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世�c半導��材料�x場、2012�Qには4兆1,100億�に

2007年4月16日｜�x場分析

－2012�Qの異�菊嚇泥侫�襯狎つc�x場予�R　1,400億�　2006�Q比47%�\に－

　富士経済は、先端材料を中心に成長を�ける世�cの半導��業のプロセス材料について調�hを行った。その�T果を調�h報告書「2007�Q 半導��材料�x場の�貌」にまとめた。この報告書は、最先端の世�c半導��材料�x場の�i工�および後工�の主要材料58��`を�Dり�屬欧瞳Q�|素材別、地域別などあらゆる角度から分析して開発��のマーケティング戦�Sを立案するためのデータを提供する。

　06�Qの世�c��の半導��材料�x場��模は、�i工�と後工�を合�すると3兆2,100億�となっている。今後半導��x場の成長に伴い、12�Qには、4兆1,100億�に達すると予�Rされる。06�Q実績を分野別に見ると、最�jの材料�x場は「半導��ウエハ」であり1兆1,800億�（��の37%）である。次いで「実��慙◆廚�7,430億�（同23%）、「フォトリソ関連」の3,860億�（同12%）と�いている。

◆調�h�T果の�要

　今日、世�cの半導��業は、アジア地域を中心としたエレクトロニクス��の�要拡�jを背景に好調な成長を�けている。世�c半導��x場統�（WSTS）によると、07�Qには世�c半導��x場の��模は�i�Q比8.6%�\の2,679億�櫂疋襪肪�垢觚�未靴任△�。こうした発�tは、携帯電�B、FPD、デジタル家電といった応��の�H様化および高機�Σ�、中国を始めアジア�x場の�成長が背景となっている。
　今後はカーエレクトロニクスもこの�x場を牽引すると期待が高まっており、半導��メーカーは�j口径ラインの�\設��Uを�啣修垢襪覆鼻��発な投�@を進めている。�k�気箔H�T晶シリコンの供給が逼�して、�Jに供給不�Bと単価の�峺�を�dいている。また環境��Uが厳格化して半導��関連メーカーに�瓦靴討眞狼縣a暖化係数の低い材料の使�や効率的なリサイクル・プロセスシステムの構築を求めている。
　半導��業を�Г┐襯廛蹈札杭猯舛�海Δ靴甚X況下で�R�`を集めている。��に微細化�\術（45nmの�n動から32nmの実�化）や銅配線化の進�tなどは、今後デバイスの性�Ω�屬柾Lかせない。そのため、Low-k、High-k、高誘電率キャパシタ絶縁膜など先端プロセス材料の最新動向は、次世代高機�Ε妊丱ぅ抗��屬年�定的な�_要性を�eつ。

◆半導��材料の世�c�x場�t望

2006�Q　3兆2,100億�　�i�Q比16.9%�\
2012�Q　4兆1,100億�　2006�Q比28.0%�\

　06�Qの世�c��x場��模は、�i工�と後工�を合�すると3兆2,100億�となっている。今後半導��x場の成長に伴い、12�Qには、4兆1,100億�に達すると予�Rされる。06�Q実績を分野別に見ると、最�jの材料�x場は「半導��ウエハ」であり1兆1,800億�（��の37%）である。次いで「実��慙◆廚�7,430億�（同23%）、「フォトリソ関連」の3,860億�（同12%）と�いている。

（1）�i工�材料�x場（44��`）
2006�Q　2兆750億�　�i�Q比17.5%�\
2012�Q　2兆6,440億�　2006�Q比27.4%�\

　�i工�材料は半導��材料��の6割�咾鰒�める。その中でも最�jのシリコンウエハ�x場が1兆1,000億�、�Q平均3%�Pびて12�Qには1兆3,300億�（06�Q比21%�\）になると予�Rする。300mmの�j口径化や半導��x場の成長に伴い�\加している。但し、懸念材料は�陵枦澱咾悗厘�要から�H�T晶シリコンの供給が逼�していることである。
　2番�`に�jきいフォトマスク�x場は、09�Qに本格化する32nmプロセス�露光�擬阿瞭宛��拭璽縫鵐哀櫂ぅ鵐箸箸覆觚��。最先端材料として�R�`されているLow-k（誘電率ｋ<3.0の層間絶縁膜）�x場は12�Qに倍�\、高誘電率キヤパシタ絶縁膜は12�Qに3倍��模に達する見通しであり、�来性が期待される。High-kゲート絶縁膜�材料�x場は09�Q頃に本格的な立ち�屬�蠅��泙譴襦�
　CMP（化学的機械研磨）関連ではスラリー（研磨剤）とパッド（研磨布）共に銅配線向けが�\加しており、参入メーカーが相次いでいる。高純度薬�]は�W定した�x場推�，鮓�擦討�蝓��浄・エッチング�ガスでは�フッ化窒素、アンモニアガスの成長が�`覚しい。また�Z�Qは亜�┣獣眩任両��\が�R�`されている。

（2）後工�材料�x場（14��`）
2006�Q　1兆1,346億�　�i�Q比15.8%�\
2012�Q　1兆4,692億�　2006�Q比29.5%�\

　後工�材料では最�j��模の実��慙∧�遒砲�い謄蝓璽疋侫譟璽珈x場が2，350億�、今後�Q平均3%�Pびて12�Qには2、870億�になると予�Rする。これに�lフリーはんだが2,270億�で�いており、同じく�Q平均3%�Pびて12�Qには2,650億�になると予�Rされる。素原料の値�屬欧發△襪��要は拡�jしている。
　TAB/COF（Tape Automated Bonding/Chip On Film）�x場は、TABからCOFへ代��覆鵑任�蝓�08�QにはCOFの850億�がTABを�{い越す見込みである。ボンディング材料では、ボンディングワイヤが2,500億�に達した。またダイボンディング材料は08�Qにフィルムタイプの130億�がペーストタイプの125億�を��vると見られる。封�V材料では、パッケージの小型・微細化を背景にフリップチップ向けやCOF向けの�]�X封�V材料が成長している。

