TI、EV羹けバッテリパックの瀾墑ポ〖トフォリオを籠動(dòng)
賈很羹け染瞥攣の泣塑輝眷で鵝里しているTexas Instruments∈TI∷だが、EV∈排丹極瓢賈∷のパワ〖トレインとなるLiイオンバッテリシステムBMSのIC瀾墑ポ〖トフォリオの橙郊を哭り幌めた。セルのモニタ〖ICだけではなく、バッテリシステム雌渾IC、さらにBMS鏈攣を瓷妄するマイコンと件收攙烯ICにも廟蝸する。海攙は懼の2瀾墑をリリ〖スした。
哭1 BMSでのTIのアプロ〖チはBMSシステム鏈攣の瀾墑ポ〖トフォリオ籠動(dòng)へ 叫諾¨Texas Instruments
このほどリリ〖スした瀾墑は、籃刨1mVで呵絡(luò)18改のセルまで瓷妄できるIC≈BQ79718-Q1∽と、バッテリパック鏈攣をモニタ〖しマイコン廢の瓷妄システムにデ〖タを流るIC≈BQ79731-Q1∽の2瀾墑。これまでは漣莢のセルモニタ〖ICの券山が驢かったが、TIはバッテリパックとしてのモニタ〖攙烯≈バッテリジャンクションボックス∽も納裁した。
辦忍に、EV脫のバッテリは排暗が腆4Vの井さなセルを木誤儡魯して400V鎳刨まで懼げている。セルごとのバラつきは染瞥攣チップと票屯賂哼するため、郊排面に辦つのセルＡが塔郊排に奪づいても侍のセルＢがまだそのレベルにまで郊排されていなければ、箕粗弄に略たなければならない。あるいは浩芹尸する禱窖もある。とにかくセルの郊排覺(jué)輪を路えるためのセルモニタ〖ICは風(fēng)かせない。
海攙、TIのBQ79718-Q1は、稱(chēng)セルの排暗を、票袋をとりながら票箕癸のセル覺(jué)輪を雌渾し、拇臘する。排暗籃刨が1mVで盧年できると悸はバッテリを塔郊排ギリギリまで蝗える。Liイオンバッテリでは冊(cè)郊排は端めて錯(cuò)副で、攣姥が四磨し撬析したり券殘したりする恫れがある。そこで≈冷灤に∽冊(cè)郊排させないため、システムとして塔郊排の年盜を靠猛の毋えば90%とし、マ〖ジンを澀ず艱っておく。つまり笨啪緘に灤して90%を塔郊排としておく。票屯に冊(cè)庶排もバッテリに祿燼を涂えるため、庶排の荒り毋えば10%をゼロと年盜しておく。マ〖ジンが弓いと奧鏈だが、瘤乖調(diào)違は沒(méi)くなる。靠猛の10%から90%までしか蝗えないからだ。
瘤乖調(diào)違を墓くするためにはバッテリのマ〖ジンを豆くすればよい。しかし奧鏈拉が祿なわれる。そこで、奧鏈拉を么瘦しながら、マ〖ジンを豆くするためには盧年籃刨の羹懼が滇められる。毋えば、排暗籃刨が10mVしかなければマ〖ジンも弓くしなければならないが、これが1mVだと豆くても奧鏈拉は么瘦できる。毋えばセルの瓢侯材墻認(rèn)跋を5%×95%に弓げられれば、バッテリを蝗える箕粗が變ばせる、すなわち瘤乖調(diào)違を墓くできるという條だ。
海攙TIが倡券したバッテリセルモニタ〖は、籃刨が1mVと驕丸の票家瀾墑の3.5mVよりも光くなった。このため掛魯調(diào)違を20%凱ばせるとTIは咐う。しかも、1チップで呵絡(luò)18改のセルまでモニタ〖できる。EVでは奶撅、400Vまで競(jìng)暗するため、セルを100改鎳刨木誤儡魯している。1チップで驢眶のセルをモニタ〖できれば警ないICで貉ませることができる。EVでは締廬郊排に灤炳するため、800Vまで競(jìng)暗するバッテリパックにもこの瀾墑は灤炳している。
もう辦つの瀾墑BQ79731-Q1は、排暗と排萎の票袋怠墻を蝗ってバッテリパック鏈攣の排蝸を街粗弄に雌渾し、バッテリが賴(lài)撅に漂いているかどうかを街箕に艱評(píng)できるという怠墻を積つ。票袋は64 μs笆柒に排暗と排萎を票箕に盧年できるとしている。排萎の盧年籃刨は0.05%という。
もともと、BMSのセルの郊庶排を瓷妄するICとしてAnalog Devicesの奠Linear Technology嬸嚏が黎額莢であった。ADIは迫極のBMS瀾墑を積つMaximも傾箭したため、BMSでは暗泡弄に動(dòng)く、TIの極瓢賈脫チップは泣塑柜柒ではさほど動(dòng)くなさそうだが、海稿TIは、BMSのポ〖トフォリオを郊悸させていく。セルの悄愛(ài)だけではなく、バッテリ鏈攣の排暗ˇ排萎を票箕に盧年することにより、郊排覺(jué)斗だけではなくバッテリの沸鉗昔步を斧ることができ、バッテリセル補(bǔ)刨も悄愛(ài)できるようになるという。
