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これまでAviza社はバッチ式のALD����をDRAM向けに出していたが、このCelsior FXPは45nmプロセス以�Tのロジック�Uで使われるHfOやHfSiO�Uのゲート絶縁膜形成を狙っている。加えて、フラッシュメモリーの電荷記憶�霾�が��来の浮�^ゲートからONO膜を�W(w┌ng)��する電荷トラッピング膜（Nの�霾�）へと�\術が変わりつつある。このような����を狙う。

AvizaはこのALD����のガス噴き出し口を二つ設け、デュアル吹きつけ構成にし、スループットを確保した。ゲート絶縁膜の応��では、Hfと��素の割合を20%から80%まで変えられるだけではなく、シリコン�c�Cからゲート金�錣妨�かって少しずつ変えていくことも可�Δ世箸い�。つまり膜の構成をチューニングできることが他社との差別化できる点だとしている。

以�iは1原子層ずつの�\積だったために、ゆっくりとした成膜しかできなかったが、今�vはデュアルインジェクション��(sh┫)式のためスループットが�屬�ったとしている。ただし、条�Pによってウェーハ処理��数が��く違うため、単位時間当たりのウェーハ数については言及しないが、確実にスループットは�屬�ったという。

ゲートメタルはシリコンとメタルとの仕��関数の差が、ゲートしきい電圧に関係しているため、ゲートメタルの組成構�]（ストイキオメトリ）を変えながらしきい電圧を調�Dしていく��要がある。N+、p+のゲートメタル材料の組成構成にも�~効になるとみている。