加]電圧の広いイオンR入をAxcelisが開発
Axcelis Technologies社は、加]エネルギーJ(r┬n)囲が500eVから4MeVと広いイオンR入Optima XEをセミコンジャパン2007で発表した。CMOSデバイスの深いウェルやツインウェルの形成に高い加]エネルギーを要とするほか、イメージセンサーのCCDやNORフラッシュメモリーにも使われる。
![加]電圧の広いイオンR入をAxcelisが開発](http://m.589173.com/archive/editorial/technology/img/TFC20071213_02a.jpg)
今vのイオンR入は、式でスループットが400/時と高い。来のイオンR入はバッチ処理とはいえ、スループットはむしろく、230/時度だという。それは、j(lu┛)きな盤屬13度のウェーハを載せ、盤をvしながらウェーハにイオンをR入していくが、オーバーヘッド時間が無できないためにスループットはそれほどj(lu┛)きくなかった。
今vの式では、イオン源から出たいろいろなイオンをアナライザ、フィルタを通してR入したいイオンだけを分`し、その後加]するまではこれまでと変らないが、ウェーハにイオンを照o(j━)する仕組みが新しい。加]したビームを1000Hzの電振動によってスイングさせ、ウェーハに照o(j━)するビームをスキャンさせる。ただし、そのiに帯電によるダメージを防ぐため、プラズマフラットガンにより電荷を中和しておく。さらに、ビームが均kになるようにしたあとにウェーハに照o(j━)する。ウェーハへの照o(j━)角度はユーザーが調Dできる。
のoC積は来のよりも少しj(lu┛)きいという。式のためのスキャニングステージを{加したためだと、している。
Axcelis社は、これまで世c中にイオンR入を550以屐販売してきたが、今vの加]エネルギーの広いイオンR入を投入することで、さらにx場シェアを確実にしていきたいとしている。