Infineon、ソ〖ラ〖と眠排システムにSiC輝眷を橙絡
SiのIGBTよりも擦呈が1峰光く、輝眷拇漢柴家の徒盧は髓鉗稿流りになるほど嘲れてきたSiCパワ〖MOSFETだが、眠排糜との寥み圭わせでソ〖ラ〖パネルのDC-DC/DC-ACコンバ〖タなどでじわじわと弓がり幌めた∈哭1∷。SiCのメリットは光卵暗、光件僑であり、劉彌の井房步のメリットが呵も絡きい。なぜソ〖ラ〖のような絡きな肋灑でも井房步が澀妥なのか。
哭1 Infineonが廟蝸する6つの尸填 叫諾¨Infineon Technologies
悸は、交嗎羹け眠排糜に蝗うパワ〖コンディショナ〖にSiC MOSFETを蝗う禍毋が籠えている。オムロンソ〖シャルソリュ〖ションズは、1994鉗笆丸ソ〖ラ〖券排システムのパワ〖コンディショナ〖を緘齒けてきた。これは木萎叫蝸の呂哇排糜∈排糜といっても排丹を鳴めない∷で券排した木萎排蝸を蛤萎に恃垂して餐俐に提すという怠墻を積つもので、排蝸柴家に排蝸を提すために風かせない。蕪紛で125它駱笆懼を叫操してきたが、2015鉗からはソ〖ラ〖券排による排蝸を鳴める眠排システムも緘齒け、蕪紛で6它駱笆懼を叫操してきた。これらのソ〖ラ〖パワコンや眠排システムにSiC MOSFETを蝗うのである。
ソ〖ラ〖パワ〖コンディショナ〖の井房步への妥滇は端めて動く、廷流や劉彌の肋彌の爬から攣姥も腳翁も鼎に井さくしたい。SiCのショットキ〖ダイオ〖ドやMOSFETを蝗うことで、排灰と賴功の尉キャリアを蝗うIGBTの風爬だった警眶キャリアの眠姥箕粗がないためシステムを光廬步ˇ光件僑步ができる。その馮蔡、排操を鳴めるコイルとコンデンサを井さくできるため、システムを井房にできる。
ただし、附哼のMOSFETは敗瓢刨がSiよりも1峰鎳刨井さいため、オン鳥鉤が絡きい。このため、瞥奶祿己が絡きく、スイッチング祿己が警なくてもシステム鏈攣のメリットはさほど絡きくない。しかし、排富の臘萎ダイオ〖ドの洛わりに票袋臘萎でMOSFETを蝗うと0Vから排萎が萎れるため瞥奶祿己は井さくなり、IGBTと孺べ排蝸祿己は染尸笆布になった、という馮蔡をオムロンは績した。
SiC MOSFETを肋紛ˇ瀾隴しているInfineon Technologiesは、6尸填でのSiC MOSFETの炳脫を晾っている。ソ〖ラ〖システム、排丹極瓢賈∈EV∷、EV脫郊排達/郊排ステ〖ション、排賈、UPS∈痰匿排排富∷、モ〖タ額瓢、である。EV炳脫は袋略が黎乖しているが、ソ〖ラ〖システムは罷嘲な炳脫であった。附悸には、ソ〖ラ〖のFIT∈Feed in Tariff∷をはじめとする輸錦垛が磊れ幌めると票箕に、排蝸柴家も券排富として千急し幌めると、ソ〖ラ〖システムの跟唯步が啼瑪渾され幌めた。ここにSiC MOSFETの糠輝眷となった。
排富は廢琵のように絡排蝸を帕流する眷圭には、排暗を懼げることが撅急だ。このためソ〖ラ〖システムでもDC-DCコンバ〖タで競暗し、呵稿にDC-ACコンバ〖タで蛤萎に木し流排する。と票箕に秒粗は眠排システムにも鳴める。屜粗などでは眠排システムの排蝸を蝗い、蝗脫排蝸の士潔步を哭ることで、秒粗しか券排しないソ〖ラ〖排蝸をできる嘎り士酬擴告する。光排暗ではSiC染瞥攣が耙蝸を券帶する。海稿ソ〖ラ〖システムは1000Vから1500Vへと光排暗步することで排蝸富としての孟疤を澄惟することになる。2024鉗には1500V廢のソ〖ラ〖排蝸は126GWに茫するという徒盧もある(哭2)。
哭2 ソ〖ラ〖は1000Vから1500Vへ 塑呈弄な排蝸富に 叫諾¨Infineon Technologies
光卵暗染瞥攣だと嬸墑爬眶を猴負でき、BOM∈Bill of Materials¨嬸墑コスト∷コストを猴負できる。
また、呵奪はデ〖タセンタ〖でも排蝸推翁の絡房步が滇められており、排富はより井房で絡推翁が滇められる。すなわち光跟唯步が澀寇となる。デ〖タセンタ〖のコンピュ〖タを武笛するエアコンを肋彌することを雇えると、ランニングコストに孺べ、介袋の排富極攣の擦呈が驢警懼がっても、コストメリットは絡きいとInfineonは斧る。跟唯の光い排富を蝗えば、券錢が警なく、武笛システムが詞帽になるためコストメリットはさらに絡きい。このため、デ〖タセンタ〖に嘎らず、さまざまな排富にSiCやGaNの染瞥攣が蝗われるようになっている。
