サムスンのNANDフラッシュ供眷を面柜に氟肋のニュ〖スがセミコンJの廈瑪に
黎降、サムスンが面柜でNANDフラッシュ供眷を氟てるというニュ〖スが若び、度腸柒ではかなりの苯になっていた。これは面柜で供眷を氟肋するための釣材拷懶を躥柜の夢急沸貉臼に捏叫しというニュ〖スを12奉7泣の泣沸緩度糠使が帕えたもの。セミコンジャパンでのプレジデントパ〖ティでもこのニュ〖スが額け戒った。
泣沸緩度によると、糠供眷の眷疥や抨獲憚滔、欄緩墻蝸、圭售掘鳳などはいずれも湯らかではないが2012鉗に緬供し、13鉗に蒼漂するとしている。さらに、碰介は附哼の呵黎眉の禱窖である攙烯俐升20nm駱の禱窖を脫いるという。2013鉗で20nm駱ということはおそらく28nm漣稿という罷蹋だろう。面柜への怠常の廷叫に簇しては奠ココムに洛わるワッセナ〖ル掘腆によって擴嘎され、呵黎眉の怠常を面柜へ廷叫できない。しかし、1坤洛漣の怠常は瞥掐できる。このため、2013鉗で呵黎眉になる22/20nm笆布のプロセスを瞥掐できないことは湯澄であるが、13鉗箕爬で28nmは呵黎眉ではないことを躥柜蠟紹に妄豺させる澀妥がある。
NANDフラッシュは、腮嘿步の呵黎眉をけん苞するデバイスでは澀ずしもない。妥は頂凌蝸さえあればいいのであって、頂凌蝸♂腮嘿步という哭及はもはや束れつつある。糠使では澎記に灤して錯怠炊を歷っているが、これは澀ずしも碰てはまらない。というのは面柜ではインフラコストは奧いが、まだ另じて奧かろう礙かろうの坤腸である。匿排や排蝸の墑劑∈光拇僑や蝸唯、排蝸流減慨の擴告など∷は泣塑とは孺秤にならない。染瞥攣漣供眷では、毋えばプラズマエッチやCVD、レジスト瓊違などの供鎳では街箕匿排さえ釣されない。街匿箕にはプラズマが私れて、ウェ〖ハ柒、粗のバラつきが絡きくなり、殊偽まりが端眉に礙くなり、布緘をすると茄逮せざるを評ないこともありうる。これでは頂凌蝸はつかない。
サムスンはおそらく極漣の排蝸擴告卉肋を瞥掐することになり、恃排疥からの廢琵と、絡きな極踩券排を崔む廢琵をしっかり瓷妄しなければ附孟の排蝸討はとても蝗い濕にならない。嫡に咐えば、サムスン供眷柒でスマ〖トグリッド(マイクログリッド)の悸賦を敷ねながら、染瞥攣供眷を笨蹦していくと雇えることもできる。このことがコスト弄に銅網かどうか、もっとち泰な付擦紛換が澀妥となる。
もう辦つのニュ〖スは、やたらとSiC簇息のニュ〖スが驢かった。12奉9泣の泣沸緩度によると、澎記は糯蘋賈尉羹けに卵暗4500VのSiCダイオ〖ドを脫いたインバ〖タを何脫したと券山した。SiCダイオ〖ドと筆底姬佬をモ〖タに何脫することで攣姥6充、久銳排蝸は2充猴負されるという。糠泣塑瀾糯は木仿6インチのSiCウェ〖ハを倡券したと、7泣の泣沸緩度が帕えた。2013鉗刨をメドに翁緩步するとしているが、SiCのMOSFETの山燙風促啼瑪の豺瘋はまだ澆尸なレベルに魂っていない。票泣の泣穿供度糠使では、少晃排怠とルネサスエレクトロニクスが6インチのSiCウェ〖ハの浮皮に掐ったと帕えている。パワ〖トランジスタやダイオ〖ドはLSI事みにチップ燙姥が絡きいため、眶翁が籠えてくると絡庚仿步はマストになる。まずショットキダイオ〖ドを瀾墑步し、MOSFETは肌の箕洛になる。6泣の泣沸緩度はロ〖ムがトレンチ菇隴のMOSFETで排蝸祿己を7充猴負したと鼠じたが、9奉にセミコンポ〖タルが帕えた淡禍(徊雇獲瘟1)と洛わり鼻えしない。
SiCと頂圭する亨瘟として、GaNのパワ〖チップがある。9泣の泣穿供度によると、泣塑ガイシはGaN馮窘を倡券、2014鉗から翁緩を倡幌する。閉陵喇墓恕を蝗うとしているが、その拒嘿は稍湯である。GaNはパワ〖デバイスのほか、LEDの答饒にもなる。
呵稿に黎降倡號されたセミコンジャパンからのニュ〖スとして、池欄羹けの棱湯柴が倡かれたことを泣沸、泣穿供度鼎鼠じている。池欄と鼎にセミコン徊裁措度のブ〖スを攙り、稱柴家の棱湯を池欄に使かせる條だが、12鉗刨に麓度徒年の池欄、薄欄、光漓麓を灤據にしている。この措茶に徊裁したあるメ〖カ〖は、B2C措度は夢嘆刨があるが、B2B措度は夢られていない、柴家について拒しく棱湯するための眷になっている、と胳る。鷗績柴はリクル〖ティングの神駱にもなるという糠しい鷗績柴ビジネスの措茶といえる。
徊雇獲瘟
1. ロ〖ム、SiCトレンチMOSFETで250☆瓢侯、モ〖タへの柒壟ボ〖ドを悸附 (2011/09/13)
