図1　ゲーム機と�c�擇��j(lu┛)きな�x場

スパンションが開発してきたMirrorBit�\術は、MNOS（metal nitride oxide semiconductor）構�]を�W(w┌ng)��しセル内の2ヵ所に電荷を�Qめる��(sh┫)式のフラッシュメモリーであり、�擇泙譴覆�らに2ビット/セルという��長を�eっている。この�\術の基本構�]を発��したイスラエルのサイファンセミコンダクタ（Saifun Semiconductor）社はNROM構�]と�@��けていたが、このサイファンを�A収したスパンションはセル構�]やプロセス�\術を改良し、MirrorBit�\術と�@�iを変えた。

NOR型フラッシュはメモリーセルが並�`接��しているため書き込み・読み出し共にNANDよりも高�]で、NANDフラッシュでは�]度的に�療��]ちできない分野に使われている。最も古くからある応��はコンピュータや組み込みシステム向けのBIOSである。何�vか書き直す?ji└)�要がある�屬坊搬單��Bなどの組み込みシステムやコンピュータの立ち�屬欧��]くしたいため、マスクROMやNANDでは実現が�Mしい。最�Zではゲーム(日本ではパチンコと言われている)分野にも�j(lu┛)容量の1Gビット、2Gビットの����が使われるようになってきた。

ゲーム応��は小容量の時代にはマスクROMが主��だったが、ゲームに美しいグラフィックスを採り入れたり、長いストーリーを収容したりするなどによって�j(lu┛)容量化が求められるようになってきた(図1)。�j(lu┛)容量ゆえにバグが入る確率が高くなり書き直す?ji└)�要に��られるほか、ゲームの試作サンプルを�k�鞆x場に出し様子をみてからプログラムし直す、ということで書き換え可�Δ淵瓮皀蝓爾箸靴�NORフラッシュが求められるようになっているようだ。もちろんNANDと違ってランダムアクセスが可�Δ箸いΔ海箸�NORを使う理�y(t┓ng)となっている。

NORフラッシュは高�]な�屬法⊃�頼性が高いことも��長だとしている。NANDフラッシュは�j(lu┛)容量が最�j(lu┛)のメリットであるため、メモリーを読み出すのにECC（誤り�ﾙ��v路）を�~使してビットエラーを抑えている。容量が�j(lu┛)きくなるにつれ、ECCに使うメモリービット数も�\えてしまう。また1ビットエラーだと�ﾙ�しやすいが2ビットエラーが同時に��きるとECCではエラー�ﾙ�は�Mしい。加えてマルチビット/セルは�Mしい。1、0の高レベル・低レベルを2ビット/セルなら4つのレベル、3ビット/セルだと8レベルに分割しなければならず、電圧マージンが狭くなる。例えば3ビット/セルなら0V〜3Vを8分割するのである。ちょっとしたノイズが加わると電圧が��らいだり、レベル検出を間違えたりしやすくなるためECCは�L(f┘ng)かせない。

今�v65nmプロセスによりゲーム以外の����も�\えてきたため、64Mビット未満から64M、128M、256M、512M、1G、2Gといった����のラインアップを揃える(図2)。さらに�j(lu┛)容量を求める����に�瓦靴討�2011�Q中に3Dグラフィックスゲーム��に4Gビット��を導入する��画だ。

図2　ピン互換性を保ち性�Δ��屬欧�

低容量の����は中国におけるワイヤレス�x場だ。エントリーレベルの携帯電�BにGL-Sシリーズを使い64M未満から256Mビット��まで揃えていく。

GL-Sシリーズは、電源電圧は3V単�kで動作し、性�ε�には高�]ページ読みだし�]度が98.5Mバイト/秒と��合他社よりも45%�]いとしている。書き込みのプログラム時間も1.2Mバイト/秒と�i世代のGLシリーズよりも6倍�]く、消去時間は655Kバイト/秒という。チップのセキュリティを守るため、OTP（1�vしか書き込めないROM）によるシグネチャー（電子サイン）機�Δ箸靴�1Kビット分を確保している。新シリーズは、BGAパッケージで9mm×9mmと43%小型化したが、ボールピッチやボールマトリクス、ボール径、高さは��く変えていない。このため、これまでGLシリーズを使っていたボード�屬�NORフラッシュをそっくりそのまま�Dり��えることができる。

スパンションは、エルピーダと提携しNANDフラッシュも�}�Xける。それも残�T�v�W(w┌ng)益を採りに行く。同社マーケティング担当バイスプレジデントのアボ・カナジアン（Avo Kanadjian）��(hu━)によると、サムスンが�攵�を中�Vした1ビット/セル構�]の4GビットNANDフラッシュにはまだニーズがあり、低容量・高����の応��を狙っていく。顧客サーベイによって組み込み�Uユーザー向けにNANDフラッシュの����があることを見つけた。この�x場にはエルピーダの広��工場をファウンドリとして、43nmプロセスを使い�攵�していく。同��(hu━)は、もしエルピーダ1社で��いきれない場合には他のファウンドリも使う予定だとしている。

スパンションはデジタルテレビや�Z載ダッシュボードなどの����に、シリアルアクセスのSPI（serial peripheral interface）モードの����にも��を入れる。これはシリアルアクセスするようなストリーミングデータを少ないピン数で読み出すのに適している。同��(hu━)によると、�O動�Z分野では高集積なSPIインターフェースを求めるという。リコールがあったときにエンジンの�X��などストリームデータをSSDに読み込むのに使うとする。かつてのシリアルアクセスモードのメモリーは少容量だったが、最�Zでは�O動�Zや�噞��、医����などの分野が高集積なSPIインターフェースのNORフラッシュを求めるとしている。

65nmプロセスを使ったGL-Sシリーズの����は、��(sh━)国テキサス�Ε�ースチンのFab25　200mmラインと、中国SMICの300mm��漢工場で�攵�する。

同��(hu━)によると、NANDフラッシュを推進するサムスンやマイクロンはコモディティ����であり、顧客�官�は気にしないが、スパンションは顧客との関係を�_��し、予�R可�Δ�������要を捉えることができるため、収益性は高いという。