パワ〖染瞥攣の廈瑪が寵券、1000A甸の券排脫IGBTから眶Aのパワ〖ICまで
パワ〖染瞥攣のニュ〖スが謄球病しの1降粗だった。呂哇各券排や慎蝸券排など浩欄材墻エネルギ〖を券欄させる券排疥から、それを跟唯よく流るだけではなく士潔步する流排俐討のスマ〖ト步など、排蝸エネルギ〖に簇犯する輝眷はこれから四れ懼がる。この排蝸を木儡擴(kuò)告するのがパワ〖染瞥攣、その掐蝸であるゲ〖トをドライブするトランジスタやICも澀妥となる。そのICを擴(kuò)告するのがマイコン。排蝸輝眷は染瞥攣炳脫の術(shù)桿だ。
パワ〖染瞥攣と辦庚に咐っても眶Aのものから1000Aクラスのものまであり、鏈て浩欄材墻エネルギ〖に蝗える染瞥攣ではない。辦數(shù)で、久銳排蝸を布げるインバ〖タ脫のパワ〖トランジスタ、排富脫のトランジスタもある。トランジスタをIC步したパワ〖ICもある。
黎降券山のあったパワ〖染瞥攣で呵も絡(luò)きな排蝸を艱り胺うのが、話嫂排怠が慎蝸ˇ呂哇各券排システム羹けに倡券したIGBTモジュ〖ルだ。2墑鹼あり、いずれも2燎灰菇喇だが、それぞれ2500A/1200Vと1800A/1700VのIGBTモジュ〖ルだ。ここまで絡(luò)きな排萎を胺うとなると、券錢も絡(luò)きいため垮武を網(wǎng)脫する。
ルネサスの排蝸ロスを娃えたパワ〖染瞥攣とは、冷憋房DC-DCコンバ〖タの呵姜檬に蝗うパワ〖MOSFETのこと。排暗は40V×100Vのファミリ〖で年呈排萎は40A。サ〖バ〖や答孟渡脫の奶慨怠に丁惦する排富脫のパワ〖トランジスタである。ゲ〖ト-ドレイン粗の大欄推翁を負(fù)らし、スイッチングロスを負(fù)らしたのが潑墓。
シリコンよりも光補(bǔ)で蝗えるSiCやGaNのワイドギャップ染瞥攣を網(wǎng)脫するパワ〖トランジスタの活侯券山もあった。12奉7×9泣に倡かれたIEDM∈International Electron Devices Meeting∷においてNECグル〖プがGaNパワ〖トランジスタ、パナソニックがGaNのインバ〖タICを券山した。鼎に少晃奶甫墊疥が倡券したHEMT菇隴のトランジスタを蝗い、光卵暗ˇ你オン鳥鉤を悸附している。鼎にSi答饒の懼にGaNを喇墓させるという數(shù)恕で絡(luò)庚仿步を謄回す。
炯下排供は山燙の士たん拉が庭れるSiCの馮窘ウェ〖ハを翁緩步することを山湯、レ〖ザ〖テックは譬湯なSiCウェ〖ハの風(fēng)促を浮漢する劉彌を券卿、SiCデバイス瀾隴を稿病しする。
呂哇排糜セルも染瞥攣フォトダイオ〖ドであるため、染瞥攣メ〖カ〖が呂哇排糜に渴叫することは睹くことではない。ただ、妄鱗弄な染瞥攣デバイスが界數(shù)羹排暗VFをできるだけ井さくしたいのに灤して呂哇排糜はVFの絡(luò)きなフォトダイオ〖ドを妥滇する。各が碰たったらすぐに排灰賴功灤が券欄し、しかも墓積ちさせる∈警眶キャリヤのライフタイムをできるだけ墓く∷、かつ界數(shù)羹排暗も光くしたい。これが呂哇排糜に妥滇される潑拉であり、排萎のスイッチングを肩謄弄とするデジタルやアナログのLSIとは般う慌屯となる。いわば叫丸祿ないのフォトダイオ〖ドと咐えないこともない。
黎降は駱涎のTSMCが駱涎の呂哇排糜セルメ〖カ〖のモ〖テック家に20%叫獲したというニュ〖スがあった。勢柜でも染瞥攣チップメ〖カ〖のサイプレスセミコンダクタ〖が呂哇排糜セルメ〖カ〖を槐布に箭めている。サムスンも呂哇排糜に渴叫する。
排蝸討の糠しい妨輪としてスマ〖トグリッドへの鷗倡をにらみ、排蝸メ〖タ〖脫の染瞥攣チップの倡券にNECエレクトロニクスが蝸を掐れている。帽なる排蝸メ〖タ〖ではなく、列數(shù)羹でさまざまな怠墻も肋けるスマ〖トメ〖タ〖にも鷗倡するようだ。スマ〖トメ〖タ〖脫のシステムLSIを倡券する。
11泣の泣沸緩度糠使で鼠じられた勢リニアテクノロジ〖のバッテリ〖排暗雌渾ICは、極瓢賈脫リチウムイオン排糜のモニタ〖脫のパワ〖IC≈LTC6801∽である。リチウムイオン排糜は1セルで3×4Vしか排暗を券欄しないため、極瓢賈脫では木誤に100改奪く儡魯し350V鎳刨まで競暗する。その箕にセル1改1改の排暗をモニタ〖しバラつきを娃え、慨完拉の昔步によるバラつきを娃えるように擴(kuò)告するためのICである。IC1改で呵絡(luò)12改木誤儡魯されたセルをモニタ〖できるため、極瓢賈1駱碰たり8×10改蝗われる紛換になる。候鉗券山したLTC6802は絡(luò)翁關(guān)掐箕でも1000邊鎳刨の帽擦であり、海攙はその染尸笆布の西擦惹となる。
