話嫂排怠がSiC MOSFETのDC-ACコンバ〖タで98%動の跟唯を茫喇
話嫂排怠の黎眉禱窖另圭甫墊疥は、SiCのパワ〖MOSFETとショットキ〖バリヤダイオ〖ドを脫いた木萎-蛤萎恃垂達を活侯、その掐叫蝸の恃垂跟唯を盧年したところ、98%動という猛を評た。これまでのシリコンIGBTとSiCショットキ〖ダイオ〖ドの寥み圭わせによる恃垂達と孺べ、2ポイント笆懼羹懼しているという。
哭1 話嫂排怠が跟唯98%動を茫喇したDC-ACコンバ〖タ菇喇
これは呂哇排糜パネルの木萎叫蝸から、帽陵の200V、5kWのパワ〖コンバ〖タ∈話嫂はパワ〖コンディショナと鈣んでいる∷を侯り、その恃垂跟唯を刪擦したもの。奶撅、ソ〖ラ〖パネルのパワ〖コンディショナには、パネルの辦嬸が泣雹になるなどして排萎が負ってしまう眷圭に排暗を絡きく何るといったパワ〖トラッキング怠墻を燒けているが、海攙の刪擦では、木萎から蛤萎を侯り叫す恃垂達のみを灤據とした。
海攙の答塑パワ〖コンディショナ∈またはパワ〖コンバ〖タ∷では、ソ〖ラ〖パネルからの木萎排暗をチョッパ攙烯で競暗し、そのあとインバ〖タ攙烯を蝗い賴腹僑の蛤萎を侯り叫す。
哭2 跟唯は98%動と光い 叫諾¨話嫂排怠
跟唯の刪擦は、スイッチング件僑眶を18kHzと驕丸のパワ〖コンディショナと票じ覺輪にして乖った。SiCのMOSFETに侖えることで跟唯が光くなったのは、SiのIGBTで斧られる警眶キャリヤの眠姥箕粗がないからである。裁えて、叫蝸檬で賴腹僑をスム〖ス(士酬)にするためのACリアクトル(コイル)とコンデンサ(キャパシタ)のうち、リアクトル嬸尸の糯磕の妨覺や船き俐を呵努步したことも跟唯羹懼の妥傍になった。この馮蔡、パワ〖コンディショナにおける排蝸祿己は60%笆懼猴負されたとしている。
SiCデバイス嬸尸は、卵暗1200V、年呈排萎75Aのパワ〖モジュ〖ルにしてプリント答饒に寥み哈んだ。この倡券はNEDOの把瞞甫墊として悸卉したもの。
糠使鼠蘋では、SiC MOSFETが海にも翁緩されるような廓いだが、悸狠はデバイスの翁緩という囪爬からはほど斌い。SiCの排灰敗瓢刨μは妄俠弄にはSiの2擒だが、附悸には1/10鎳刨しかない。エピタキシャル喇墓霖の懼にゲ〖ト煥步遂を妨喇した呵糠のプロセスを蝗って妨喇した少晃排怠のSiC MOSFETでさえ、Siの1/5の80cm2/Vsという猛にとどまっている。この眶機は少晃排怠が2011鉗1奉19×21泣澎疊ビッグサイトで倡かれた、≈媽2攙EV帴HEV額瓢システム禱窖鷗∽で券山したもの。
SiC MOSFETはμが井さいためゲ〖ト排暗を懼げ排萎を謄いっぱい萎すという數恕をとる。そうするとSiCトランジスタは券錢するため武笛を途搗なくされ、そのパッケ〖ジング禱窖にしわ大せがくるようだ。すなわちSiCのパッケ〖ジ禱窖が潑檢になり、プリント答饒におけるSiデバイスとの高垂拉がなくなる恫れはある。もっと排萎をたくさんとれる塑丸のトランジスタ潑拉が評られるようになれば痰妄なく翁緩へ敗せることになる。SiC MOSFETの塑呈翁緩は4×5鉗黎と斧る度腸囤は驢い。
