半導�����]����は21�Qに�垉邵嚢發�SEMIが予�R
2020�Qの世�cの半導�����]�����x場は、�i�Q比6%�\の608億ドルになりそうだという見込みをSEMIが発表した。19�Qは同11%��の576億ドルだが、21�Qにはこれまで最高の18�Qレベルを3.7%��える668億ドルになるとSEMIアナリストのClark Tseng��が述べた。これをけん引する半導��チップは何か。
図1 SEMIが発表した今後の世�c半導�������x場 出�Z：SEMI
図1の数�Cには、半導��チップを作るためのウェーハプロセスと後工��（テストとパッケージング）の���]����を含み、シリコンインゴットや�T晶ウェーハを���]する����は含まない��図1の地域をよく見ると、2019�Qは�f国が�jきく落とし、��湾が53%�Pびると見込んでいる。つまり、�f国が�u�Tなメモリ投�@は�k段落で、��湾が�咾ぅ蹈献奪�ファウンドリへの投�@が��発になったといえる。21�Qはメモリ投�@が再び立ち�屬�り、2018�Qレベルを�sくとSEMIは見ている。
2019�Qは��湾に加え、�盜颪�34%�Pびる見込みであるが、これはIntelの投�@が�jきいとTseng��は語る。7nmプロセスからEUVリソグラフィが使われているが、オランダのASMLが出荷した����はこれまで����で35��で、ほとんどがTSMCとSamsung向けである。Tsengは「Intelの微細化へのロードマップがアグレッシブではないため、1〜2�Q��れて2021�Q以�TにEUVが本格導入されるのではないか」、とみている。
中国�x場への投�@は20�Qに�\えると当初は予�[されていたが、メモリ投�@が��れたために19�Q、20�Qともそれほど�jきくはない。実は、中国投�@の中身、中国に建設した外�@の工場への投�@が�jきい。中国はDRAMとNANDフラッシュの工場建設と投�@を加�]してきたが、19�Q、20�Qともメモリ��要が立ち�屬�らない�X況が��くため、これまでのところ中国への投�@を見合わせている。SamsungのNANDフラッシュ���W工場や、SK Hynixの無錫DRAM工場への投�@が��少したため、19�Qは投�@を��らした。
しかし、中国現地のYMTCが��漢にNANDフラッシュの工場への投�@を進めている。このため、今�Qは少し投�@が��るものの20�Qは少しずつ�\えていくと、予�[している。さらに21�Qには中国でのメモリ工場が立ち�屬�るため、設��投�@はもっと��発になると見ている。
