アルバックが��を入れるタンデム構�]を作るための���]����は、アモーファスSi膜�陵枦澱咾慮�率が7%��度にとどまっていることから、顧客から効率アップを�咾�求められているために開発した。�軍阿�ら��外までの�陵杆�の��スペクトルをカバーすれば効率アップにつながるため、比較的�]�S長を吸収するアモーファス層と長�S長�笋魑杣�する微�T晶�笋領���(sh┫)の層を�_ねる(タンデム)ことで効率を�屬欧�。この����は、1100mm×1400mmのガラス基��に作り込む�陵枦澱咼皀献紂璽襪僚侘�130Wを保証するという����である。もちろん初期の光照�oによる薄膜�W定化処理を済ませたパネルでの出��値である。

この微�T晶Si��のプラズマCVD����「CIM-1400」は、��来の25MWのアモーファスSi�陵枦澱����]����「CCV-1400」に�{加して使う����である。モジュールの�Q間�攵盋は��来の25MWからタンデム型を採��することで32.5MWに向�屬靴拭Ｆ閏劼蓮�CIM-1400」を�{加の����として単��で売る以外に、��来の25MW��アモーファスSi���]����と組み合わせて販売する。

パネルの�攵巤間（タクト時間）を�]縮するため、1�vの連��チャンバに6��同時処理すると共に、チャンバを4�`並�`に処理する構成をとった。この�T果、1��当たり180秒でプラズマCVD処理できるようになった。6��のガラスをCVD成長させるためにガラス2��につき1��のプラズマ電極を��い、合��3��のプラズマ電極を1チャンバに���Tした。

この微�T晶SiのプラズマCVD����を加えて�陵枦澱咼僖優襪鰤k���攵�した場合の�陵枦澱咼皀献紂璽襪離丱蕕弔�は小さく、1バッチ�`と21バッチ�`での電流-電圧��性にさほど�jきな違いは見られない。

�k�����]でモジュールを���]するとは言っても、�Q工��でそれぞれ形成した膜の��性をチェックする��要がある。そのための膜��性�h価����がMPEC-1300である。この����は、合��6�|類の薄膜��性を�R定する；
1)電極��メタル薄膜の膜厚�R定と�C内分布
2)電極��メタル薄膜の�B�^率分布
3)微�T晶Siの�T晶化率の�C内分布をマッピングするラマン分光�R定
4)レーザースクライブ後および透��導電膜表�Cの形�Xを調べる3次元�R定
5)アモーファスSi薄膜の光学定数を�R定する分光エリプソメータ
6)アモーファスSi薄膜の�B�^率分布を�R定

これらの�R定を1100mm×1400mmサイズのガラス基�����Cに�R定できるため、��中で基��を割るような心配がない。このためランニングコストを削��できる。価格は1��1億5000万��。