UnitedSiC家、SiCパワ〖JFETで750V、18mΩの瀾墑をリリ〖ス
SiC漓嚏のパワ〖染瞥攣メ〖カ〖勢UnitedSiC家が卵暗750Vと光く、オン鳥鉤が18mΩ/60mΩと你いSiCパワ〖FET∈哭1∷をリリ〖スした。晾う輝眷は肩に排瓢極瓢賈∈EV∷とデ〖タセンタ〖の排富、ソ〖ラ〖システム脫のインバ〖タや眠排糜羹けチャ〖ジャ〖。EV羹けのオンボ〖ドチャ〖ジャ〖とDC-DCコンバ〖タ羹けなどはすでに叫操面だとCEOのChris Dries會は咐う。
哭1 750Vで18mΩのSiCパワ〖FET 叫諾¨UnitedSiC
このチップの潑墓は、帽疤燙姥碰たりのオン鳥鉤が絡升に井さい(哭2)だけではなく、スイッチング叫蝸祿己エネルギ〖Eossが警ない。EossはFETの叫蝸推翁Cossに眠姥されるエネルギ〖でタ〖ンオンとタ〖ンオフ箕のスイッチング祿己をしている。裁えて、驕丸のSiCパワ〖MOSFETは、ゲ〖トがゼロ排暗でも窗鏈にオフせずリ〖ク排萎が萎れるため、ゲ〖トに砷の排暗をかける眷圭がある。このためバイアスが2排富澀妥とされているが、このFETでは砷排富は妥らない。ゲ〖トしきい排暗Vthは5Vに肋年している。
哭2 オン鳥鉤がずば卻けて你い750V、18mΩのSiCパワ〖FET 叫諾¨UnitedSiC
このFETチップは悸は、パワ〖JFETとそのソ〖ス-ゲ〖ト粗にSi MOSFETをカスコ〖ド儡魯している(哭3)。JFETだけだと、ゲ〖トに砷排暗をかけなければオフできないノ〖マリオン房になってしまうが、カスコ〖ド儡魯することによって、ゲ〖トに砷の排暗をかけなくてもキャリア(排灰)をオフできる。驕丸のSiC MOSFETだと僥房菇隴であってもMOSのチャンネル撾拌を奶冊する。SiCはチャンネル敗瓢刨がSiの1/10鎳刨と井さいためチャンネル鳥鉤喇尸が絡きくなり、オン鳥鉤が布げられなかった。パワ〖JFETだと、答饒のドレインから山燙のソ〖スまで僥數羹にバルクを帕わって排萎が萎れるため、MOS菇隴ができておらずオン鳥鉤が井さい。
哭3 SiCパワ〖JFET懼にSiMOSFETをカスコ〖ド儡魯してスタック 叫諾¨UnitedSiC
驕丸のSiCパワ〖MOSFETだと、650V/600Vの瀾墑が驢いが、海攙のJFETのようにわずか100Vでも光い數がマ〖ジンを橙絡でき蝗いやすい。400V/500Vのバス排暗を蝗うような炳脫(デ〖タセンタ〖など)では600Vでさえマ〖ジンが豆い。
SiC JFETはかつてInfineon TechnologiesがSi MOSFETをカスコ〖ド儡魯させたSiC パワ〖JFETを倡券していたが、コストが光賄まりしてユ〖ザ〖に飛斌されたという鵝い沸賦があった。このため呵奪のInfineonはSiC MOSFETに礁面している。
そこで、UnitedSiC家は、Si MOSFETとSiC JFETをスタック菇隴にして哭3のようにボンディングワイヤ〖で儡魯、1パッケ〖ジに烹很することで、コスト懼競を娃えた。これによって、菇隴が剩花だが拉墻が庭れたプレミア房Siのス〖パ〖ジャンクションMOSFETと票霹の擦呈掠に娃えることができたとDries會は胳っている。
このSiCパワ〖FETは、瞥奶祿己もスイッチング祿己も驕丸のデバイスよりも警なく、かつ750Vという光卵暗步が材墻になり、しかも0×12Vのゲ〖ト排暗でドライブできるため蝗いやすくなった。
この馮蔡、EV脫のオンボ〖ドチャ〖ジャ〖やDC-DCコンバ〖タなどの炳脫羹けに勢柜輝眷で何脫され、叫操しているという。オンボ〖ドチャ〖ジャ〖は攙欄ブレ〖キをかけた箕や蛤萎で郊排するような眷圭にバッテリを郊排するための攙烯であり、DC-DCコンバ〖タは辦忍に300V×350Vの光排暗になるようにLiイオンセル排暗を木誤ˇ事誤に儡魯しバッテリパックを菇喇するが、この光排暗から12Vあるいは5Vに恃垂するために蝗われる。しかも呵奪では300Vよりももっと光い400V/500Vなどの排暗が浮皮されており、海攙の750V卵暗のパワ〖トランジスタが司まれる。
EVだけではない。デ〖タセンタ〖では叼絡なサ〖バ〖脫の排富が澀妥なため、やはり光排暗が滇められ、しかも臼エネの囪爬から跟唯の光さも滇められる。排富には、蝸唯猖簾ト〖テムポ〖ル攙烯やDC-DCコンバ〖タが蝗われているが、糠房コロナによるWFH∈Work form Home∷やテレワ〖クによって、デ〖タセンタ〖見妥が籠えているという。さらにソ〖ラ〖システムでも秒粗に券排した排蝸を餐俐に提すためのインバ〖タに裁え、眠排脫のバッテリシステムへの郊排攙烯にも海鉗から叫操されるようになった。
海攙の瀾墑は票家にとって媽4坤洛に碰たり、プレ〖ナ菇隴からトレンチ菇隴に敗乖したことでバルクJFETのセル泰刨を懼げ、你いオン鳥鉤を悸附したという。
UnitedSiC家は、勢ニュ〖ジャ〖ジ〖劍のRutgers絡池からのスピンオフで1999鉗に肋惟され、SiCプロセス倡券を乖っていたが、2009鉗に彈度踩に均畔され、ビジネスが幌まった。プリンストン官嘲にパイロットラインのクリ〖ンル〖ムを侯りSiCプロセスを澄惟、ファウンドリに敗啪できるようにした。ファウンドリがラインを菇蜜した箕爬で、UnitedSiCはファブレスになり、瀾墑肋紛やカスタマサポ〖トに礁面できるようになった。
