これまでも複数の経済週刊誌で報じられた、�湾のTSMCやIntelなどの�盜餞覿箸鯑鐱椶慷驚廚靴茲Δ箸いΡ�Bしがあったが、�T局経�省の�k��(sh┫)的な「片�[い」に�里泙辰討い�。今�v、900億�の�{加予�Q案は5Gの高�]通信を�Г┐詒焼��関連の�\術開発に�vす、と日経は報じている。ただ、5G向け半導��だけではなく、「次世代半導��の試�xプラントの�D�△覆匹貌Dり組む企業を�мqする。�Q国メーカーは半導��の性�Δ鮑��する�v路の微細化や3次元化に�を入れる。内外の共同研�|を橋渡しする」と報じており、半導��研�|施設に�を入れることになりそうだ。SEMICON Japanの12月11日におけるオープニングパネルディスカッション「�官学トップ鼎�i：�lかなデジタル社会構築への課�と提言」において、SEMIの�@誉役�^で東�Bエレクトロンの元会長・社長である東哲�r���、量�に�Tび���茲Δ僻焼��開発拠点が初期投�@1000億���模で日本に�㌫廚世帆糞瓩靴討い�。

ただ、問�は�J�Tの総合電機メーカーと半導��メーカーだ。総合電機の経営�vは今でも半導��を成長�業とみなしていない。また半導��メーカーは、5G向け半導��を�}�Xけていない。ルネサスエレクトロニクスはLTEモデム向けのファブレスを�}放し、東�もSoC�業を�}放した。唯�k、�j�}ではソニーだけが可��④呂△�。ソニーはイスラエルのLTEモデム�半導��メーカーAltairを�A収して�}に入れたからだ。5GモデムはLTEの�長の�\術を使う。逆に5Gにつながるワイヤレス通信モジュールを�}�Xける�田��作所や、ミリ�SフィルタやAiP（アンテナインパッケージ）を進めるTDKが5Gデバイスを推進している。5Gで�jきく変わる�\術はミリ�Sであり、ここにおいては���メーカーが��躍できる可��④�jきいはずである。

ただし、日経報�Oには、5G以外にも半導��の研�|施設の�D�△�3次元化、微細化、さらに国内外とのコラボを含めている点で、�L外メーカーの誘致の���△賄Dえるようだ。ただ、これまでの�L外半導��企業は、単なる��\金ではなく、税�U優遇をセットにしてあり、日本式の��\金を欲しがるかどうか疑問はある。税金を担当する財��覆皀札奪箸砲靴浸伝箸澆任△譴倡L外企業が戦�Sを見直す可��④六弔気譴討い�。�i述したオープニングパネルディスカッションで甘�W(w┌ng)���脹ゝ剃^は、これまでの�k�晙o平の原理で予�Qを均等に配分することは何もしないことと同じだと述べており、���U改革とデジタル化をセットで推進していくべきだと提言している。

来�Qの半導���業を見通す�kつの指�Yである、DRAM価格がどうやら値�屬�蠅鮖呂瓩襪茲Δ�。12月8日の日経は、11月のDRAM価格は�i月と据え�くことが�まり、DRAM価格が下げ�Vまり感を伝えた。スマホの�要�v復と、データセンターでの成長によると見られている。9日の日経�業新聞も同様に、11月の下げ�Vまりを�迎する半導��商社のコメント「ほんの少しだが��襪っ獷靴��┿呂瓩討い襦廚魴悩椶掘▲僖愁灰鷂��4GビットDDR4 DRAMの11月の�j口単価が1.98ドル�i後だとしている。10日の日経は、8GビットのDDR4 DRAMのスポット単価が2.86ドル�i後と月初よりも4%高いと報じた。

Micron Technologyの�湾��陲療躱ｹ�譴�12月3日に約1時間の停電があり、DRAMの供給が�Vまると12月4日のDigiTimesが報じた。DRAM�x場は、Samsung、SK Hynix、Micronの3社が95%以�屬離轡Д△鰒�めており、桃�にあるMicronの工場は、世�cのDRAMの8.8%を供給していると試�Qされている。旧Inoteraの桃�工場であるファブ11は、工場の�W�システムが�t座に動き、ロスを最小限に抑えたとしている。すでに工場は再開しているものの、原因�|��眛瓜�聞圓気擦討い襪箸いΑ�海猟篥鼎�渦舛涼�屬�蠅砲弔覆�辰討い襪�VLSI ResearchのDan Hutcheson��聾�討い�。

�湾は半導�����]も設�も�咾い�、���]���と材料は弱かった。このほど環球晶�がSiltronic社を�A収することにより、シリコン�T晶の売�幢Yで信越化学工業とSUMCOの間にくることになりそうだ。つまり材料でも�湾が�咾�覆襪箸い�lだ。