図1　GSA Memory+ Conferenceの冒頭でGSAの役割について述べるCEOのJodi Shelton��　出�Z：GSA Memory+ Conferenceからスクリーンショット

メモリが新しいフェーズに入ったと述べたのは、�f国SK HynixのCEO兼社長のSeok-Hee Lee��。デジタルトランスフォーメーション（DX）時代のメモリメーカーはますます�_要な役割を担うとして、これまでの高集積・高�]・低消�J電��といった��(sh┫)向から、今や社会問��の解��にメモリが�_要になっていると語る。そこで3S（Scaling、Social、Smart）という言��で現在これからの��(sh┫)向を表現した。Scalingは��来の��長の高集積や高�]化の進化であり、Socialはそれをさらに進めた省エネや価値の向�屬箸い辰深榲戮鯢修后�そしてSmartこそがDX向けの新しいメモリ�\術になるとして、ロジックも含めてシステムを見直す時期に来たとする。

��に、これまでのCPU中心のアーキテクチャからメモリ中心のアーキテクチャへの流れが加�]するという（図2）。さまざまなシステムがスマートになり、��てのデバイスがAIとも通信でつながっていくが、そういったシステムの63%がメモリになると述べた。メモリ中心のアーキテクチャでは、CPUとほぼ�k��化するようなメモリ構�]になるという。

図2　CPU中心からメモリ中心へ　出�Z：GSA Memory+ Conferenceからのスクリーンショット

ストレージに関しても、NANDフラッシュを使ったSSD（半導��ディスク）がHDD（ハードディスク����）を��き換えが進んでいるが、低消�J電��のPLC（5ビット/セル）/QLC（4ビット/セル）のSSDをHDDに��き換えると消�J電��は93%下がるとLee��は述べた。もし2030�QまでにHDDを��てSSDに��き換えると4100万トンのCO2削��(f┫)になると見積もっている。

CXLがデータセンター構�]を変革する

Micron Technologyの�\術開発担当のシニアVPのNaga Chandrasekaran��もやはり、メモリがカスタマエクスペリエンスを変えていくと述べ、��来のCPU中心のアーキテクチャのボトルネックを解消するのがDRAMとSCMの間に来るCXL（Compute Express Link）インターコネクトでつながるメモリだと語った（図3）。元々CXLインターコネクト��格はMicronが推進してきたオープンスタンダードであるが、CXLにはメモリメーカー��てが�R�`している。��に、��日のデータセンターの構成を変えていくと見込まれている。

CXLは、PCIeインターフェースをベースにした新しいインターコネクト�\術で、メモリを�j(lu┛)量に接��できる構成が��長で、インターコネクトのスイッチの役割を果たす。��来のバス構成だと、バス��合が��きやすいため却ってアクセス�]度が��れてしまう。それを�cけるため、スイッチングで調�Dするという�lだ。CPUやGPUコアを�j(lu┛)量に接��する場合もインターコネクトにスイッチング�\術を適��して、��にスーパーコンピュータやHPC（High Performance Computing）などで�j(lu┛)量のCPUやGPUを接��できるようにしている。SmartNICや富�tのTofuインターコネクトなどのスイッチファブリックのように、�j(lu┛)量のメモリが使えるようにしようという��格である。

6月30日、Micron Technologyは、ユタ�Ε蝓璽魯い砲△襯瓮皀蟾�場を15億ドルでTexas Instrumentsに売却すると発表した。そこでは3D-Xpointメモリを�攵�していた。つまり3D-Xpointメモリも�攵�を�Vめるということである。その真�Tは、どうやらCXLインターコネクトにありそうだ。3D-Xpointメモリの�x場が当分見込めないが、CXLインターコネクト��格で�j(lu┛)量のメモリを接��することでシステム性�Δ硫���が見込める。

3D-NORフラッシュもCXLメモリの�t��に

��湾のNORフラッシュを推進するMacronix InternationalのチーフサイエンティストのKC Wang��は、CXLはフラッシュメモリに向くと述べた。メモリを�j(lu┛)量に使うCXLではメモリ中心のコンピューティングの�kつとして位��づけられ、NANDフラッシュよりも高�]なNORフラッシュにも�Oが開かれている。それが3D-NORである。

��来のNORフラッシュメモリは微細化に限�cがあり、40nm以下が�Mしく高集積化もできなかった。ところが、3D-NAND�\術をNORに適��すればGビットクラスも可�Δ世箸靴討い襦平�3）。

図3　3D-NORフラッシュが可�Δ法―儘Z：GSA Memory+ Conferenceからのスクリーンショット

3D-NORであれば、少なくとも�e�`接��のNANDよりは並�`接��のNORの��(sh┫)が高�]であり、SCM（Storage Class Memory）としての�t��になりうる。もちろん、1ビット/セルのNANDフラッシュもSCMの�t��である。

SamsungのCXLメモリモジュール

SamsungはすでにCXLメモリエキスパンダーと�}ぶ����を2021�Q5月に発表している。GSA Memory+ Conferenceでもこの�^真を見せた。この����にはDDR5 DRAMメモリモジュールを搭載しており、これを�j(lu┛)量に接��するとテラバイト容量まで拡張でき、しかもシステムのレイテンシを下げることができる。データセンター内で�j(lu┛)量のメモリを使う、AIやHPCなどの応��に向く。

図4　SamsungのCXLメモリエキスパンダー

CXLで代表されるシステム�\術は、メモリメーカーだけで達成できるものではない。システムメーカーと共にコラボレーションを図り、エコシステムを構築していくことが�_要だと、��てのメーカーが述べている。