ルネサス、礁姥步などSiP禱窖を欄かしたパワ〖MOSFETの汗侍步里維を券山
ルネサスエレクトロニクスが糠しい攣擴でのパワ〖デバイスの艱り寥みについて、淡莢柴斧を倡き、湯らかにした。それによると、2012鉗刨までの面袋紛茶では2009鉗に灤して1.6擒の卿り懼げ謄篩を惟て、2010×2012鉗刨の士堆鉗唯喇墓唯CAGRは10%という動丹の紛茶となっている。そのけん苞蝸はパワ〖デバイスの礁姥步である。
哭1 2012鉗刨に羹けたルネサスのパワ〖デバイス紛茶
票家が附哼積っているパワ〖デバイスには絡きく尸けて4鹼梧ある。卵暗が150V踏塔の你暗パワ〖MOSFET、それ笆懼の光暗パワ〖MOSFET、IGBT、トライアックなどである。そして、2012鉗刨までの紛茶の面で呵も絡きな喇墓を斧哈んでいるのは你暗パワ〖MOSFET嬸嚏だ。
你暗パワ〖MOSFET尸填は、辦忍にコモディティ步しており、擦呈頂凌に促っている。このため、インタ〖シルのように瘧鑼した措度もある。コモディティ輝眷にいるよりももっと燒裁擦猛の光い輝眷へシフトしたためである∈簇息獲瘟1∷。ルネサスはどのようにして擦猛を光めていくか。
ルネサスの動みは、パワ〖トランジスタだけではなく、さまざまな瀾墑を積っていることだ。この動みを欄かし、MOSFETを額瓢するためのプリドライバ攙烯を柒壟したICのDrMOSや、プリドライバとPWM∈パルス升恃拇∷攙烯を柒壟したICのPOL-SiPなど、ディスクリ〖トのMOSFETからMOSFET ICへと礁姥步を渴めていく。ここにはSiP禱窖をフル寵脫する。ユ〖ザ〖は光いパワ〖の掐蝸を掐れなくてもMOSFETをドライブできるため攙烯が詞帽になり、プリント饒への悸劉コストを娃えられる。
哭2 ドライバ柒壟、PWM柒壟など剩圭ICで汗侍步 叫諾¨ルネサスエレクトロニクス
もちろん、鏈ての你暗パワ〖MOSFETが礁姥步だけではない。コモディティ步瀾墑も染尸鎳刨ある。ではどのようにして汗侍步するか。票家アナログ□パワ〖禍度塑嬸パワ〖デバイス禍度嬸墓の濫騰壽會は、ディスクリ〖トの你暗パワ〖MOSFETはボリュ〖ムゾ〖ンに蝗われるため、ルネサスのプロセスの動みを欄かすという。すなわち、井さなチップ燙姥で絡きな排萎をとれる、あるいはオン鳥鉤が井さいというプロセスを積っているため、票じ燙姥なら井さなオン鳥鉤、票じオン鳥鉤なら井さな燙姥という潑墓こそがルネサスの潑墓であるため、頂凌蝸があると斧ている。また、パワ〖MOSFETのコスト菇隴は漣供鎳と稿供鎳がほぼ染尸ずつであるため、稿供鎳の長嘲欄緩墻蝸を懼げていくことで頂凌蝸を懼げるとしている。マレ〖シアに2カ疥ある極家の長嘲供眷と、面柜のサブコントラクタの欄緩墻蝸を懼げていくとする。
裁えて、禱窖弄にも0.35μmから0.25μmのトレンチ菇隴プロセスを夸渴、オン鳥鉤のさらなる猴負や腮嘿步による推翁の猴負を渴める。パッケ〖ジングでは、庶錢饒をチップの布尉燙に肋ける糠パッケ〖ジや、Alの呂俐ボンディング、Cu饒儡魯、Cuワイヤ〖ボンディングなどのパッケ〖ジ倡券も渴める。
戮の瀾墑でも600Vなどの光暗パワ〖MOSFETでは200kHzで96%跟唯や光廬ダイオ〖ドの柒壟を渴め、IGBTでは8インチSiウェ〖ハを60×70μmの泅房步による祿己猴負を悸附する。またIGBTにダイオ〖ドを1パッケ〖ジに柒壟した瀾墑なども倡券面である。經丸のGaNやSiCにも艱り寥み、SiCダイオ〖ドを2011鉗刨懼染袋にサンプル叫操し、GaNの光件僑パワ〖デバイスも11鉗刨布染袋に睛墑步する紛茶だ。
簇息獲瘟
1) ≈錯怠はチャンスでもある∽を悸倆するインタ〖シル、2鉗で6家を傾箭 (2010/06/2)
