図1　��菱電機が効率98%�咾鮹�成したDC-ACコンバータ構成

これは�陵枦澱咼僖優襪猟称�出��から、単相の200V、5kWのパワーコンバータ（��菱はパワーコンディショナと�}んでいる）を作り、その変換効率を�h価したもの。通常、ソーラーパネルのパワーコンディショナには、パネルの�k�陲�日陰になるなどして電流が��ってしまう場合に電圧を�jきく採るといったパワートラッキング機�Δ���けているが、今�vの�h価では、直流から交流を作り出す変換�_のみを����(j┫)とした。

今�vの基本パワーコンディショナ（またはパワーコンバータ）では、ソーラーパネルからの直流電圧をチョッパ�v路で��圧し、そのあとインバータ�v路を使い��弦�Sの交流を作り出す。

図2　効率は98%�咾塙發ぁ―儘Z：��菱電機

効率の�h価は、スイッチング周�S数を18kHzと��来のパワーコンディショナと同じ�X��にして行った。SiCのMOSFETに��えることで効率が高くなったのは、SiのIGBTで見られる少数キャリヤの蓄積時間がないからである。加えて、出��段で��弦�Sをスムース(平滑)にするためのACリアクトル(コイル)とコンデンサ(キャパシタ)のうち、リアクトル�霾�の鉄芯の形�Xや巻き線を最適化したことも効率向�屬陵廾�になった。この�T果、パワーコンディショナにおける電����失は60%以�嶌鑿�されたとしている。

SiCデバイス�霾�は、耐圧1200V、定格電流75Aのパワーモジュールにしてプリント基��に組み込んだ。この開発はNEDOの委�m研�|として実施したもの。

新聞報�Oでは、SiC MOSFETが今にも量��されるような勢いだが、実際はデバイスの量��という�菘世�らはほど遠い。SiCの電子�‘暗戲未詫��b的にはSiの2倍だが、現実には1/10��度しかない。エピタキシャル成長層の�屬縫押璽��┣祝譴魴狙�した最新のプロセスを使って形成した富士電機のSiC MOSFETでさえ、Siの1/5の80cm2/Vsという値にとどまっている。この数�Cは富士電機が2011�Q1月19〜21日東�Bビッグサイトで開かれた、「��2�vEV･HEV�~動システム�\術�t」で発表したもの。

SiC MOSFETはμが小さいためゲート電圧を�屬嘉杜�を�`いっぱい流すという��(sh┫)法をとる。そうするとSiCトランジスタは発�Xするため冷却を余�vなくされ、そのパッケージング�\術にしわ寄せがくるようだ。すなわちSiCのパッケージ�\術が���zになり、プリント基��におけるSiデバイスとの互換性がなくなる恐れはある。もっと電流をたくさんとれる本来のトランジスタ��性が�uられるようになれば無理なく量��へ�，擦襪海箸砲覆襦�SiC MOSFETの本格量��は4〜5�Q先と見る業�c筋は�Hい。