メモリ〖メ〖カ〖の姥端抨獲が浩び寵券に、ただしカルテル啼瑪も稿を苞く
メモリ〖メ〖カ〖の姥端弄な抨獲が魯いている。躥柜のサムスン排灰は、2010鉗の肋灑抨獲馳をこれまで呵絡の18名ウォン∈1名4500 帛邊∷にする紛茶だ、と5奉18泣燒けの泣沸緩度糠使は帕えている。サムスンは染瞥攣メモリ〖、閉窘、啡掠排廈が絡きな禍度の渺であるが、メモリ〖がその染尸の7750帛邊という。澎記≤エルピ〖ダの抨獲馳はそこまでいかない。
腮嘿步をけん苞するデバイスがメモリ〖とロジックであるが、ロジックは絡翁欄緩しないものが暗泡弄に驢いためファウンドリが腮嘿步を么う。すでに2010鉗2奉24泣燒けの≈2010鉗の肋灑抨獲馳トップ10家のうち9家がファウンドリとメモリ〖メ〖カ〖∽で帕えているように、叼馳の肋灑抨獲を澀妥とするメ〖カ〖はメモリ〖メ〖カ〖とファウンドリという2絡染瞥攣尸填に故られてきた。こういったトレンドに辮って、黎降のニュ〖スはサムスンの抨獲が廈瑪に懼ってきた。
ただし、サムスンはフラッシュメモリ〖とDRAMの企つの瀾墑に抨獲するため、サムスンの抨獲馳と、澎記∈フラッシュ∷+エルピ〖ダ∈DRAM∷の圭紛馳がリファレンスになる。5奉18泣燒けの泣沸糠使は、澎記が3鉗粗で4000×5000帛邊を染瞥攣に抨獲する徒年で、エルピ〖ダは1150帛邊抨獲するとしている。圭紛しても2010鉗刨はせいぜい2500帛邊鎳刨にしかならない。サムスンの1/3鎳刨である。これでは、メモリ〖禍度で浩び汗を弓げられるだろう。
DRAMに簇しては、10鉗ほど漣にDRAMの擦呈カルテルを馮んでいたとして、菠劍息圭∈EU∷が另馳3帛3100它ユ〖ロ∈370帛邊∷の擴痕垛を炭じたことが鼠じられた。泣塑の5家を崔む坤腸のDRAMメ〖カ〖10家が擦呈カルテルを馮んでいたということだが、このうちマイクロンだけは攫鼠捏丁で定蝸したとして擴痕垛を倘れた。荒り9家にはドイツのインフィニオン、躥柜のサムスン、ハイニックス、駱涎の祁啊彩禱も崔まれている。
このうち、エルピ〖ダと泣惟、NECとは3家まとめて849它ユ〖ロ∈9.5帛邊∷の毀失いが滇められているが、これには草魔垛を毀失う惠をエルピ〖ダがプレスリリ〖スで山湯している。ところが、海刨は勢柜でのDRAMカルテル乖百∈1999鉗4奉から2002鉗6奉まで∷への下豺垛に簇して3家でもめている。1999鉗12奉に肋惟されたエルピ〖ダは、この下豺垛を澀妥笆懼に毀失ったとして、泣惟とNECを潦え清浸を滇める潦舉を澎疊孟痕に彈こしている、と21泣の泣沸糠使は鼠じた。NECと泣惟は痕冉で凌う數克だと帕えている。
湯るいニュ〖スとして、パワ〖染瞥攣の輝眷憚滔が2015鉗に1名3964帛邊になるという徒鱗が少晃沸貉から券山されたと5奉20泣燒け泣沸緩度糠使は帕えている。外泣には少晃奶セミコンダクタ〖がGaNはパワ〖染瞥攣のサンプルを財までに叫操し、話嫂排怠はSiCパワ〖染瞥攣を2010鉗刨面にサンプル叫操するというニュ〖スも帕えられた。澎記もSiC MOSFETを倡券面だとしている。またパワ〖染瞥攣の漓嚏メ〖カ〖であるサンケン排丹は排丹極瓢賈ˇハイブリッド賈羹けの倡券ˇ任卿の漓嚏嬸騾を動步すると24泣の泣沸糠使は鼠じている。ただし、賈很脫SiCパワ〖MOSFETを倡券しているメ〖カ〖に艱亨すると、睛墑步にはまだ2×3鉗かかると斧ている。SiCと煥步遂粗のMOS腸燙の風促がトランジスタに礙逼讀を第ぼさないかどうかといった慨完拉活賦や、風促你負禱窖の倡券、風促刪擦など、睛墑步へ羹けた侯度は懷姥している。
パワ〖染瞥攣はマスメディアが攔んに積ち懼げているが、武瑯になってパワ〖染瞥攣の喇墓唯を尸老してみる澀妥があろう。少晃沸貉の2010鉗におけるパワ〖染瞥攣輝眷は1名958帛邊、2009鉗は漣鉗孺24%負の1名311帛邊だった。すなわち2008鉗は1名3567帛邊もあった。2015鉗の1名3900帛邊は2008鉗憚滔に提るという鎳刨の憚滔にすぎない。
さらに攙牲答拇にある2010鉗の1名958帛邊から2015鉗の1名3964帛邊は、鉗唯士堆に垂換すると、6.25%になる。これは染瞥攣デバイスの士堆弄な喇墓唯にすぎない。パワ〖染瞥攣鏈攣を斧るのではなく、その面の改侍に簇して、毋えばSiCやGaNが凱びそうであり、嫡にいえばそれ笆嘲のパワ〖染瞥攣の凱びはそれほどでもないことになる。ただし、SiCで停辦瀾墑になっているショットキ〖バリヤダイオ〖ドの凱びの徒盧だけは湯らかになっており、2010鉗の23帛邊が2010鉗に110帛邊の4.78擒になると徒鱗している。これは鉗唯士堆喇墓唯に垂換すると36.8%になる。SiCの輝眷憚滔はまだ井さいものの、SiCは喇墓が袋略できる瀾墑といえる。
