リニアテクノロジ〖、バッテリ瓷妄ICの籃刨を懼げ、你コストEVを謄回す
海や、シリコン染瞥攣濕妄で瘋まる年眶まで陡わないように肋紛する箕洛に掐った。排丹極瓢賈∈EV∷脫のバッテリマネジメントICの籃刨を端嘎まで納滇し、盧年排暗疙汗∞0.04%笆柒という肌坤洛のバッテリマネジメントIC≈LTC6804∽をリニアテクノロジ〖が倡券した。システムと攙烯、染瞥攣濕妄を妄豺していなければ肋紛できない糠瀾墑である。
哭1 LTC6804は郊庶排排暗を3擒の澄刨で盧年 叫諾¨Linear Technology
これまでリニアが倡券した呵介の6802、媽2坤洛の6803に魯く、媽3坤洛のバッテリマネジメントICは、盧年排暗澄刨が端めて光いが、このことで、EVのコストを猴負できるのである。なぜか。リチウムイオン排糜セルの庶排潑拉は哭2のように、介袋排暗が警し皖ちた稿、ほとんどフラットな潑拉を瘦積し、瑣袋に排暗が締廬に皖ちる、という妒俐を積つ。このフラットな嬸尸を賴澄に盧年することが豈しいため、奧年して排糜セルを蝗える袋粗を、澆尸なマ〖ジンをとって介袋の20%箕粗と瑣袋に奪い80%の箕粗の粗と年めている。
哭2 リチウムイオンセルの庶排潑拉 叫諾¨Linear Technology
ただし、20%箕粗と80%箕粗の浮叫疙汗が絡きければ、この疙汗をガ〖ドバンドとしてさらに澆尸弓くとる澀妥が叫てくる。毋えば5%尸のマ〖ジンをとり、それぞれほぼフラットな潑拉の25%箕粗、75%箕粗とすると、悸狠に蝗える排糜セル1改の箕粗は50%しか荒らない。この尸だけEVの掛魯調違が沒くなる。辦つのバッテリシステムに眶100改のリチウムイオン排糜セルを蝗うが、このうち60%箕粗尸蝗えるところが50%箕粗尸に你布すると、掛魯調違を凱ばすため、この汗10%に陵碰する塑眶の排糜セルを途尸に潔灑する澀妥がある。すなわちバッテリコストがこの尸、途紛にかかることになる。
EVのコストはバッテリシステムが染尸奪くを貍めると咐われている。排糜セルの眶が警なければ警ないほど你コストでEVを瀾隴できる。≈疙汗が警なければフラットな瓢侯袋粗を警しでも墓くとれるため、排糜セルを途尸に籠やす澀妥がなくなる。すなわちバッテリコストを驕丸よりも布げることができる∽と票家シグナルコンディショニング瀾墑のマ〖ケティングマネジャ〖のBrian Black會は咐う。
哭3 セルを6改ずつに尸么するア〖キテクチャ 叫諾¨Linear Technology
このLTC6804は、呵絡盧年疙汗が∞0.04%と、驕丸の1/3笆布に井さくなり、盧年箕粗は290μsと驕丸の1/10に沒教されたという。呵絡12改の排糜セルまで盧年する。尸豺墻16ビットのADコンバ〖タを2改柒壟し、2改のマルチプレクサ∈MUX∷で排糜6改ずつ尸を尸么する(哭3)。デジタルデ〖タに恃垂した稿、それをマイコンなどへ流る。その狠、isoSPIインタ〖フェ〖スを沸て、デ〖タをツイステッドペアのケ〖ブルで流る。呵絡1Mbpsまでのシリアルデ〖タレ〖トを積ち、呵絡100m違れていても奶慨が材墻だという。
光籃刨のカギはバルクのツェナ〖
では、どのようにしてこれほど疙汗を井さくできたのか。盧年攙烯であるオペアンプの掐蝸籃刨を懼げるため、答潔排暗と孺秤する數及が蝗われている。これまでは、この答潔排暗富(リファレンス)としてはシリコンのpn儡圭の界數羹排暗を蝗っていた。この0.6~0.7Vの排暗は、シリコンの濕妄弄潑拉であるエネルギ〖バンドギャップのpn儡圭の汗であるため、濕妄年眶として恃わらないはずだった。
ところが奪鉗、夏シリコンデバイスで據魔されるように、シリコンに夏みを涂えるとエネルギ〖バンドギャップの菇隴が恃步することが夢られるようになった。夏みシリコンデバイスは、夏みを姥端弄に網脫して敗瓢刨を懼げるトランジスタである。毋えば、補刨恃步によってシリコンと泰緬しているリ〖ドフレ〖ムやマウント亨などの怠常弄な炳蝸が券欄しシリコンはわずかに夏む。チップのパッケ〖ジングやプリント答饒でのリフロ〖借妄、補刨サイクル活賦など、さまざまな怠常弄な炳蝸が、チップ瀾隴が姜位した稿も裁わってくる。つまりバンドギャップレファレンスでは、稿供鎳の錢借妄プロセスが裁わるたびにキャリブレ〖ションする澀妥がある。籃刨に濕妄弄な嘎腸がある。
哭4 雖め哈みツェナ〖數及で籃刨を懼げる 叫諾¨Linear Technology
そこでリニアは、pn儡圭のアバランシェ慣生排暗、すなわちツェナ〖排暗を網脫することにした。しかもシリコンのMOS山燙で慣生させずバルクで慣生するようにpn儡圭菇隴の慣生爬を供勺した。票家はこれを雖め哈みツェナ〖∈Buried Zener∷數及と鈣んでいる。慣生排暗は夏みによって木儡逼讀を減けない。このため、排暗籃刨が光いという條だ。補刨懼競によるドリフトに灤しても3ppm/☆と端めて井さい∈哭4∷。260☆のリフロ〖染拍つけをした稿でさえも100ppm笆柒の恃瓢だという。
ただ、ツェナ〖排暗は稍姐濕腔刨に巴賂する。これに灤してBrian Black會は、≈瀾隴バラつきを阜しくコントロ〖ルしているため啼瑪はない。介袋弄にキャリブレ〖ションしていれば、稍姐濕腔刨は稿供鎳での補刨恃步による怠常弄炳蝸の逼讀がないため、沸箕恃步もない∽と極慨を斧せる。
哭5 痰綠の警ないアクティブバランス數及も脫罷 叫諾¨Linear Technology
これほどの光籃刨が材墻になると、驕丸のパッシブセルバランス數及からもっと跟唯の紊いアクティブセルバランス數及も蝗えるようになるという(哭5)。パッシブ數及は塔郊排に毗茫したセルでは、郊排の顱りないセルと票じレベルまで排操を嘉てることで、票箕に塔郊排できるようにしてきた。排操を嘉てることはもちろんもったいないが、塔郊排になったセルをさらに郊排すると券殘する錯副拉が光まるためできない。アクティブ數及は、塔郊排になったセルからまだ顱りないセルへ排操を尸芹する數及である。籃刨よく排暗を尸芹する澀妥があるため、驕丸數及では灤炳が豈しかった。アクティブ數及では痰綠はないが、擴告するための途尸な嘲嬸攙烯嬸墑が澀妥になる。擴告するためのICとして、≈LTC3300∽を奪いうちに券山するという。これは6804とSPIインタ〖フェ〖スで奶慨しながら擴告する。
海稿、極瓢賈メ〖カ〖の妥司によって、掛魯調違も崔め、パッシブ數及かアクティブ數及かの聯買昏を杠狄に捏丁する。これによりカスタマイズを材墻にするとしている。
