図1　ノリタケが開発したCuペースト　セラミック基��にCuを��けてもはがれない

このCuペーストは、SiC MOSFETやSi IGBTなどのパワー半導��と�X伝導率の高いセラミックの間や、放�Xフィンとセラミック基��との間に塗る接��剤。��来、最�j250℃という高い�a度サイクルを繰り返すと、接��剤が���`することがあった(図1)。原因は、セラミックとCuとの�X膨張率の差が�jきいためであった。Cuの�X膨張係数は17ppm/℃、これに�瓦靴謄札薀潺奪�は3~7ppm/℃、SiNセラミックだと4ppm/℃と�jきく違う。

このCuペーストは、直径数µm単位のCu��子に膨張係数の差を緩和するためのフィラー材を充填し、�~機溶剤に溶かしたもの。フィラーは数%で効果があるという。セラミックとの接��には、Cuペーストを塗った後、500℃以下で焼成し�wめている。Cuペーストの�X膨張係数は11ppm/℃とCuプレートよりも下がった。

図2　SiNセラミックにCuペーストでCuプレートを��けたサンプル

ノリタケは、セラミック基��（SiNやAlNなど）にCuペーストを塗りCuプレートを積層した構�]のテストサンプルを作り(図2)、�a度サイクル試�xを行った。パワーエレクトロニクスの実��基��への応��を狙っている。