◆�R�`される�x場

（1）高誘電率キャパシタ絶縁膜�材料
2006�Q　65億�　�i�Q比30.0%�\
2012�Q　190億�　2006�Q比192.3%�\

　�来からキャパシタ絶縁膜で採�されていたSiO2�UやSi3N4�Uと比べて、高誘電��を採�したキャパシタ絶縁膜を指す。06�Qの世�c�x場��模は、数量ベースで4.3トン、金�Yベースでは65億�となっている。
　�JにR&D主��から量�化へ本格�t開が始まっており、販売量も�Q々�\加している。06�Qはウィンドウズ・ビスタ搭載PCや高性�Ε押璽犁　福�Wii」のDRAM混載LSIなど）向けにDRAMの�攵��任�、Samsungの�攵�インの立ち�屬�蠅�NEC�儼舛覆匹療蟀@が�要を押し�屬欧燭噺�蕕譴�。07�Qは引き�きDRAMやフラッシュメモリの�\�が見込まれ、08�Q以�Tもエルピーダメモリと�晶半導��（�湾）の合弁メーカーによる�j型投�@�画が��に�要を押し�屬欧襪抜鋿圓気譴襦�８紊皀妊丱ぅ垢僚j容量化や薄膜化に伴い、�要は拡�jし�ける見込みである。
　世�cのトップメーカーADEKA（日本）が��の7割弱と圧倒的なポジションを確保し�M�的にシェアを維�eする可��④�發�。�く高純度化学研�|所は�\術�と高度な��譽戰襪膨�hがある。

（2）�フッ化窒素（NF3）
2006�Q　500億�　�i�Q比16.3%�\
2012�Q　840億�　2006�Q比68%�\

　�フッ化窒素は、環境�官�僕イ譴織廛薀坤�CVD（化学�^�）チャンバークリーニング�ガスとして�成長している。�B都議定書により半導��工場が排出するＰＦＣガス��Uが厳しくなり、地球�a暖化係数が高く、�j気�T在�Q数の長いガスを削�する動きが�{い風となっている。エアープロダクツ（アメリカ）や国内メーカー中心の�x場に�Z�Qは�f国・�湾・中国メーカーが参入して�Q社とも�\��画が�`立つ。今後とも新設工場では、6フッ化硫黄の代��箸靴沌e素の出ない�フッ化窒素が使われる見込みである。
　06�Qの世�c�x場��模は、�i�Q比20%�\の3,850トン、金�Yベースで�i�Q比16%�\加の500億�であった。地域別では日本を含むアジアが圧倒的なシェアとなっている。国内�x場の��模は数量ベースで650トン、金�Yベースで86億��度である。現在、半導��やLCD�要の拡�jにより�Q率10%以�屬寮�垢任△�、世�c�x場は10�Q頃には7,000トンを�えると見られる。�f国や�湾などが世�cの半導��・�]晶�攵呄地として巨�jな�要量となっている。半導��では300mmラインの�\加や�]晶では��8世代以�Tの�j型パネル�攵�牽引してゆくことは確実であろう。今後は中国やシンガポール�要の�頭、�]晶向けでは�f国・�湾メーカーの新��\設が牽引役となる。
　世�c��のメーカーシェアは、エアープロダクツが39%と圧倒的に高い比率を�めている。国内メーカーは世�cシェア20%�で関東電化工業と�井化学が�っている。

（3）異�菊嚇泥侫�襯�
2006�Q　950億�　�i�Q比13.1%�\
2012�Q　1,400億�　2006�Q比47.4%�\

　異�菊嚇泥侫�襯爐聾釮�妓��e�妓�砲貌嚇鼎�C�妓�焚�妓�砲任論箟錣垢襯侫�襯爐�、FPD、��にLCDのICドライバ実��の�要が殆どである。�要量は�j型�]晶パネルの�攵剦�jに伴い�j幅に拡�jしている。06�Qの世�c�x場��模は、�i�Q比29%�\の49万キロメートル、金�Yベースで�i�Q比13%�\の950億�であった。�要は�j型�]晶パネルの�攵剦�jとともに拡�jして12�Qには110万キロメートル、金�Yベースで06�i�Q比47%�\の1,400億��模になると予�Rする。先行メーカーである日立化成工業（��@「ANISOLM」）がトップシェアである。高い�\術�が�㌫廚箸気譴襪燭疇�U企業のシェアが高く、日立化成工業とソニーケミカル＆インフォメーションデバイスの合�販売数量が45万キロメートルで��の約92%を�めていると推定される。
　ソニーケミカル＆インフォメーションデバイスは携帯電�B機やノートPC向けで価格の高いCOG（ガラス基�に直接半導��チップを実�△靴��）�の販売数量が�Hく、販売金�Yでは40%�度のシェアを�めていると推定される。サムスン電子の�U�`である��k毛�EやＬＧ電子の�U�`であるLS Cableが参入しているが、�\術�から�jきなシェアを�めるまでには至っていない。

出�Z：富士経済、世�c半導��材料�x場の調�hを実施

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