染瞥攣瀾墑の蹦度蝸を籠動する瓢き、光補染瞥攣倡券とその啼瑪爬を的俠する
黎降の瓢きの面でLSIチップとして呵も丹になったニュ〖スは、泣塑TIが染瞥攣の蹦度凋爬を5擒に籠やすというニュ〖スである。ここ1×2泣ではパワ〖染瞥攣の倡券に羹けたニュ〖スが叫てきた。パワ〖染瞥攣とはいっても排丹極瓢賈輝眷に羹けた光補瓢侯が材墻な潑檢なSiCあるいはGaNによるデバイス倡券だ。
染瞥攣デバイス瀾墑の蹦度蝸を動步するためには杠狄の呵黎眉供眷や倡券凋爬の奪くに蹦度疥を菇え、杠狄エンジニアの染瞥攣攙烯肋紛などの陵錳に沒箕粗で灤炳し、肌の倡券のヒントにする。糠憚減廟にもつなげられる。潑に、TIの評罷なアナログ瀾墑の杠狄は鏈坤腸で1它5000家を畝える、と傅TI柴墓のトムˇエンジボス會は3鉗漣のインタビュ〖で批えていた。泣塑にもかなりの眶の杠狄がいるに般いない。鏈柜稱孟に杠狄をサポ〖トし、肌の瀾墑倡券に欄かすためには杠狄のそばにいる數がその措度の蝸は欄きてくる。
泣塑の染瞥攣メ〖カ〖は蹦度蝸が煎いと、アイサプライの祁李會は回紐していたが、杠狄のエンジニアと票じ渾俐でディスカッションするためには染瞥攣メ〖カ〖からもエンジニアが灤炳しなくてはならない。それも沸賦誰かなエンジニアが灤炳する。杠狄の滇めるニ〖ズを100%くみ艱るためには、CPUやマイコン、ASICなどのデジタル攙烯の夢急だけではなくインタ〖フェ〖スや件收攙烯、パワ〖マネジメントもカバ〖するアナログの夢急も澀妥とするからだ。
TIは、MPEG暗教禱窖の倡券を姜え、棉僑の甫墊疥を誓嚎する。泣塑で甫墊するネタはもはや警ないと斧たのだろう。その尸、蹦度蝸をつなげて經丸の泣塑輝眷を動步すると斧るのが海攙の辦息の瓢きだろう。
6奉22泣の泣塑沸貉糠使では、少晃排怠と概蠶排供がGaNウェ〖ハを蝗いパワ〖デバイスを鼎票で倡券すると鼠じている。これまでホンダとロ〖ムがSiCウェ〖ハのパワ〖デバイスを鼎票倡券する紛茶で、泣沸では鼠じていないが、デンソ〖もSiCウェ〖ハからデバイスまで極家倡券している。サンケン排丹もGaNパワ〖デバイス倡券に艱り寥んでいる。
Si笆嘲の亨瘟でパワ〖デバイスを倡券する瓢きが寵券になっているが、丹にかかることはMOS菇隴ができるかどうかという爬で、企つの亨瘟に尸かれていることだ。丹にかかるとは紊い罷蹋でも礙い罷蹋でも廟謄しているということ。
すなわち、Si笆嘲の光補瓢侯が材墻な染瞥攣SiCやGaNはエネルギ〖バンドギャップが弓いという潑墓を積つことが光補瓢侯材墻だということにつながっている。嫡に豈しさもあるということだ。啼瑪爬としては、Siプロセスでさえ、呵介の煥步供鎳では1000☆を畝す錢借妄をすることから、SiCやGaNだと1300×1400☆の錢借妄は碰臉のように乖われるだろうと鱗嚨できる。惜看瓷の潔灑や潑檢なプロセスが澀妥となってくる。もう辦つの付妄弄な啼瑪は、バンドギャップが弓いため、pn儡圭によるバイポ〖ラ瓢侯では界數羹排暗が2.5V笆懼と排暗祿己が絡きくなる。すなわちIGBTは侯りにくいということになる。
では、SiCやGaNデバイスはどのようなトランジスタになるか。MOSFETかJFETだろう。このうちMOSFETはノ〖マリオフ房のデバイスを推白に侯れるが、JFETはそうはいかない。nチャンネルならゲ〖トに砷の排暗をかけなければオフしないため、バイアス菇隴がやや剩花になる。MOSFETの啼瑪爬は、いわゆる腸燙潔疤泰刨の警ないMOS腸燙を侯れるかどうかという爬だ。SiCのMOS腸燙、GaNのMOS腸燙、MOS擴告するためには鼎にきれいな腸燙を侯り叫すことが風かせない。
かつてシリコンのMOS腸燙を虐攆弄に豺湯し、きれいにし呵努なプロセスを斧つけるのに泣塑も崔めた坤腸面の甫墊莢が定蝸して池柴でディスカッションを帆り手してきた。海は牢とは般って、MOS腸燙菇隴を豺湯するためのツ〖ルも路ってきた。妨喇數恕も錢煥步だけではなく、ダメ〖ジの警ないプラズマCVDをはじめとしてさまざまな數恕が掐緘材墻だ。GaN腸燙、SiC腸燙とも牢よりは玲くプロセスを澄惟できるとは蛔うが、チャレンジングなテ〖マであることには恃わりはない。だからこそ、1家で倡券するのではなく、稱家の甫墊莢が夢訪を叫し圭う池柴のような寥駿が澀妥になる。
躥柜では、排丹極瓢賈に羹けて排糜や締廬郊排の慌屯や憚呈を瘋めるための幢癱定的柴を券顱させるというニュ〖スがあった。慌屯や憚呈を瘋める眷圭こそ、幢が癱粗措度を蘆ねる澀妥がある。柜踩プロジェクトとしてのあるべき謊かもしれない。
