アドバンテストは、高�]処理が��要な量�奭けのテスターを�Г┐�、高周�SデバイスHEMTやメカニカルリレーを��き換えるMEMSリレーなど���zなデバイス��作までも�t��(j┤)した。6月3日から3日間、東�B国際フォーラムで開��(h┐o)された、「アドバンテスト�t2008」では、このような�f��をアドバンテストが見せつけた。

メモリーテスターでは、DRAM専��、フラッシュ専��というこれまでのメモリーテスターに加え、DRAMとフラッシュを1パッケージに内�鼎垢�MCP（マルチチップパッケージ）の混載メモリーも�R定できるテスターT5781を�t��(j┤)した。256個を同時に�R定できる。フラッシュ2~3��、SDRAM1��のチップを積層したMCPパッケージのメモリーの場合、1時間当たりに�R定できるデバイスの数はテストハンドラと組み合わせて4万個だという。テストパターンを266MHzで動作させる。

もちろん、MCPだけではなくNANDフラッシュだけのメモリーも�R定でき、こちらは最�j(lu┛)768個同時に�R定できる。チップを積層したメモリーの場合のテストは、CE（チップイネーブル）端子をオンさせることでチップ1��ごとにテストしていく��(sh┫)式をとっている。ただし、フラッシュメモリーのテストでは、不良ビットのメモリーセルが発見された場合は、ブロックごとにごっそり�Dり換えるため、その機�Δ���く。テストパターンの作成はユーザー�笋任皀謄好拭璽瓠璽�ー�笋任皀廛蹈哀薀爐任�る。

DRAM専��のメモリーでは、高�]データレートを��長とするDDR3 SDRAMを�R定できるT5503が�t��(j┤)された。DDR3の3.2Gbpsとこれまでの最高�]の2Gbpsを記�{したT5501よりもかなり�]い。DDR3はビデオ転送や高�]に�j(lu┛)量のデータを転送する����のDRAMで�x場に出てくるのは、早くて今�Qの暮れになる��×8構成のDRAMテストなら、5501では最�j(lu┛)64個同時�R定しかできなかったが、今�vの5503は128個同時�R定できる。×16ビット構成だと64個同時�R定可��。しかも�o�C積が40%小さく、消�J電��も40%低い。

アドバンテストの100%関連会社になった日本エンジニアリングが開発した、300mmウェーハ内のチップ最�j(lu┛)768個を�k度にバーンインできるテスターB2510が�t��(j┤)された。ウェーハバーンイン����はBT(バイアス�a(b┳)度）試�xなどストレスをかけて初期不良をスクリーニングするためのテスト����である。300mmウェーハで5分間くらい、BTの加�]試�xを行う。ウェーハ内のメモリーチップ1個当たり250mA、2電源印加できる。

ウェーハ�X(ju└)��で合否判定し、しかも信頼性加�]試�xで初期不良を�Dり除くという考えは、携帯電�Bなどに使われるMCPパッケージにDRAMを封�Vする�iに�Bの良��チップを出荷せざるをえなくなってきたから�擇泙譴拭９臠殀縦蠅鬟ΕА璽呂嚢圓�、不良��はマーキングしておく。そうするとKGD（known good die）として独立�Uあるいは半導��メーカーのMCPパッケージ組み立て工場で使��できる。

これまでの300mm�官�のウェーハバーンインテスターは、最�j(lu┛)128個しかテストドライバピンがついていなかったため、1��のウェーハ�屬�6�v��度順に当たってテストしなければならず時間がかかった。300mmウェーハにはDRAMチップは720~730個��度搭載されている。今�vのB2510は768個同時にテストするドライバピンがあるため、1��のウェーハ内のメモリーを���鞋k度にテストできる。この�T果スループットは5~6倍�屬�ったとしている。

メモリー以外のテスターでは、パワー半導��向け高耐圧テスターT7723が�t��(j┤)された。これは、例えばモーター�~動��のパワー半導��（IGBTやMOSFETなど）のゲートを�~動するためのドライバICのテストに使う。もちろん、それ以外にミクストシグナルICにも使える。このため耐圧が高く、しかも�Hチャンネル出���官�である。また��来、電圧は�w定だったが、今�vは±60Vの�J(r┬n)囲で最�j(lu┛)150Vまで（+150V〜+30V）あるいは-150V（-30V〜-150V）まで変化させることができる。高耐圧�~動は8チャンネル分あるが、デジタル�v路�霾�は256チャンネル同時�R定が可�Δ任△襦�

また、スペクトラムアナライザでは、2信��(gu┤)を同時に入れ、同期をとり周�S数軸で��(d┛ng)度を表��(j┤)するスペクトラムアナライザの参考出��もあった。デモでは、低雑音アンプ（LNA）への入��と、出��を同時に表��(j┤)させ、スプリアス成分を�莟Rしている��仕様を微調�Dして、今�Q��には発売したいとしている。

こういったテスターを�Г┐襪燭瓩�����の試作も見せた。GaAsHEMTウェーハを作��し、MMICを試作、さらにLTCC（低�a(b┳)焼成セラミック）にMMIC(マイクロ�SIC)や����を搭載した20mm角のマイクロ�Sモジュールを試作している。��来ハイブリッドICで作��していたモジュールと比べ�j(lu┛)きさが1/15に小型になったとしている。メモリーテスターを12GHzで動作させるのに使っている。

Cu/ヒーター/SiO2のバイモルフ構�]を�W(w┌ng)��するMEMSリレーも�t��(j┤)した。これは小型化というより0.5Ωの低オン�B(ni┌o)�^が��長だという。絶縁耐圧は1000Vと、半導��リレーよりも高い。