2007�Qの1月に発売されたモデルVA35JZ9910と比べると、��積比で45%も小さくなった。そのVA35JZ9910がその1�Q�iのモデルと比べると��積比で19%しか小型化できなかったことからすると、今�vの新型１セグチューナはテレビ��き携帯電�Bの薄型化に威��を発ｧする。

このチューナモジュールは、RFチューナICと復調��のOFDM（orthogonal frequency division multiplexing）デジタル変調ICの２チップ構成で、それぞれのICチップを新たに開発した。RFチューナICにはウェーハレベルCSPパッケージを採��、小型化を図り、OFDM復調ICも小型化したが、その詳細は��らかにしない。ウェーハレベルCSPパッケージはワイヤーボンディングを使わないため、寄�撻ぅ鵐瀬�タンスの小さなRF�v路を実現できる。シャープはこのRF�v路にSiGeのBiCMOSプロセスを使い、高性�Σ修鮗存修靴拭�OFDM復調ICはCMOSプロセスで、ワイヤーボンディングで実�△靴討い襦�

モジュール����の消�J電��は85mWと��来の100~200mWよりも小さい分だけ、電池が長�eちするというメリットもある。小型化�\術の詳細には触れないが、同社はLTCC（低�a焼成積層セラミック）基��や、シミュレーション�\術によるセラミック層の厚みや絶縁層の厚み、層間�{�`、����配��などについて研�|している。LTCC（低�a焼成積層セラミック）基��は、����を�mめ込める今後の高密度実���\術として�R�`されている。シミュレーションはノイズの低下や分布定数�v路設��など、高周�S設��に�Lかせない。今�vの����にこれらの実���\術を使ったかどうかについては��らかにしないが、こういった高度な実���\術を�~使することで、さらなる小型・低消�J電��のモジュール実現の�Oを開くことになる。