Infineon,SiCのセルの腮嘿步、糠ダイボンディング禱窖で拉墻ˇ慨完拉を羹懼
Infineon Technologiesは、媽2坤洛のトレンチ菇隴のSiC パワ〖MOSFET≈CoolSiC MOSFET G2∽を3奉に券山していたが、このほどその拒嘿について湯らかにした。このG2∈媽2坤洛∷では、オン鳥鉤を1峰ミリオ〖ムに布げると鼎に、錢鳥鉤を12%負(fù)らし排萎推翁を懼げた。糠瀾墑は650Vと1200Vの2鹼梧で、パッケ〖ジもピン賃掐房と山燙悸劉房を脫罷する。G2でパワ〖MOSFETのチップ肋紛から斧木している。
哭1 Infineon Technologies Product Marketing Director, Giovanbattista Mattiussi會(huì)
拉墻を懼げるために、セルと鈣ばれる井さな僥房トランジスタを腮嘿步した。パワ〖トランジスタは霹擦攙烯弄に井さなトランジスタを事誤儡魯して、絡(luò)排萎を萎せるようにしたものであり、井さな1改のトランジスタに陵碰する嬸尸がセルと鈣ばれる。ウェ〖ハの微燙∈ドレイン∷から山燙∈ソ〖ス∷に羹かって僥數(shù)羹に排萎が萎れるわけだが、セルの士燙サイズを媽1坤洛∈G1∷墑よりも腮嘿步することで拉墻を懼げた、と票家瀾墑マ〖ケティングディレクタのGiovanbattista Mattiussi會(huì)∈哭1∷は揭べている。トランジスタの叫蝸推翁Cossやゲ〖ト耽叢推翁Cdgが負(fù)り、炳批スピ〖ドが懼がった。汾い砷操で排萎をあまり驢く萎さない眷圭のスイッチング祿己は、媽1坤洛のCoolSiC MOSFETと孺べて、20%井さくなったという。
また、ゲ〖ト煥步遂のコ〖ナ〖を猖紊して排腸を此下することで、蟬れにくくなり慨完拉を懼げた。セルを腮嘿步したことでオン鳥鉤も井さくなったという。潑にオン鳥鉤は、卵暗650V墑で6.7mΩ、1200V墑で7.7mΩになった。これらの馮蔡、辦忍弄な砷操掘鳳では、オン鳥鉤を票じものとして孺秤すると、スイッチング排蝸祿己が5~20%も猴負(fù)された。
パッケ〖ジについても驕丸のピン賃掐房だけではなく山燙悸劉房も納裁し、杠狄の聯(lián)買升を弓げた。CoolSiC G1シリ〖ズで介めて瞥掐された≈.XT禱窖∽∈徊雇獲瘟1∷によって錢鳥鉤を布げた。Infienonが倡券したこの.XT禱窖は、チップをリ〖ドフレ〖ム懼にボンディングするときにハンダの更みを驕丸の1/5に泅くできる禱窖で、橙歡ソルダリング禱窖と鈣んでいる。この禱窖は、チップとリ〖ドフレ〖ム粗にハンダを橙歡させて圭垛霖を侯り、ハンダ嬸尸を泅くすることで錢鳥鉤を布げた。この.XT禱窖はボイドの券欄澄唯を布げるという舔充もある。
票家フェロ〖のPeter Friedrichs會(huì)は、G2とG1との般いについて、≈G1の箕はまだ箋い禱窖だったためにG2の倡券にあたって、.XT禱窖を鏈燙弄に斧木した∽と票家が4奉16泣に倡號(hào)した≈Wide-Bandgap Developer Forum 2024∽の面で胳っている。G2では、錢鳥鉤はG1よりも12%布がり、庶錢墻蝸は14%猖簾したという∈哭2∷。
哭2 錢鳥鉤の猴負(fù)跟蔡は絡(luò)きい 叫諾¨Infineon Technologies
この馮蔡、排萎を6~7%納裁することができるようになり、また庶錢跟蔡により瓢侯補(bǔ)刨を5刨布げられるようになった。このため染瞥攣の檻炭は墓くなる。さらに祿己が警なくなったために瓢侯件僑眶を50%懼げることもできるとしている。これまで任卿してきたCoolSiC G1はフィ〖ルドでの肝俱は1鳳もないため、叫操紗它改碰たりのSiC瀾墑はこれまで叫操してきたSiのパワ〖MOSFETやIGBTと孺べても、你いくらいのレベルだという。
Infineonはディスクリ〖トからモジュ〖ルまで、CoolSiC G2瀾墑をこれから橙郊していく。呵介のG1シリ〖ズはすでに緩度脫と極瓢賈脫にピン賃掐房、山燙悸劉房、そして400Vから3300Vまで升弓い卵暗の瀾墑を海稿脫罷していく∈哭3∷。2000Vや3300Vなどの光卵暗墑は浩欄材墻エネルギ〖や眠排糜肋灑などのパワ〖コンディショナ〖に炳脫される。卵暗が光ければ光いほど光暗流排俐に蝗われるスイッチングトランジスタの眶を負(fù)らすことができ慨完拉も懼がるため、Infineonは海稿の銅司な輝眷になりうると斧ている。
哭3 InfineonのSiC鏈瀾墑ポ〖トフォリオ 海稿徒年されているG2は泅いオレンジ咖で績(jī)されている 叫諾¨Infineon Technologies
SiC MOSFET瀾墑としては、STMicroelectronicsの瀾墑がTeslaのモデル3に瞥掐され、SiCに彈傍する肝俱がなかったことから、極瓢賈緩度は海やこぞってSiCを何脫する數(shù)羹に羹かっている。SiCパワ〖MOSFETの光い慨完拉が悸沮された呈攻になっている。
徊雇獲瘟
1. "How .XT technology in the latest 1200 V CoolSiC MOSFETs improve performance and lifetime", Infineon Technologies (2022/07/07)
