TI、GaN-on-Si禱窖でドライバと瘦割攙烯を礁姥したパワ〖ICを瀾墑步
Texas Instrumentsは、ドレイン-ソ〖ス卵暗600V/650VのGaN HEMTパワ〖トランジスタにドライバ攙烯や瘦割攙烯を礁姥した瀾墑を券卿した(徊雇獲瘟1)。排丹極瓢賈∈EV∷のオンボ〖ドチャ〖ジャ〖やDC-DCコンバ〖タに蝗えば驕丸のボ〖ドよりも50%サイズを井さくできるとしている(哭1)。ただし、インバ〖タを瓢かすような絡(luò)排蝸脫龐ではない。
哭1 GaNパワ〖瀾墑のオンボ〖ドチャ〖ジャ〖やDC-DCコンバ〖タなどへの烹很を晾う 叫諾¨Texas Instruments
糠瀾墑≈LMG3525R030∽は、GaN HEMTパワ〖パワ〖トランジスタに、ドライバ攙烯や冊排萎や裁錢を松ぐための瘦割攙烯を礁姥している。いわばGaN on Si禱窖を蝗っている。補(bǔ)刨センサやゲ〖トを額瓢するためのドライバ檬攙烯をシリコン嬸が么碰し、GaNパワ〖トランジスタ嬸尸とは尸違しているという。パワ〖トランジスタとドライバアンプˇ瘦割攙烯とは、Co-package∈辦つのパッケ〖ジ∷に掐れている、と票家光排暗パワ〖嬸嚏GaN瀾墑マネ〖ジャ〖のSteve Tom會∈哭2∷は揭べている。パワ〖トランジスタの潑拉は、呵も你いオン鳥鉤が30mΩで卵暗650Vの瀾墑である。パッケ〖ジは、12∵12mmのQFN。呵絡(luò)4kWの排蝸を胺える。
哭2 Texas Instruments家光排暗パワ〖嬸嚏GaN瀾墑マネ〖ジャ〖のSteve Tom會
GaNトランジスタは掐蝸と叫蝸の柒嬸キャパシタンスが井さくなるため光廬スイッチングができる。このため、排富攙烯でのコイルLやキャパシタ∈コンデンサ∷Cを井さくできるというメリットがある。スイッチング祿己と瞥排祿己、嫡攙牲の祿己などが井さいため、DC-DCコンバ〖タやAC-DCコンバ〖タ、蝸唯猖簾攙烯などの排蝸跟唯を懼げることができる。呵絡(luò)99%が材墻だという。
このGaN-ICは、クルマ脫だけではなく、5G奶慨答孟渡のサ〖バ〖やデ〖タセンタ〖などの排富にも蝗えるとして、AC-DCコンバ〖タのPFC∈蝸唯猖簾攙烯∷や光暗コンバ〖タなどに蝗っても跟唯は99%だという。刪擦ボ〖ドも郊悸しており、この瀾墑を烹很したド〖タ〖カ〖ドLMG3525EVM-042には、650V、30mΩのGaN HEMT2改で菇喇されたハ〖フブリッジに裁え、パワ〖トランジスタに磅裁するバイアス攙烯やロジック/排富レベルシフト攙烯も烹很している。
ただし翁緩墑は600VのGaN HEMT瀾墑4鹼梧で、1000改減廟箕の帽擦は8.34ドルから14.68ドルまで。それぞれの刪擦ボ〖ドは鏈て199ドル。GaNパワ〖トランジスタの舍第を裁廬させそうだ。
徊雇獲瘟
1. 賈很怠達(dá)羹けに、ドライバ、瘦割攙烯や墻瓢弄な排蝸瓷妄怠墻を礁姥した度腸介のGaN FET瀾墑ポ〖トフォリオを券山
