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2006Qの中国の半導x場模は300mm投@中心に20億ドル模に

2008Qまでの3Q間で98億ドル投@見込む

 2006Qの中国の半導x場は2004Q模の20億ドル模となり、2006Q〜2008Qの3Q間では、98億ドルが予Rされるとの見通しが、SEMIからの調h報告書で発表された。この金Yは2001Q〜2005Qの5Q間の総Y87億ドルを?j┼n)vる。

 中国の半導x場を牽引する要因として、300mmファブと先端プロセス\術への投@がある。k(sh┫)で、BのмqやL外企業からの@金q\がu(p┴ng)られない新ファブについては、設投@は常に厳しいX況となっているという。

 報告書によると、今後3Q間で、少なくとも5つの新300mmファブの建設が予定されている。300mm官の設投@は2008Qまでの設投@Yの70%をめると推定される。


中国の半導x場予R


 300mmファブへの新設投@が実際に攵U(ku┛)に反映されると予[される2008Qまでには、Q攵キャパシティの成長率は16%になると予[されている。

 ファブ向けの材料もまた今後3Q間、M(f┬i)して成長すると見られ、2007Qのファブ向け材料x場は、新300mmファブの順次n動を背景に、iQ比58%\が見込まれている。
こうした材料x場\見込みから、地場材料企業はBからのмqをpけるとともに、アライアンスに積極的e勢をDっている。

ごT見・ご感[
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