半導��プロセスに使われる材料の�|類は、2000�Qに入ってから���]に�\えてきた。それまではシリコンになじみのあるAlやB、As、P、W、Ta、Tiなど限られた材料しか使われなかった。ごみを嫌う半導��工場にこれまでとは違う材料を�eち込むことを嫌うためである。しかし、もはやPtやHfなどこれまで使ってこなかった材料を�eち込まざるをえなくなってきた。トランジスタの要求性�Δ鮗存修垢襪燭瓩任△�。

しかし、異�|の材料を半導��工場で使うためには、�\積��(sh┫)法や除去��(sh┫)法だけではなく、シリコンや�┣祝譴箸凌届太�やプロセスの�M�R性などさまざまな項�`を検討しなくてはならなくなってきた。ひとつの材料だけでも膨�j(lu┛)な時間がかかることになる。

そこで、Intermolecular社が開発したのは、�k度にたくさんの実�x条�Pを変えて��並�`的に実�xできるシステムだ。実�xの�攵掚を�屬欧討気泙兇泙柄箸濆腓錣擦鮗存修垢襪燭�、この�\術をHPC（high-productivity combinatorial：高�攵掚コンビナトリアル）�\術と�}んでいる。これまで、バイオテクノロジや��薬業�c、エネルギー業�cなどで培われてきた�\術だという。材料�\術とプロセス�\術、プロセスの統合化、そしてデバイスの����認定、という�k連の開発の流れを�k元管理できる。

同社が販売する����は2�|類あり、Tempus F-30は、1��のウェーハ�屬�28�|類の条�Pを変えられ、Tempus F-20は192〜576�|類も変えられるという。����そのものには、Tempus F-30なら28�|類もの条�Pを変えられるように、直径が数cmの��ミニチャンバとスパッタリングターゲットを28個�△┐討い�。1��のウェーハ�屬邦�ミニチャンバを最�j(lu┛)28個並べた形の����である。下の�^真は、28個の��ミニチャンバを使って�h価したウェーハである。

実際に新しい材料を開発する場合は次のような�}順で行う。材料の組み合わせを変えたり、組成条�Pを変えるなど、最適な材料の組み合わせを�uるためにはウェーハ1��当たり500�|類以�屬鮓‘い垢�。見込みのありそうな材料とその組み合わせを絞った後、今度はシリコンプロセスに適��してみて、�\積�\術との親和性、除去�]度や他の材料への影�xなど100数�懐|類のプロセス条�Pをわずか1��のウェーハで検討してみる。ひとつのプロセスに適合できそうな条�Pをある��度絞り込めたら、実際のプロセスフローに当てはめてみて、その後のプロセスにも適��できるかどうかも含めて30�|類��度のプロセスインテグレーションを�h価する。材料、組み合わせ、プロセス条�Pなどで所望のデバイス性�Δ��uられることがわかった後、最後に量��プロセスに合うかどうかのチェックを行う。

��例として、45nm以�Tのプロセスに使われると見られる金�錺押璽箸鮓‘い垢襪燭�、MOS構�]での仕��関数やリーク電流を�h価する場合、金�鑠譴�High-k膜、�c�Cキャップ層とのさまざまな組み合わせを1��のウェーハで実�xできる。PCRAMやMRAM、FeRAMなどの応��では、これまでの不ｧ発性メモリーでは使われてこなかった材料を検討できる。PCRAMには光に反応するカルコゲナイド�U材料、FeRAMには�嗟凝���材料、MRAMには�喙Ю�材料などが�L(f┘ng)かせない。シリコンプロセスに適合し、デバイスの性�Δ鬚睨��Bする新しい材料の組み合わせがこの����を使えば�~単にできるようになるため、新しい不ｧ発性メモリーの開発が加�]される可��性は高くなる。

Intermolecular社のビジネスモデルは、����を単��で売るのではなく、まず材料やプロセスを共同開発し、同社の����を使って材料�h価の実�xを行う。このときにコンサルティングサービスを行うが、試作段階ではさほど高�Yなコンサルティング料ではなく、量��になったときにロイヤルティをもらうというモデルだという。��的財�堍のライセンシングも行う。