2019鉗のシリコンウェ〖ハ燙姥は18鉗の6.3%負でも2017鉗よりは籠裁
SEMIは、2019鉗に叫操されるシリコンウェ〖ハは、漣鉗孺6.3%負の117帛5700它士數インチの燙姥になりそうだと徒盧を叫した。シリコンウェ〖ハは、2020鉗には奧年になり、2020鉗、21鉗と緬悸に喇墓していく、という斧奶しを券山した。
哭1 シリコンウェ〖ハの叫操燙姥の夸敗 2019鉗は6.3%負だが2017鉗よりは驢い
SEMIが券山したシリコンウェ〖ハ燙姥は、2017鉗には116帛1700它士數インチであったため、19鉗の燙姥が漣鉗よりも負ったとはいえ、メモリバブルの17鉗よりは1.2%籠と籠えている。ここでも染瞥攣の攙牲答拇がみられるという條だ。
染瞥攣輝眷は、漣鉗孺13×14%負となる徒鱗が驢くの輝眷拇漢柴家から券山されているが、シリコンウェ〖ハの叫操燙姥は染瞥攣輝眷ほど赦き睦みが楓しくない。裁えて、リ〖マンショックの逼讀を蕊った箕の2009鉗には、シリコン燙姥は票17.6%負と絡きく皖ち哈んだ箕と孺べるとさほどでもない。
この秦肥には、2017鉗、18鉗がメモリの欄緩翁をさほど籠やさずに帽擦の猛懼がりでメモリメ〖カ〖が絡藤けしたメモリバブルだったことがある。潑にDRAMは2017鉗に欄緩綏眶をほとんど籠やさなかった。ただし、NANDフラッシュは64霖の3D-NANDの欄緩惟ち懼げで殊偽まりが礙かったために欄緩綏眶を籠やしたが、2018鉗に掐ると殊偽まりが猖簾したため、ウェ〖ハ抨掐綏眶を驕丸奶りにすると欄緩翁が籠えたために猛布がりが幌まった。18鉗にはDRAMの欄緩綏眶も懼がっただけではなく、メモリ笆嘲のチップ瀾墑の墑稍顱も謄惟ってきたため、ウェ〖ハの欄緩綏眶は籠えた。
2019鉗は哼桿拇臘に納われてきたが、メモリ笆嘲は警しずつ見妥が籠え幌めた。ファウンドリメ〖カ〖の覺斗から、このことは斧えている∈徊雇獲瘟1∷。ファウンドリでは、1疤と2疤のTSMCとSamsungだけが2019鉗の媽3煌染袋は1鉗漣と孺べてプラス喇墓で、戮のファウンドリは鏈てマイナス喇墓である。ただし、マイナス喇墓と咐っても驢くのファウンドリが6%負鎳刨であり、燼は栗い。アナログをメインのサ〖ビスとしているTowerJazzは3%負にとどまっており、攙牲答拇を山している。
プラス喇墓のTSMCとSamsungは、スマ〖トフォン羹けの7nmアプリケ〖ションプロセッサを瀾隴しているためにこの僵からの糠瀾墑に羹けてプラス喇墓となっている。7nmプロセスでの卿り懼げが絡きく棺弗しており、スマホ羹けの糠しいプロセッサの見妥と鼎にプラス喇墓が斧哈まれている。
徊雇獲瘟
1. TSMCの7nmプロセス卿り懼げが締凱 (2019/09/27)
