ARMがIBMコモンプラットフォームとの共同開発の詳細を��らかに
英ARM社は��IBM社のコモンプラットフォームチームと共同でフィジカルIP����を開発し、それをライセンス供与することを9月30日に発表していたが、その詳細をARMフォーラム2008で��らかにした。ARMのようなIPを供与するというビジネスが実際のファウンドリなど半導�����]チームと直接、�}を組むという例はこれまでになかった。
ARMのフィジカルIP開発チームはかつて�A収したArtisanのチームであり、Cortexシリーズなどのプロセッサコアだけではなく、IPそのものもロジックライブラリやメモリーコンパイラ、GPIO/SPIO、高�]インターフェースIPなど�H岐にわたるIP����を�eっている。IPコアは�b理設��が終わるRTLレベルではなく配��配線を終えたフィジカルIPをシリコン�屬覇虻遒魍稜Г靴覆韻譴丱罅璽供爾忙箸辰討發蕕┐覆ぁ�これまでの65nm、45nmで動作したからとはいえ、32nmあるいは28nmで動作するという保証は何もない。このため実際に32nm/28nmのプロセスを開発しているIBMのコモンプラットフォームのチームと�k緒に動作を確認し、動作するIPをライセンス供与するというもの。だからこそ、フィジカルIPはプロセス�\術と深く関係する。
ARMのプロセッサコアが、低消�J電��の下での性�Ω��屬肇船奪��C積の低��に�R��して開発されてきたと同様に、プロセッサ以外のフィジカルIPについても低消�J電��の下で性���{求とチップ�C積低��の�{求が��徴となっている。�l富なIPライブラリを�擇�し、プロセッサからボンディングパッドまでSoCを設��することをARMは�Y榜する。
9月30日に発表した内容は、「32nmプロセスではHigh-kメタルゲート�\術でトランジスタを設��し、それを2009�QにフィジカルIPを提供できるようにしていく。しかもフィジカルIP群は28nmまでスケーリング可�Δ砲垢襦廖△箸いΔ海箸澄�����的には、45nmまでの��来プロセスではポリシリコンゲートのSiONゲート絶縁膜をベースにしたトランジスタのIPだったが、これをHigh-kメタルゲートの�Y��プロセスすなわちファウンデーションIPに変えていく。さらにはフィジカルIPを最適化し、RTLレベルのコアと実行可�Δ淵侫蹇爾盧播�化し、エンハンストIPへとさらに��長を出していく。このようにして、ARMゆえの最適な消�J電��や性�Α▲轡螢灰��C積へと実現する。
�k�気�IBMは、これまでのアライアンスにおいてHigh-kメタルゲート�\術を使った32nmのSRAMテストチップを作っている。SRAM�v路はメモリーだけではなくロジックチップのレジスタやFIFOなどさまざまな�k時記憶的に使われることが�Hいため�_要な基本�v路の�kつだ。IBMの32nm�\術は、High-kメタルゲートのほかに、先端の歪�\術、配線��にはLow-k絶縁膜、高NA�W��の193nm�]浸リソグラフィなどから成る。この�\術によって、45nmノードと比べ消�J電��は40%削��しながら性�Δ�30%�屬欧襪海箸�でき、しかもSRAMに適��すると読み出し電流、リーク電流、VtをポリSi/SiONよりも改��できるとする。しかもプロセスが単純になるゲートファースト�}法を�W��し、IPの共同開発によりできるだけすぐに32nm����のシャトル�攵�を�`指す。
現在、デザインルールチェック、�v路性�Δ半嫡J電��について共同検討中であり、32nmのテストチップを使って現実的な設��を行っている。Cortex-M3コアとローカルI/O,メモリーを�△┐織廛蹈札奪�5個と、Pandoraと�}ぶテストパターン�v路、JTAG、クロックなどから成る。Pandoraには、レベル2キャッシュコントロールやレジスタからL2RAM、ALU、RAMからL/SレジスタなどのARM1176のクリティカルパスオシレータ（10~20ゲート分でリングオシレータ群を構成）、MOSFETアレイ、メモリーアレイ、��命試�x��構�]などを含む。
ARMフォーラムではIBMからもコモンプラットフォームについての詳細が��らかになった。歪シリコン、Cu/Low-k材料、High-kメタルゲート、エアギャップなど��来につながる�_要な�\術を開発したIBMと、微細化�\術でITRSよりも��れをとってしまったチャータードセミコンダクタが�{い��き�{い越すために協��して始めたのがコモンプラットフォームプロジェクトだと同社の日本法人アカウントセールス�霙垢了巛傾阿聾譴襦�
今、JDA（Joint Development Alliance）と�}ばれるチームは二つあり、先端半導��の研�|開発（Advanced Semiconductor R&D）プロジェクトと�\術開発(Technology Development)プロジェクトである。先端半導��研�|開発は、ニューヨーク�Ε▲襯丱法璽淵離謄�センターで行われ、革新的な高集積デバイスとプロセス�\術を開発する。アプライドマテリアルズとASML、東�Bエレクトロンの����開発チームと、IBM、AMD、フリースケール、STマイクロエレクトロニクス、東��、NECが参加している研�|チームがある。より����に�Zい�\術開発は、IBMのイーストフィッシュキル工場を中心に複数の企業が共同開発するもの。バルクチームにIBM、チャータード、インフィニオン、サムスン、フリースケール、ST、東��、NECが参加し、SOIチームにIBMとAMD,フリースケールが参加している。
もう�kつのCDA（Common Platform Development Alliance）は����に直�Tした�\術プロジェクトで、マスクレベルのGDS II互換性のあるプロセス�\術を開発する。バルクチームにIBMとチャータード、サムスンが参加し、SOIチームにはIBMとチャータードがかかわっている。開発はそれぞれ�盜顱▲轡鵐�ポール、�f国で行われている。
