図1　シリコンウェーハの出荷�C積の推�　�2019�Qは6.3%��(f┫)だが2017�Qよりは�Hい

SEMIが発表したシリコンウェーハ�C積は、2017�Qには116億1700万平��(sh┫)インチであったため、19�Qの�C積が�i�Qよりも��(f┫)ったとはいえ、メモリバブルの17�Qよりは1.2%�\と�\えている。ここでも半導��の�v復基調がみられるという�lだ。

半導���x場は、�i�Q比13〜14%��(f┫)となる予�[が�Hくの�x場調�h会社から発表されているが、シリコンウェーハの出荷�C積は半導���x場ほど浮き沈みが��しくない。加えて、リーマンショックの影�xを被った時の2009�Qには、シリコン�C積は同17.6%��(f┫)と�j(lu┛)きく落ち込んだ時と比べるとさほどでもない。

この背景には、2017�Q、18�Qがメモリの�攵盋をさほど�\やさずに単価の値�屬�りでメモリメーカーが�j(lu┛)儲けしたメモリバブルだったことがある。��にDRAMは2017�Qに�攵���数をほとんど�\やさなかった。ただし、NANDフラッシュは64層の3D-NANDの�攵癉ち�屬欧琶��里泙蠅��Kかったために�攵���数を�\やしたが、2018�Qに入ると歩�里泙蠅�改��したため、ウェーハ投入��数を��来通りにすると�攵盋が�\えたために値下がりが始まった。18�QにはDRAMの�攵���数も�屬�っただけではなく、メモリ以外のチップ����の��不�Bも�`立ってきたため、ウェーハの�攵���数は�\えた。

2019�Qは在�U調�Dに�{われてきたが、メモリ以外は少しずつ��要が�\え始めた。ファウンドリメーカーの�X況から、このことは見えている（参考�@料1）。ファウンドリでは、1位と2位のTSMCとSamsungだけが2019�Qの��3四半期は1�Q�iと比べてプラス成長で、他のファウンドリは��てマイナス成長である。ただし、マイナス成長と言っても�Hくのファウンドリが6%��(f┫)��度であり、�aは浅い。アナログをメインのサービスとしているTowerJazzは3%��(f┫)にとどまっており、�v復基調を表している。

プラス成長のTSMCとSamsungは、スマートフォン向けの7nmアプリケーションプロセッサを?y┐n)��]しているためにこの秋からの新����に向けてプラス成長となっている。7nmプロセスでの売り�屬欧��j(lu┛)きく貢献しており、スマホ向けの新しいプロセッサの��要と共にプラス成長が見込まれている。

参考�@料
1. TSMCの7nmプロセス売り�屬欧����P (2019/09/27)