��来半導��デバイスメーカーを会�^企業とするSEMATECHであるが、先端半導�����]には優れた����・材料サプライヤーとの共同開発など協業が�Lかせないとの見�気�ら、今�vの相互協��は、SEMATECHと優れたサプライヤーとの新しいコラボレーションのスタートといえる。また、今�vの協業モデルはサプライヤーに�瓦靴�、研�|開発コストの削��、�\術開発における成果の�膿福∈農菽��攵妌場への効率的かつ効果的な�\術導入をもたらす。

　両�v間の契約には、��的財��の交換と�@金提供を含み、SEMATECHと東�Bエレクトロンのエンジニアは、（1）量��における3Dインターコネクトプロセスの障壁�]破を�`指す3�Q��画のプログラム、（2）トランジスタのゲートスタックにSiGeを使��し、処理スピード向�屬硫���性を高める2�Q��画のプログラムという2つのプロジェクトを平行して走らせる。

　今�vの3Dインターコネクトプログラムでは、SEMATECHと東�Bエレクトロンは、Cost of Ownership(COO)モデリング、プロセスのベンチマーク、�Y��化確立、�\術ロードマップの作成、3Dインターコネクト（楉魅ΕА璽魯轡螢灰鵝Ε咼△侶狙�）など、開発の初期段階におけるさまざまな課��に共同で�Dり組むことになる。この�Dり組みに関連して、東�Bエレクトロンは、国内の開発拠点でこれまでに培った広�Jなハイレートエッチングの�ξ�を����するとともに、SEMATECH傘下にある試作開発ファンドリー、ATDFにインストール済みの低誘電率（low-k）エッチング����をアップグレードする。このアップグレードにより、�H孔性のlow-k素材のエッチングの解析における柔軟性が�jきく�\すとともに、プロセス均�k性とチャンバーの�ξ�の向��、さらには、45nmおよび32nm世代向けのlow-k素材の開発に寄与することが期待される。

　3Dインターコネクトテクノロジは��来の2次元デザインに比べて、高性��、高機��性、省電��、省スペース、開発�J削��、Time-to-marketの�]縮化などに�jきな期待が寄せられている、とSEMATECHのInterconnect�靆臘垢�Sitaram Arkalgud��は述べ、東�Bエレクトロンの本プログラムへの参画はこの�\術開発にむけたインフラ構築に画期的な�k歩となったと語っている。
　東�Bエレクトロンが３Dインターコネクトと同時に�Tんだもう�kつの契約プロジェクトは、FEP分野で、両�vはhigh-kメタルゲート材料開発にむけて共同で�Dり組む。