Semiconductor Portal

» セミコンポータルによる分析 » 週間ニュース分析

半導が況、2000QITバブル以来の@ぎに

半導噞が好況だ。12月23日の日本経済新聞が報じたように、櫂侫ラデルフィア半導株指数(SOX)はおよそ16Qぶりの高値を新した。フィラデルフィアSOX指数とは、半導関連株のHい櫂侫ラデルフィアD引所が発表している経済指数。2000QのITバブルの時に半導]はピークを迎えたが、今vの動きはそれにる勢い。

図1 半導関連株は2000QのITバブルに{いつく勢い 出Z:Yahoo Finance

図1 半導関連株は2000QのITバブルに{いつく勢い 出Z:Yahoo Finance

http://finance.yahoo.com/chart/%5ESOX?ltr=1#eyJtdWx0aUNvbG9yTGluZSI6ZmFsc2UsImJvbGxpbmdlclVwcGVyQ29sb3IiOiIjZTIwMDgxIiwiYm9sbGluZ2VyTG93ZXJDb2xvciI6IiM5NTUyZmYiLCJtZmlMaW5lQ29sb3IiOiIjNDVlM2ZmIiwibWFjZERpdmVyZ2VuY2VDb2xvciI6IiNmZjdiMTIiLCJtYWNkTWFjZENvbG9yIjoiIzc4N2Q4MiIsIm1hY2RTaWduYWxDb2xvciI6IiMwMDAwMDAiLCJyc2lMaW5lQ29sb3IiOiIjZmZiNzAwIiwic3RvY2hLTGluZUNvbG9yIjoiI2ZmYjcwMCIsInN0b2NoRExpbmVDb2xvciI6IiM0NWUzZmYiLCJyYW5nZSI6Im1heCJ9


10月25日、僚鬼エコノミスト誌は「半導バブルが来る!」という集を組んでいたが、フィラデルフィアSOX指数(図1)は、2000QのITバブル以来の半導Xの高まりをしている。日経は22日の東BD引所では、半導関連株がAわれ、アドバンテストの株価は11月から22%屬欧燭畔鵑犬討い襦さらに後工でウェーハを切・研磨するディスコは2000QのITバブル以来の高値をけ、日立ハイテクノロジーズもi日比k時3%高までAわれた。リソグラフィのASMLは、Q初来の高値を21日にけたという。]だけではない。GPUのファブレス半導Nvidiaも11月比15%峺したとしている。

]は、7nmプロセスや3D NANDフラッシュのプロセス、後工ではFO-WLP(ファンナウト・ウェーハレベルパッケージング)などへの投@が常に発である。]のB/Bレシオは、セミコンポータルでも報じたように(参考@料1)、11月での日本半導]のpRYは10月、11月と連峺しけ、ここ1Qのピークにあたる1459億ドルに達した。販売Yはそれに{いつかないため、B/Bレシオは1.16となった。

世c半導x場の約20%をめるメモリのうち、金YのjきなDRAMの代表的な商であるDDR3の4GビットDRAMは、最W値をけた16Q5月から最Z31%も峺し、2~2.2ドルとなったと21日の日経が報じた。中国のスマートフォンメーカーからの引き合いが咾、DRAMメーカーはパソコンDRAMをスマホに振り分けていたが、そのためパソコンが薄になりDRAM価格の峺をdいているという。

DRAMで3位のMicron Technologyは湾のNanyaと合弁で設立したInotera MemoriesのA収をこのほど終えた。Micron CEOのMark Durcanは、湾でのDRAM攵に瓦靴突蓊Q以TもMして積極的に投@するという考えをした、と19日の日経噞は報じた。Inotera株をMicronに売却したNanyaは、Micronに出@し、@本提携している。

半導の好況を反映するかのように、日立ハイテクは、半導]業の盜颯レゴンΔ砲△覿\術拠点「ポートランド・エンジニアリング・センターのエンジニアを2017Q3月期中に倍\する、と21日の日経噞新聞が伝えた。現地での採や日本からの派遣で数何佑鮖\^する疑砲澄8楜劼任△盜颪僚j}半導メーカーからの改良要望に迅]に応えられるようにする。半導はv路の微細化に伴って]工が複雑化しており、\術的サポートの_要性が\しているのに官するとしている。

20日の日経は、ルネサスエレクトロニクスが5Q後に研|開発Jを2016Q3月期比で3割積み\す疑砲任△襪氾舛┐拭O動運転やIoTで先行するためとしている。半導に組み込むソフトウエア開発にはインドや東欧のデザインハウスを積極的にする、と同社社長兼CEOの呉文@が述べている。

半導の況ぶりはSKハイニックスも研|開発に積極的に投@している。同社は72層の3次元NANDフラッシュを17Qi半に終え、2017Q後半から72層も積み屬欧襯瓮皀蠅鯲名すると発表した。3D-NANDはメモリセルをeに積むほどC積効率は屬り、小さなC積でメモリ容量を\jできるため、Samsungをはじめ、東も同様に開発している。ただし、Samsung、東ともMNOS型のセルだが、MicronとIntelグループはフローティングゲート型をいている。最ZのMicronの発表では、フローティングゲート型の気3D化は容易だそうで、Samsungが量僝でれていることに瓦靴董⊆{い越せるというO信をeっている。


参考@料
1. 日本半導]のpRが発になり始めた (2016/12/20)

(2016/12/26)
ごT見・ご感[
麼嫋岌幃学庁医 膨拶唹壓喟消仇峽壓濆杰| 天胆谷謹邦謹景絃| 忽恢天胆壓濆杰簡啼| 99忽恢娼瞳99消消消消消| 撹繁怜匚匯曝屈曝眉曝篇撞| 消消娼瞳忽恢冉巖娼瞳2020 | 娼瞳消消消消消消涙鷹| 忽恢冉巖胆溺娼瞳消消消2020| xxxxwww晩云壓| 涙鷹繁曇匯曝屈曝眉曝窒継篇撞| 冉巖怜匚握握秉尭| 弼裕裕冉巖槻繁爺銘| 忽恢撹繁忽恢壓濆杰竿訖| 匯云匯祇襖謹勸潤丗寄媾菜繁| 晩云寄季天胆簒宝337p| 冉巖av涙鷹娼瞳忽恢撹繁| 天胆娼瞳xxxxbbbb| 卅繁消消寄穗濬教舐惟| 娼瞳娼瞳忽恢互賠a雫谷頭| 忽恢岱鷹壓濆杰| 91弼篇撞利嫋| 忽恢娼瞳匯曝屈曝消消音触| 91篇撞亜亜亜| 爺爺恂爺爺握匚匚訪| 匯倖繁心議www窒継壓瀛啼| 撹定暴繁唹垪窒継篇撞利嫋| 消消冉巖撹a繁頭| 晩昆壓濆杰翰衲井窮唹| 冉巖va涙鷹va壓va爺銘| 天胆柘重伉tickling窒継| 冉巖娼瞳忽恢娼瞳忽徭恢鉱心| 槻溺値倉涙孳飢窒継篇撞| 壅侮泣赱穂捲赱湊寄阻耶利嫋| 析査弼av唹垪| 忽恢娼瞳忽恢眉雫忽恢AV麼殴 | gay娼釘cum| 絃岱徨戴娼瞳弌傍588| 叫臼決髄xxxxbbbb嶄忽| 峨厘匯曝屈曝壓濆杰| 消消消忽恢娼瞳冉巖匯曝| 晩昆冉巖av涙鷹匯曝屈曝音触|