悸脫步を裁廬するSiCパワ〖デバイス
SiCパワ〖MOSFETが驕丸のIGBT∈Integrated Gate Bipolar Transistor∷に艱って洛わると咐われ魯けて眶鉗たったが、SiCパワ〖染瞥攣の潑拉羹懼は緬悸に渴んでいる。拉墻を頂うというより、悸脫步を裁廬する瓢きが叫てきた。また、IoTを額蝗して欄緩拉を懼げるデジタルトランスフォ〖メ〖ションが幌まった。
2020鉗にSiCを何脫する賈を瘤らせる、とトヨタ極瓢賈が給山していたが、2020鉗までにSiCウェ〖ハの丁惦が稍顱すると斧哈まれており、トヨタは糠房のIGBTに磊り侖えると12奉17泣の泣沸Xtechが鼠じた。SiCのクルマでの網(wǎng)脫は、インバ〖タが悸脫步される漣に蝗われそうだ。まずオンボ〖ドチャ〖ジャ〖∈AC-DCコンバ〖タ∷とDC-DCコンバ〖タのような奧年步排富攙烯だ。排富攙烯で悸烙を懼げ、ミッションクリティカルなインバ〖タへと鷗倡する。
SiCデバイスがクルマに蝗われるようになると、その輝眷は絡きくなり、これまでのような翁緩攣擴では灤炳できなくなる恫れがある。パワ〖染瞥攣は、メモリなどの翁緩墑とは般い、奉緩1000改鎳刨笆懼を翁緩と年盜しているためだ。クルマ炳脫はこれまでにないSiCパワ〖染瞥攣の炳脫輝眷となる。
Siと孺べ、SiCが光補に卵えられるという潑墓は、嫡にプロセス借妄しにくいことの微手しでもある。Siよりもずっと古いSiCの馮窘インゴットからウェ〖ハに磊り叫すのにも部箕粗もかかるが、ディスコがレ〖ザ〖で磊們した稿、慌懼げ甫酸裁供までを極瓢步することに喇根、スル〖プットを驕丸よりも5充光めた、と21泣の泣沸緩度糠使は鼠じた。ウェ〖ハ1綏碰たりの裁供箕粗は10尸に沒教したという。さらにウェ〖ハにロット戎規(guī)などを癸磅し、トレ〖サビリティの瓷妄も猖簾したとしている。
SiC MOSFETはSiのIGBTよりも光廬瓢侯が材墻だが、その尸蝗いづらいという蘭もある。話嫂排怠と澎疊絡池はゲ〖トしきい排暗Vthを懼げることで、嘲嬸ノイズの逼讀を減けにくいMOSFETを倡券したと券山した。これはMOS山燙にS∈尾搏∷を藕裁することで、排灰の辦嬸を梳陋しゲ〖トしきい排暗を光めながら、オン鳥鉤はそれほど籠裁しないという。また、緩度禱窖另圭甫墊疥と少晃排怠は鼎票で、光補でのオン鳥鉤が1士數(shù)cm碰たり0.63 mΩと你い1200V卵暗のSiC MOSFETを倡券した、と20泣の泣穿供度糠使が帕えた。企つの券山鼎、12奉3~5泣、勢柜のサンフランシスコで倡かれたIEDM 2018において券山されたもの。
デンソ〖がHV∈ハイブリッド賈∷羹けの染瞥攣デバイスを欄緩する翠緘の糠供眷が窗喇した、と20泣の泣沸緩度が鼠じた。トヨタ澎泣塑は翠緘、弟倦の供眷に井房賈などの欄緩を礁腆する數(shù)克で、糠供眷は排灰怠達の瀾隴凋爬として怠墻するとしている。2019鉗1奉から、HVに蝗われる染瞥攣デバイス≈パワ〖カ〖ド∽の欄緩をはじめ、メ〖タ〖梧も瀾隴する。SiCを欄緩するかどうかは湯らかにしていない。
IoTを額蝗して供眷の欄緩拉を光めるデジタルトランスフォ〖メ〖ションを夸渴する、とOKIのサ〖ビス里維を19泣の泣沸緩度が疽拆している。肋灑の蒼漂唯をセンサで悄愛し、ミスを負らす。この欄緩拉羹懼のサ〖ビスを海稿3鉗粗で50帛邊の卿懼馳に籠やすことを謄篩としている。まず驕度鎊が錨から艱り叫す嬸墑をプロジェクタで回績する。嬸墑を侯度駱で寥み惟てる供鎳の侯度マニュアルもプロジェクタで回績する。驕丸はLEDで回績していたが、錨や侯度駱ごとに肋彌するためコストがかかりすぎていた。プロジェクタの瞥掐により肋灑抨獲馳を75%負らすことができたという。OKIはすでに絡術供度の供眷に瞥掐し、跟蔡を浮沮している。
TDKは僵拍俯にかほ輝の梆烈供眷で、驕丸200mもあった欄緩ラインを5mに沒教、驕度鎊の敗瓢調違が1/50、リ〖ドタイムが1/10に沒教し、箕粗碰たりの欄緩墻蝸が4擒に懼がった、と19泣の泣沸緩度が鼠じた。ここではフェライトコアを欄緩しており、これまでの亨瘟拇茫、肋紛、欄緩瓷妄、叫操まで鏈ての供鎳での稍紊墑をなくすことに蝸を廟いだ馮蔡だったとしている。肌はデジタルトランスフォ〖メ〖ションに羹けて瓢きだす。
