��高�k�K、パワー半導��がSiC、GaN、JFETなど新しい動きへと��発に
先週のニュースでは11日に��が�k時84����にまで�屬�ったことによる半導���噞への影�xが懸念された。8月4日に86��レベルにあった為��が���]に�峺�してきたが、11日以�Tは元に戻りつつある。��高は輸出�噞には痛�}となるが輸入�噞には売り�屬音\につながる。半導���噞にとっては何が問��か。
これまでの半導���噞は国内指向で、�L外比率を�屬欧討い�なければならないと言われている。�L外に成長�x場があるのにこれまでは指をくわえていたような�X��だった。��に、中国やインドなどこれから成長が期待される国への輸出あるいは現地�攵�は�咾�求められていた。
しかし、��高になればその��要性は薄らぐ。グローバル化しなくてもよいという考えが�蛆�する可��性はある。企業を動かす人間が楽な�Oを��(li│n)ぶと、��高になり�L外進出は�Vめようという�T見となって出てくる。これが最も怖い。長期的にはグローバル化はマストであり、国内には�L外から����がドンドン入ってくるため、国内�x場はますます小さくなっていくからだ。�mい、��ドルレートは週��に86����まで戻ってきており、グローバル化を加�]することがやはり求められる。
気になるニュースはパワー半導��である。富士電機が古�Q電気工業と共同でスイッチング��GaNパワーデバイスを開発する�\術研�|組合を設立したが、日本経済新聞が8月13日に報じたニュースはその成果のようだ。GaNパワーデバイスという場合はSiCと違ってトランジスタという�T味で捉えてよい。というのはHEMTと同じ2次元電子ガスを�W(w┌ng)��するパワーデバイスだからである。ショットキ・ダイオードを横型にしたパワーデバイスは考えにくい。電流を�科�に確保するのにチップ�C積が�j(lu┛)きくなってしまうからだ。富士電機はSiCも�}�Xけているが、MOSFETとしての実��化はGaNが早いかもしれないため、その『保険』的にGaNも�}�Xけているのだろう。
パワーデバイスの�j(lu┛)きな�x場となるスマートグリッドの実証実�xを横�p�xと、愛��県�l田�x、��九���x、関�ﾊ顕宗覆韻い呂鵑福乏惱儻��|都�xの4�xで行うニュースもあり、�f国の現代�_工業が�盜颪�ら7億ドルのソーラー発電所を�p�Rし、アリゾナ�Δ�150MWと25MWという巨�j(lu┛)な発電所を建設するというニュースもある。欧�Δ�らは2009�Qに新たに設��された発電所のうち風��やソーラーなど再�擴��Ε┘優襯�ーは����の62%を��めたと報じられた。
�k��(sh┫)、日刊工業新聞は8月11日、富士電機や��菱電機がSiC半導��の量�����Uを構築し始めることを報じた��新聞によると、あくまでもSiCパワー半導��という表現しかとっておらず、その実��はSiCショットキ・ダイオードであろうと�[�気垢�。SiCのMOSFETはまだ実��化にはほど遠いからだ。
SiCは今のところショットキ・ダイオードしか実��化できていない。MOS表�C�U御ができるほど�科�な電子�‘暗戮��uられないからである。SiC MOSFETの電子�‘暗戮�Siよりもはるかに小さい数10cm2/Vs��度らしい。MOS表�Cに�T晶�L陥をシリコンほど�U御できていない。これではトランジスタの実��化はまだ遠い。ショットキ・ダイオードなら表�Cを金�錣塙膓皺修靴討靴泙�、�T晶�L陥の影�xをつぶしてしまえるため、実��化は早い。
トランジスタ構�]としてJFET(接合型電�c効果トランジスタ)を使えば表�Cチャンネルの影�xを�pけないため、SiCの�擇寮��Δ��uられるはず。ただし、ノーマリオン型しか作れないため、ゲートをマイナスに引くためのバイアス�v路を工夫する��要がある。インフィニオンが今�Q��までにSiCのJFETを商��化すると7月下旬に東�Bビッグサイトで開��された「テクノフロンティア」で述べたのは、実��化を優先するからだ。この詳細は、9月22日セミコンポータル主��の「パワーエレクトロニクスの��貌と半導��の未来」の中でインフィニオンから直接、講演を聞くことができる。
