1990�Qにベル研�|所を55歳で定�Q��職した後、��湾に戻り新�腓砲△觜駑�交通�j学の教�bになったSze��は「ナノエレクトロニクス�\術：21世紀の課��」と��する講演の中で、今後の半導���\術の課��として、5つの問��を�Dり�屬�、議�bした：ウェーハサイズの�j口径化、リソグラフィ、デバイス構�]、配線、半導���\術のエコノミーである。それぞれの課��を提��した後、未来について極めて楽�菘�に語った。

ウェーハは450mm化への課��、リソグラフィは�]浸、ダブルパターニング、水以外の高屈折率材料、EUVなどの可��性の�Mしさ、FINFETなどの3次元FET構�]、カーボンナノチューブFET、分子デバイス、量子ドットデバイスなどについて語った後、�T局ロジックデバイスは10nmの微細化時代が来てもやはりMOSFETが主流になると述べた。

高集積化をけん引する不ｧ発性メモリーについては、MRAMやFeRAM、PCRAM、RRAM、ポリマーメモリー、ミリピードメモリーなどの新しい不ｧ発性メモリーの�t��が出ているが、�T局は単純構�]の浮�^ゲート型メモリーが�Mつだろうと見ている。「Simplest is always winner」と語った。そのカギは浮�^ゲートの厚さは極限まで薄くし、容量を��らすことだという。

高集積なICでは、デバイスの動作�]度よりも配線の�気�スケーリングリミットを���]するとして、配線ではカーボンナノチューブ（CNT）が�~望だとの見�気鮨�した。これはメタリックなCNTでは平均�O�y工��が1μm以�屬板垢�、�B�^率が5μΩcmと小さいため、10の9乗A/cm2という�jきな電流密度の電流を流せる。また、シリコンベースのマイクロフォトニクスによる配線����問��を突破するという�}も紹介した。

半導���\術の経済性については、ウェーハプロセス工場の設�▲灰好�、運転コストが極めて�jきくなるという問��に�瓦靴討�、今後の半導���噞の拡�jにより解��していくだろうと楽�菘�な見通しを�]ち出している。2030�Qには半導���噞は1.6兆ドル、エレクトロニクス�噞は10兆ドルになりこれは世�c総�攵�の10%に膨れ�屬�ると予�[している。

この根拠として、かつての�`舶のタービンエンジンの�[��はムーアの法�Г里茲Δ��Pびたが、1942�Qにフラットになり、創成期から�Pび��けてきた旅客機の乗客数は1979�Qにフラットになった。しかし�噞はともにその時から広がってきたとしている。半導���噞も同様に1980�Qから2000�Qにかけて�Q率平均14%で成長したが、2000�Q以�Tはひとケタ％とややスローダウンしている。むしろこれから半導���噞の�H様化が始まり、�噞が広がっていくとSze��は考えている。

こういった同��の見�気漏��菘�すぎないかという��問に�瓦靴�、同��はこれまでの半導���噞を見��けてきたエンジニアとして、「20�Q以���iには半導��には1μmの壁があり、これが限�cだとTexas Instruments社の���k線のエンジニアが述べていた。その後0.25μmが限�cだという説も飛び出した。1nmのMOSFETの動作シミュレーションにおいてやはり動作すると発表されている」と答えた。

講演会の後の懇親パーティに席�屬砲�いてセミコンポータルの記�vの��問に�瓦靴討癲◆屬匹里茲Δ併�にもさまざまなバリヤーを乗り越えてきて現在の半導���噞がある」として、同��は悲�菘�な限�c�bを述べることに�T味を感じていない。

最後に、2030�Qの世�c�x場の中で最も��模の�jきな����は携帯型データ通信機�_（portable data communication）で、１兆2600億ドルになろうと同��は述べた。ちなみに2番�`に�jきな�x場の����はパソコンで9400億ドルだと予�Rする。このころにはバイオテクノロジが本格化するものの、エレクトロニクスほどの�jきな�x場にはならず、DNA�����颪�3200億ドルにとどまるとみている。