図1　2012�Q度に向けたルネサスのパワーデバイス��画

同社が現在�eっているパワーデバイスには�jきく分けて4�|類ある。耐圧が150V未満の低圧パワーMOSFET、それ以�屬旅皸汽僖錙�MOSFET、IGBT、トライアックなどである。そして、2012�Q度までの��画の中で最も�jきな成長を見込んでいるのは低圧パワーMOSFET�靆腓澄�

低圧パワーMOSFET分野は、�k般にコモディティ化しており、価格��争に陥っている。このため、インターシルのように����した企業もある。コモディティ�x場にいるよりももっと��加価値の高い�x場へシフトしたためである（関連�@料1）。ルネサスはどのようにして価値を高めていくか。

ルネサスの�咾澆蓮▲僖錙璽肇薀鵐献好燭世韻任呂覆�、さまざまな����を�eっていることだ。この�咾澆��擇�し、MOSFETを�~動するためのプリドライバ�v路を内�鼎靴�ICのDrMOSや、プリドライバとPWM（パルス幅変調）�v路を内�鼎靴�ICのPOL-SiPなど、ディスクリートのMOSFETからMOSFET ICへと集積化を進めていく。ここにはSiP�\術をフル����する。ユーザーは高いパワーの入��を入れなくてもMOSFETをドライブできるため�v路が�~単になり、プリント��への実�▲灰好箸鰺泙┐蕕譴襦�

図2　ドライバ内�邸�PWM内�鼎覆品９�ICで差別化　出�Z：ルネサスエレクトロニクス

もちろん、��ての低圧パワーMOSFETが集積化だけではない。コモディティ化����も半分��度ある。ではどのようにして差別化するか。同社アナログ＆パワー��業本�陬僖錙璽妊丱ぅ控�業�霙垢��E�v����は、ディスクリートの低圧パワーMOSFETはボリュームゾーンに使われるため、ルネサスのプロセスの�咾澆��擇�すという。すなわち、小さなチップ�C積で�jきな電流をとれる、あるいはオン�B�^が小さいというプロセスを�eっているため、同じ�C積なら小さなオン�B�^、同じオン�B�^なら小さな�C積という��長こそがルネサスの��長であるため、��争��があると見ている。また、パワーMOSFETのコスト構�]は�i工��と後工��がほぼ半分ずつであるため、後工��の�L外�攵��ξ�を�屬欧討い�ことで��争��を�屬欧襪箸靴討い襦�マレーシアに2カ所ある�O社の�L外工場と、中国のサブコントラクタの�攵��ξ�を�屬欧討い�とする。

加えて、�\術的にも0.35μmから0.25μmのトレンチ構�]プロセスを推進、オン�B�^のさらなる削��や微細化による容量の削��を進める。パッケージングでは、放�X��をチップの下両�Cに設ける新パッケージや、Alの�寮�ボンディング、Cu��接��、Cuワイヤーボンディングなどのパッケージ開発も進める。

他の����でも600Vなどの高圧パワーMOSFETでは200kHzで96%効率や高�]ダイオードの内�鼎鮨覆瓠�IGBTでは8インチSiウェーハを60〜70μmの薄型化による��失削��を実現する。またIGBTにダイオードを1パッケージに内�鼎靴�����なども開発中である。��来のGaNやSiCにも�Dり組み、SiCダイオードを2011�Q度�嵌彰�にサンプル出荷し、GaNの高周�Sパワーデバイスも11�Q度下半期に商��化する��画だ。

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1) 「�e機はチャンスでもある」を実�zするインターシル、2�Qで6社を�A収 (2010/06/2)