸収を��らすために�T晶��を�jきくし�‘暗戮��屬欧燭�、同社アドバンストエナジー研�|所ソーラーエナジー研�|�陲隆��儕凛E�霙垢禄劼戮�。透��導電膜については材料がITOかどうかさえ、��らかにしない。

��洋電機研�|開発本�陬▲疋丱鵐好肇┘淵検叱��|所
ソーラーエナジー研�|�陲隆��儕凛E�霙�

��洋の開発したセル構�]

表�Cの�L陥を��らすと、光学的バンドギャップは広がる。通常、アモーファスシリコンでは水素を導入することで�T合しない�}（ダングリングボンド）をH原子で�mめ、�L陥を抑�Uする�桔，�使われているが、アモーファス表�Cではダングリングボンドが残ってしまいがち。これが表�C�L陥となる。�L陥が�Hければバンドギャップが抑えられるピンニング現��が��きやすい。今�vは、�L陥を��らすためプラズマCVDによってアモーファスシリコンを形成するときのダメージを��らすことでバンドギャップのピンニングを抑えることができた。CVD条�Pなどの詳細は��らかにしない。

セルの主な��性は次の通り。開放電圧0.743V、�]絡電流3.896A（電流密度38.8mA/cm2）、フィルファクタ（曲線因子）79.1%、セル変換効率22.8%、セル�C積100.3cm2、などである。これらの�R定値は�噞�\術総合研�|所で�R定したもの。

シリコンの厚みは98μmとはいえ、シリコンインゴットから切り出す時のカーブロスはやはり100~200μmくらいあるため、実際の厚みが100μm以下ではあるが、シリコンのロスもまだ�jきい。今後はこのカーブロスをできるだけ��らす�\術開発が望まれる。

今�vの�陵枦澱咼札襪両���化時期はまだ��まっていない。しかし、��洋電機はHIT�陵枦澱��攵��ξ�を、2008�Qの340MWから2010�Qには600MW��模へと拡�jするための投�@を�M��していくとしている。