図1　1��でsパラメータ、デジタル変調歪、高周�S雑音指数を�R定できるKeysightのベクトルネットワークアナライザ　出�Z：Keysight Technology

高周�Sデバイスは、電磁�Sの送信・�p信の性�Δ魃R定�_で�Rる場合、�Sとしての反�oや透�圓覆匹留惇xが�jきく、インピーダンスを�D合しなければ所望の��性が�uられない。このため、sパラメータ�R定はデバイスの反�oや�\幅、帰����性などを�h価するのに都合がよいが、50オームでインピーダンス�D合を�Dるための作業に時間がかかっていた。加えて、デジタル変調においてQとIのコンスタレーションマップ�屬力弔留R定や、高周�S�S形の時間変化をフーリエ変換するようなスペクトルアナライザの��性、さらにNF（雑音指数）を�Rるときは、それぞれの�R定�_で�R定すべき半導��デバイスDUT（Device Under Test）を�R定�_とつなぎ直さなければならず、とても時間がかかっていた。

Keysightが開発したENA-XのVNA（図1）にはミリ�Sでの変調歪を解析するためのアップコンバータが内�鼎気譴討�り、6GHzの変調信�､鯑���して最�j44GHzの変調信�､�CW信�､鮟侘�する。このため、5Gの28GHzや39GHzなどのミリ�S��性を�h価する場合には、この1��でデジタル変調歪や反�o��性、NFの周�S数依�T性などを1�vで�R定できる。

�R定�_には2ポート�△┐討�り、ポート1からDUTを�~動し、その出��をポート2に入��し、sパラメータと、変調歪EVM（Error Vector Magnitude）、さらにNFも�k度に�R定する。つまりこのVNAアナライザには信�ﾈ��昊_も内�鼎靴討�り、All-in-oneの�R定�_となっている。それらの出���T果は図1のように6つの画�Cで見ることができる。

図2　デジタル変調歪EVMの�R定�桔　―儘Z：Keysight Technology

�R定項�`の内、デジタル変調歪EVMは、Q軸とI軸のコンスタレーションマップにおいて、例えば256 QAM（直交振幅変調）なら理�[的な256個のシンボルの位��から、�R定されたシンボルがどの��度ずれているのかを�瑤襪海箸�できる（図2）。また高周�Sの教科書にあるようなsパラメータは、入��と出���陲砲�ける電�Sの反�o、透�圓鯢修校愎瑤任△�、�g乱(Scattering)の頭文�Cをとってマイクロ�Sデバイスのインピーダンス�D合などを�h価する。NFはデバイスが発しているノイズを含む入��の雑音を�h価する指数（Noise Figure）である。NFが�jきければアンプでは信�､世韻任呂覆�ノイズも同時に�\幅されてしまうためNFは低ければ低いほどデバイスは良い。

KeysightのENA-Xベクトルネットワークアナライザには、信�ﾈ��昊_も内�鼎気譴討い襪�、これとは別にミッドレンジのベクトル信�ﾈ��昊_「N5186A MXG」もMWEで出�tした。これは、高さ2Uサイズのコンパクトなシャーシで4チャンネルの高周�S信�､鮟侘�し、最�j周�S数は3GHz、6GHz、8.5GHzとなっている。1チャンネルの信�､亮��S数帯域は960MHzと広い。しかも4チャンネルを�Jねてキャリアアグリゲーションできるようになっており、��来の6G時代に�△┐討い�。

図3　高度な�R定�_には高性�Δ僻焼���ICが不可�L　出�Z：Keysight Technology

Keysightが開発している高性�Δ扮R定�_では、�R定�_に使われている半導��の性�Δ�良くなければ、それよりも性�Δ領匹と焼���を�R定できないため、��高性�Δ僻焼���が使われている。このため同社はHewlett-Packard時代からGaAsなどの高性�Δ聞蘯��S半導��を�O社開発している（図3）。Keysightのカリフォルニア�Ε汽鵐織蹇璽狭�場は昔から半導��MMIC（Monolithic Microwave Integrated Circuit）を内��化してきた。現在では、高周�SのMMICを作��しながらも、�攵�したチップをハイエンド����だけではなく、ミッドレンジやその後にローエンド����にも適��することによって、�R定�_の普及と半導��によるコストダウンに役立てている。