DRAMのトップ3家による輝眷シェアは94%、采貍步魯く
2021鉗のDRAM輝眷は、漣鉗孺42%籠の961帛ドルになったとIC Insightsが鼠桂した。腆11名邊である。この柒、Samsung、SK Hynix、Micron Technologyの3家が貍める輝眷シェアは94%で、采貍步が魯いている。トップのSamsung、Hynix、Micronのそれぞれのシェアは、43.6%、27.7%、22.8%となっており、その戮は5.9%しかない。

哭1 DRAM輝眷は懼疤3家が94%のシェア 叫諾¨ IC Insights
2021鉗におけるSamsungのDRAM卿懼馳は419帛ドルで、プロセス弄にも黎片を乖く。2020鉗3奉にはEUVリソグラフィ禱窖を瞥掐、2021鉗10奉から14nmのDDR5 DRAMを翁緩し幌めた。しかも、14nmDRAMプロセスでは、EUVを蝗うプロセス供鎳を碰介の2供鎳から5供鎳に籠やしたという。11奉には14nmの16Gビット∈2Gバイト∷你久銳排蝸のLPDDR5X DRAMを5Gや怠常池漿、ビッグデ〖タの呵姜炳脫怠達などの光廬脫龐に倡券した。このDRAMは、貸賂のLPDDR5デバイスよりも1.3擒光い8.5Gbpsのデ〖タ借妄廬刨を積つとしている。また、Samsungは、糠しいインタ〖コネクト憚呈のCXL∈Compute Express Link∷をサポ〖トするDRAMメモリモジュ〖ルをリリ〖スしたのに魯き、2GBのGDDR6や極瓢賈脫2GBのDDR4をリリ〖スした。
シェア2疤のSK Hynixの卿懼馳は、漣鉗孺39%籠の266帛ドル。DRAMは票家の鏈染瞥攣卿懼馳の71%を貍めている。脫龐の柒條は、サ〖バ〖脫が40%、モバイル脫35%、PC脫15%、癱欄脫とグラフィックス脫がそれぞれ5%となっている。DRAMチップをTSV∈Through Silicon Via∷などで3DにスタックしたHBM∈High Bandwidth Memory∷3も票家は叫操している。また2021鉗にはHynixもEUVを瞥掐して1αnmクラスのプロセスを蝗ってLPDDR4 DRAMの翁緩に掐った。
Micronは、漣鉗孺41%籠の219帛ドルを卿り懼げた。これはMicronのIC卿懼馳300脖ドルの73%に碰たる。票家も1αnmのプロセスノ〖ドでDDR5 DRAMの欄緩を海鉗稿染に倡幌する。票家は1αnmノ〖ドからではなく、1ɤnmノ〖ドでの欄緩にEUVを蝗う徒年で2024鉗に欄緩を倡幌するとしている。
ロジックでは7nmノ〖ドから辦嬸EUVを蝗い幌め、5nmノ〖ドからはEUVを肩攣に蝗っている。ただ、TSMCが7nmプロセスと咐ってもチップ懼の芹俐には7nm升の潰恕はどこにもない。毋えば、Intelの14nmプロセスはTSMCの7nmプロセスよりも箋闖絡きい鎳刨であり∈徊雇獲瘟1∷、7nmは悸狠の潰恕を山していない。また、帽疤燙姥碰たりのトランジスタの眶で山わしているWikiChipによると∈徊雇獲瘟2∷、Intelの10nmプロセスでは1帛76它トランジスタ/mm2であるのに灤して、TSMCの7nmプロセスでは9120它トランジスタ/mm2しかない。
DRAMのようなメモリではプロセスノ〖ドが20nmを充ってからは、1x nm∈19×18nm∷、1y nm∈18×17nm∷、1z nm∈16×15nm∷、と癸みながら腮嘿步してきた稿、1α nm∈15×14nm∷からは1β nm∈14×13nm∷、1ɤnm∈13×12nm∷とさらに警しずつ腮嘿步が渴んできた。DRAMで、15nmくらいからEUVが蝗われるということは、TSMCの5nmプロセスの悸劑弄な呵井潰恕は、15nm鎳刨のようだ。
塑碰に悸狠の潰恕が3nmや2nmとなると、付灰の絡きさに嗓濃するようになり、ドナ〖やアクセプタの稍姐濕腔刨がSi付灰眶の紗它尸の辦でMOSトランジスタがオンすることを雇えると、MOSFETのドレインからソ〖スの粗に稍姐濕が1改あるかないかのレベルにまでなってしまい、ゲ〖トしきい排暗は絡きくバラつきトランジスタ瓢侯はしないはずだ。
徊雇獲瘟
1. Ridley, J, "Intel 10nm isn't bigger than AMD 7nm, you're just measuring wrong", PC Gamer (2020/04/29)
2. "7 nm lithography process", WikiChip