中国でのロックダウン以�T、中国サプライチェーンに変調が��きている。ダイキン工業は、中国リスクを��らすため、2023�Q度中に�~��に中国������が無くてもエアコンを�攵�できるサプライチェーンを構築する、と9月21日の日本経済新聞が報じた。中国の����調達率を20�Qの35%から21�Qには20%まで引き下げたが、�帷Lロックダウンの影�xを�pけ�攵�が��少した。平常時は中国������を調達しながらも�~��には他地域からも調達できる���Uが��要と判��した。

加えて、省エネなどエアコンの中核機�Δ砲�かわる����は内��化する。22日の日経はさらに踏み込んで、空調機�_に搭載する半導��に、�O社で仕様を��めた���R��を導入する、と報じた。空調機�_の省エネ性�Δ鮃發瓩襪燭�、国内外の半導��設��会社やファウンドリと組み、2025�Qから�k�陲�����に���Rの半導��を採��する。��来的には空調機����の半数に���R��を搭載する考えだとしている。

�f国のSK Hynixは、�{���xにあるNANDフラッシュの工場を拡張するため今後5�Q間で15兆ウォン（約1.5兆��）を投�@する、と22日の日経�噞新聞が報じた。M15と�}ぶ工場棟を拡張し、10月に��工する。拡張�C積は約6万平�汽瓠璽肇�、2025�Qをめどに拡張�霾�でNANDフラッシュを量��するという。�B元のメモリー�x況は�K化しているものの、SKは次の��要�v復期を見据えて投�@を��めた。

�]期的な�x況の�K化によって、�櫂�ラウドサービス企業�j�}4社（Microsoft、AWS、Google、Meta）の投�@が2022�Qの4〜6月期に�i�Q同期比で20%�\にとどまった、と21日に日経が報じた。4社の投�@�Yは21�Qを通じてずっと3〜4割�\で推�，靴討い�。また4社の売�幢Yは�i期比でもMicrosoftが6%ポイント��の20%成長、Alphabet（Googleの�eち株会社）は8%ポイント��の35%、Amazonは3%ポイント��の33%になったとしている。Metaは�i�Q同期比で1%の��収だった。ただし、長期的には成長�噞であるから、投�@を先��ばしにしたともいえる。

図1　Daimler Truckの新型EV　出�Z：Daimler Truck

今後のエレクトロニクス・半導��での成長分野の�kつEV関係では、20日から始まったIAA Transportationに先�~けて開かれたプレス向けの発表会で、Daimler Truck社が1�vの充電で走る�踉��{�`を最�j500kmと�PばしたEVのトラック「eActros LongHaul」（図1）を2024�Qから量�凮始すると発表した。Daimlerが発表したのはこれだけではない。ヘビーデューティのトラクター「Mercedes-Benz eActros 300」、さらにミディアムデューティのトラック「Mercedes Benz eAtego」、ライトデューティの「FOSO Next Generation eCanter」も発表した。

またEVだけではなく、�\料電池（FCV）のトラック「Mercedes-Benz GenH2 Truck」の試作�Zも発表した。実��的に40トントラックであり、水素タンク満タンで最�j1000kmまで走る。ヘビーデューティの長�{�`輸送に向く。欧�Δ任�、長�{�`向けのトラックにはFCV、�]�{�`����の乗���ZではEVが�~�Wという認識がある。トラックのような業����では、�Z両基地に水素ステーションを設��するだけでとりあえずは済むが、乗���Zだと��国に設��しなければならないため、�峙�のような認識が欧�Δ砲呂△襦�

ただ、FCVでは、�v�撻屮譟璽���のオンボードチャージャー�v路や、加�]時に��要なEV機�Δ魏辰┐訃�型インバータ�v路も�△┐討�り、EVにせよFCVにせよ、パワー半導��・ドライバIC、マイコンのチップセットが��要なため、これからの半導��の成長分野として�O動�Zは期待できる。加えて、�O動運転��の判���v路やコネクテッドカーの5Gワイヤレス通信�v路なども加わるため�O動�Z向けの半導��への期待は�jきい。

�O動�Z向けや再�擴��Ε┘優襯�ー向けにSiCへの��要もこれから高まる。東��デバイス＆ストレージ社は、SiCパワー半導��を2024�Q度以�Tに向けて約80�|類、と現�Xの約3倍に�\やす�`�Yを掲げたと21日の日経�噞が伝えた。SiC半導��は価格がSi IGBTの10倍もするため、コストダウンをいかに進めるかがカギとなる。耐圧600V��度だとIGBTとの��合は��しいが、1200VだとSiCに��配が�屬�る。高耐圧が要求される再�擴��Ε┘優襯�ーやEVの���]充電機�_ではSiCが望まれている。東��はパワー半導��で世�c6位だが、パワーMOSFETでトップ3位を�`指している。