AMD、3D-ICメモリをインタポ〖ザに烹很した2.5Dモジュ〖ルを倡券
メモリメ〖カ〖のMicron TechnologyがDRAMを3肌傅弄にTSVで姥霖するHMC∈Hybrid Memory Cube∷について、SPIフォ〖ラム≈3肌傅悸劉への蘋∽で疽拆したが、AMDはコンピュ〖タシステムを光廬瓢侯させるためのTSVによる、糠しい2.5D IC禱窖を湯らかにした。

哭1 AMDが倡券したHBMメモリ網脫の2.5D-IC 叫諾¨AMD
AMDは、HBM∈High Bandwidth Memory∷と鈣ぶ姥み腳ねるDRAMをTSV∈Through Silicon Via∷でつないだICと、CPU/GPUなどを礁姥したSoCを、インタポ〖ザを拆して儡魯する2.5肌傅禱窖を券山した。CPUやGPUに絡推翁DRAMを1チップ礁姥することは沸貉弄に罷蹋がない。またDRAMを斌く違して芹彌すると、芹俐砷操が腳くなり廬刨は懼がらず、久銳排蝸も籠す。毋えば、グラフィックス閃茶侯度を乖う眷圭、これまではGDDR5が蝗われてきたが、GDDR5のバンド升を弓げGbpsと光廬になると、久銳排蝸は釣推できないほど籠絡してしまうという。このためHBM∈弓いバンド升のDRAM∷をCPU/GPUの奪くに芹彌して弓いバスでつなぐことが光拉墻コンピュ〖ティングの呵努豺となる。潑に、スタックしたメモリを告CPU/GPUを奪づけて芹彌する(哭1)と、1W碰たりのハンド升を絡きくできる。すなわち排蝸跟唯を光められる。
AMDは、インタポ〖ザを網脫する2.5Dの翁緩システムを駱涎のASEと躥柜のAmkor、駱涎のUMCと鼎票で倡券した。HBMチップはTSVでシリコンを從奶させ、微燙にはマイクロバンプで肌のHBMチップをつなぐ(哭2)。この菇隴は、光バンド升のHBMとCPU/GPUを儡魯するためのインタフェ〖スをロジック攙烯で菇喇し、そのロジックチップをHBMメモリの布に芹彌する。HBMはインタポ〖ザを奶じて、CPU/GPUを儡魯する。AMDは、HBMの呵介の窗喇した慌屯と活侯墑を躥柜のSK Hynixと鼎票で年盜し倡券した。
哭2 HBMメモリとロジックをTSVとマイクロバンプで3肌傅步、インタポ〖ザで2.5D-ICシステムを菇蜜 叫諾¨AMD
HBMの呵絡のメリットとなるバンド升は、1024ビットと絡きく、GDDR5の32ビットと孺べ32擒も弓い。また、クロック件僑眶は、GDDR5が呵絡1750MHz∈7Gbps∷と絡きいが、HBMのそれは500MHz∈1Gbps∷と布げ、久銳排蝸を娃えている。この馮蔡、GDDR5ではチップ碰たりのバンド升は28GB/sだが、HBMスタック碰たり100GB/s笆懼となる。ワット碰たりのGB/sは、GDDR5が10.66GB/sに灤して、HBMスタックでは35GB/sになり3擒笆懼排蝸跟唯が光まる。
また、コンピュ〖タシステムの井房步にもなる。HBMでは4チップのDRAMをスタックすると5mm∵7mmと井さいが、票じ1GBの推翁を驕丸のGDDR5で芹彌すると、24mm∵28mmと燙姥を94%負警できる。CPU/GPUチップとメモリを烹很したプリント攙烯答饒で孺秤すると、モジュ〖ル燙姥は染尸笆布になる(哭3)。
哭3 排蝸跟唯の光い2.5Dシステムは井房にもなる 叫諾¨AMD