糠しいメモリシステムがデ〖タセンタ〖を恃匙する×GSA Memory+柴的から
メモリがこれからのシステムの面看になる。こういった瓢きがGSA Memory+ Conferenceで判眷した。これからのメモリを玫る懼でメモリセル帽攣から、デ〖タセンタ〖のようなシステムレベルでのメモリの光廬步、絡推翁步につながるCXL∈Compute Express Link∷インタ〖コネクト、3D-NANDに簧楓された3D-NORへの蘋など、糠しいメモリの瓢きが湯らかになりつつある。
哭1 GSA Memory+ Conferenceの肆片でGSAの舔充について揭べるCEOのJodi Shelton會 叫諾¨GSA Memory+ Conferenceからスクリ〖ンショット
メモリが糠しいフェ〖ズに掐ったと揭べたのは、躥柜SK HynixのCEO敷家墓のSeok-Hee Lee會。デジタルトランスフォ〖メ〖ション∈DX∷箕洛のメモリメ〖カ〖はますます腳妥な舔充を么うとして、これまでの光礁姥ˇ光廬ˇ你久銳排蝸といった數(shù)羹から、海や家柴啼瑪の豺瘋にメモリが腳妥になっていると胳る。そこで3S∈Scaling、Social、Smart∷という咐駝で附哼これからの數(shù)羹を山附した。Scalingは驕丸の變墓の光礁姥や光廬步の渴步であり、Socialはそれをさらに渴めた臼エネや擦猛の羹懼といった架刨を山す。そしてSmartこそがDX羹けの糠しいメモリ禱窖になるとして、ロジックも崔めてシステムを斧木す箕袋に丸たとする。
潑に、これまでのCPU面看のア〖キテクチャからメモリ面看のア〖キテクチャへの萎れが裁廬するという∈哭2∷。さまざまなシステムがスマ〖トになり、鏈てのデバイスがAIとも奶慨でつながっていくが、そういったシステムの63%がメモリになると揭べた。メモリ面看のア〖キテクチャでは、CPUとほぼ辦攣步するようなメモリ菇隴になるという。
哭2 CPU面看からメモリ面看へ 叫諾¨GSA Memory+ Conferenceからのスクリ〖ンショット
ストレ〖ジに簇しても、NANDフラッシュを蝗ったSSD∈染瞥攣ディスク∷がHDD∈ハ〖ドディスク劉彌∷を彌き垂えが渴んでいるが、你久銳排蝸のPLC∈5ビット/セル∷/QLC∈4ビット/セル∷のSSDをHDDに彌き垂えると久銳排蝸は93%布がるとLee會は揭べた。もし2030鉗までにHDDを鏈てSSDに彌き垂えると4100它トンのCO2猴負になると斧姥もっている。
CXLがデ〖タセンタ〖菇隴を恃匙する
Micron Technologyの禱窖倡券么碰のシニアVPのNaga Chandrasekaran會もやはり、メモリがカスタマエクスペリエンスを恃えていくと揭べ、驕丸のCPU面看のア〖キテクチャのボトルネックを豺久するのがDRAMとSCMの粗に丸るCXL∈Compute Express Link∷インタ〖コネクトでつながるメモリだと胳った∈哭3∷。傅」CXLインタ〖コネクト憚呈はMicronが夸渴してきたオ〖プンスタンダ〖ドであるが、CXLにはメモリメ〖カ〖鏈てが廟謄している。潑に、湯泣のデ〖タセンタ〖の菇喇を恃えていくと斧哈まれている。
CXLは、PCIeインタ〖フェ〖スをベ〖スにした糠しいインタ〖コネクト禱窖で、メモリを絡翁に儡魯できる菇喇が潑墓で、インタ〖コネクトのスイッチの舔充を蔡たす。驕丸のバス菇喇だと、バス頂圭が彈きやすいため笛ってアクセス廬刨が覓れてしまう。それを閏けるため、スイッチングで拇臘するという條だ。CPUやGPUコアを絡翁に儡魯する眷圭もインタ〖コネクトにスイッチング禱窖を努脫して、潑にス〖パ〖コンピュ〖タやHPC∈High Performance Computing∷などで絡翁のCPUやGPUを儡魯できるようにしている。SmartNICや少遲のTofuインタ〖コネクトなどのスイッチファブリックのように、絡翁のメモリが蝗えるようにしようという憚呈である。
6奉30泣、Micron Technologyは、ユタ劍リ〖ハイにあるメモリ供眷を15帛ドルでTexas Instrumentsに卿笛すると券山した。そこでは3D-Xpointメモリを欄緩していた。つまり3D-Xpointメモリも欄緩を賄めるということである。その靠罷は、どうやらCXLインタ〖コネクトにありそうだ。3D-Xpointメモリの輝眷が碰尸斧哈めないが、CXLインタ〖コネクト憚呈で絡翁のメモリを儡魯することでシステム拉墻の猖簾が斧哈める。
3D-NORフラッシュもCXLメモリの鉻輸に
駱涎のNORフラッシュを夸渴するMacronix Internationalのチ〖フサイエンティストのKC Wang會は、CXLはフラッシュメモリに羹くと揭べた。メモリを絡翁に蝗うCXLではメモリ面看のコンピュ〖ティングの辦つとして疤彌づけられ、NANDフラッシュよりも光廬なNORフラッシュにも蘋が倡かれている。それが3D-NORである。
驕丸のNORフラッシュメモリは腮嘿步に嘎腸があり、40nm笆布が豈しく光礁姥步もできなかった。ところが、3D-NAND禱窖をNORに努脫すればGビットクラスも材墻だとしている∈哭3∷。
哭3 3D-NORフラッシュが材墻に 叫諾¨GSA Memory+ Conferenceからのスクリ〖ンショット
3D-NORであれば、警なくとも僥誤儡魯のNANDよりは事誤儡魯のNORの數(shù)が光廬であり、SCM∈Storage Class Memory∷としての鉻輸になりうる。もちろん、1ビット/セルのNANDフラッシュもSCMの鉻輸である。
SamsungのCXLメモリモジュ〖ル
SamsungはすでにCXLメモリエキスパンダ〖と鈣ぶ瀾墑を2021鉗5奉に券山している。GSA Memory+ Conferenceでもこの繼靠を斧せた。この瀾墑にはDDR5 DRAMメモリモジュ〖ルを烹很しており、これを絡翁に儡魯するとテラバイト推翁まで橙磨でき、しかもシステムのレイテンシを布げることができる。デ〖タセンタ〖柒で絡翁のメモリを蝗う、AIやHPCなどの炳脫に羹く。
哭4 SamsungのCXLメモリエキスパンダ〖
CXLで洛山されるシステム禱窖は、メモリメ〖カ〖だけで茫喇できるものではない。システムメ〖カ〖と鼎にコラボレ〖ションを哭り、エコシステムを菇蜜していくことが腳妥だと、鏈てのメ〖カ〖が揭べている。
