東��が300億��を投じパワー半導��の�攵��ξ�を5割�\�咾垢襪�7月2日の日本経済新聞が伝えた。��菱電機や富士電機も�攵摚�△了\�咾鰺縦蠅靴討い襦Ｅ贄�は加賀エレクトロニクスを中心に�∀�工場とタイの組み立て工場を�啣修垢襪箸靴討い襦�2020�Q度にパワー半導��の�攵��ξ�を17�Q度比50%�\にする。国内最�j(lu┛)�}の��菱電機は�y本県と中国にある主��工場を中心に100億��を投�@、22�Q度までにパワーデバイス��業で2000億��の売り�屬欧鰆`指す。富士電機も今�Q度中に200億��を投じて国内工場を�\�咾垢襦�17�Q度に新型パワー半導��の量�����Uを�Dえたばかりだが、パワー半導��の売り�屬欧�23�Q度には現在の1.5倍となる1500億��へと引き�屬欧襦�

日本のパワー半導��メーカーはやっと投�@に踏み切ったが、パワー半導��で世�cトップのInfineon Technologiesは、この5月にすでにオーストリアのフィラッハに300mmのパワー半導��工場を新設することを発表している。2019�Q�嵌彰�に新工場の建設を始め、2021�Qに�攵�を開始する��画だ。6�Q間で16億ユーロ（約2000億��）を投�@し、総建設�C積は6万平��(sh┫)メートルになる。

こういったパワー半導��メーカーが投�@に踏み込むのは、EV（電気�O動�Z）�x場の拡�j(lu┛)と工業��IoTやFA（ファクトリオートメーション）のデジタルトランスフォーメーションにより、モータ�U御��のパワー半導��の�x場が拡�j(lu┛)するからだ。これらの�x場はこれまでの工業��半導��の成長�]度とは異なり、2020�Q代に渡り成長のエンジンとなる。EVに��要なバッテリチャージャーやインバータ、DC-DCコンバータなどの�v路��てにパワートランジスタを使うほか、�\料電池�Zでさえ�v�撻屮譟璽�などのマイルドハイブリッド�v路にもモータを使うため、どの�Oパワー半導��が��要になる。また、モータを使う新しい応��ではインバータ�W(w┌ng)��が�\えていくため、パワー半導���x場はこれまでとは違うスピードで成長していくだろう。

東��は�W��性の高いリチウムイオン電池である「SCiB」電池に50億��をようやく投�@、新�觚�柏崎工場でセル数に換�Qして月��100万個を150億個に�\��する、と6月26日の日経が報じた。�O動�Z向けのバッテリとして見込むようだ。�Jにスズキの小型�Zや東�B地下鉄の�Z両に供給しているという。

半導�����]����の�p�m�攵��ξ�を倍�\させる日新電機は、タイに新工場を建設し、ベトナムに最新の加工設�△鯑各�したと26日の日経�噞新聞が報じた。総投�@�Yは8億3000万��。Global Wafersの定時株主総会で、投�@はまだ��定していないとしつつも実現する可��性は極めて高いと同社トップの徐秀蘭董��長が語っている。

リソグラフィメーカーのキヤノンは、2018�Q1〜3月期の連�T���Qで半導�����]����は�i�Q同期比2.5倍の27��出荷したと29日の日刊工業新聞が報じた。18�Q����では�i�Q比1.8倍の126��を見込んでいる。

半導��ファウンドリ最�j(lu┛)�}のTSMCの創業�vであり会長でもあり6月に引��したMorris Chang��は、3nm��は2�Q以内に開発でき、2nm��も2025�Qまでには世に問えるだろうと語ったと26日の日経�噞が報じた。半導��の微細化を�膿覆垢襯妊丱ぅ垢蓮∈�はアプリケーションプロセッサになり、現在最先端の7nm��は、今秋Appleが発売すると予�[されている新型iPhoneに使われるとみている。