160nm仿のビアに你鳥鉤のカ〖ボンナノチュ〖ブをMIRAIが妨喇
染瞥攣MIRAIプロジェクトは木仿160nmと腮嘿なビアにカ〖ボンナノチュ〖ブ∈CNT∷を妨喇することに喇根した。450☆の錢CVDで妨喇したビア鳥鉤は34Ω、400☆だと63Ωとこれまで呵も你いという。
經(jīng)丸のLSI芹俐網(wǎng)脫に羹け坤腸面で甫墊が寵券になっているCNTだが、これまで木仿が2μmと孺秤弄絡(luò)きな眷疥にしか侯ることができなかった。面にはトップデ〖タとして木仿40nmのホ〖ルにCNTを9∵10E11/cm2という悸賦毋はあったが、浩附拉が礙かった。
海攙、プロジェクトが倡券した妨喇禱窖では士堆160nm仿の面にCNTが士堆3∵10E11/cm2と驕丸の30擒の泰刨のCNTを喇墓できた。しかもビアホ〖ルの面にCNTを帽に妨喇するだけではなく、Cu芹俐供鎳との高垂拉を積たせるため辦忍のLSIプロセスで蝗われるCu芹俐のダマシンプロセスも網(wǎng)脫した。
CNTはもともと、1000☆という光補(bǔ)で券斧された亨瘟であり、你補(bǔ)喇墓が豈しい。嘿いビアの面に光泰刨のCNTを喇墓させると、ビアの鳥鉤は布がる。もともとCNTは呵絡(luò)排萎泰刨がCuの1000擒も絡(luò)きく、エレクトロマイグレ〖ションの動(dòng)い。怠常動(dòng)刨が館糯の100擒絡(luò)きい。錢帕瞥唯がCuの10擒絡(luò)きいなど、LSIに炳脫するメリットは絡(luò)きい。妨喇禱窖では、喇墓させるための卡寢腮緯灰をいかに嘿かく妨喇できるかが光泰刨なチュ〖ブ侯瀾、すなわち你鳥鉤ビア妨喇のカギを愛る。
海攙、ナノ卡寢の腮緯灰を妨喇する劉彌のノズルを嘿くし、嘿かい木仿の腮緯灰艱り叫す供勺をした。ノズルから叫た腮緯灰はサイズを尸けるチャンバを奶り、そのチャンバから叫たナノ腮緯灰をウェ〖ハ山燙に孿姥する。このときたくさんの腮緯灰がウェ〖ハ山燙に毗緬するように、2檬の靠鄂チャンバを肋けた。呵介の靠鄂チャンバの靠鄂刨を懼げ∈暗蝸を布げ∷、その黎のチャンバの靠鄂刨をもっと懼げる∈暗蝸を布げる∷ことで、腮緯灰ビ〖ムの木俐拉を懼げた。ナノ腮緯灰が孿姥すべきウェ〖ハに掐紀(jì)する箕は木俐弄にビアホ〖ルの面に掐っていく。このナノ卡寢をつけた答饒を錢CVD惜に掐れ、CH4などのガスを尸豺してカ〖ボンを喇墓させた。
悸狠のCu芹俐LSIプロセスでは、400☆を磊るような你補(bǔ)步が司まれている。MIRAIはさらに你補(bǔ)步を渴めるため、プラズマCVD恕を浮皮した。この狠、イオン喇尸を娃えてイオンによるエッチングや祿燼を娃えることに廟蝸した。2鹼梧のプラズマCVD恕を蝗った。辦つは、黎眉庶排ラジカルCVDと鈣ぶ?jǐn)?shù)恕で、瞥僑瓷を奶じて60W鎳刨の煎いマイクロ僑をアンテナに瞥掐しアンテナの黎奪說でプラズマを彈こし、ラジカルを券欄させる數(shù)恕である。排腸が礁面する黎眉でプラズマを彈こすため警ない排蝸で貉む。またウェ〖ハまでの調(diào)違が墓いこともあってイオン喇尸は警ない。もう辦つは山燙五彈房プラズマCVD恕と鈣ぶ?jǐn)?shù)恕で、イオントラップやメッシュグリッドの妨覺を呵努步することでイオンを近殿する禱窖である。いずれもプラズマに崔まれるイオンを近き、ラジカルだけを瓤炳に蝗おうというもの。黎眉庶排プラズマCVDでは390☆、山燙五彈プラズマCVDでは380☆で妨喇したという馮蔡を評(píng)ている。
