Semiconductor Portal

» セミコンポータルによる分析 » x場分析

2018Qの世c半導は16%成長へ、WSTSが予R

2018Qの世c半導x場の成長率は、15.9%になる見込みだとWSTS(世c半導x場統)が発表した。今Qも二けた成長を維eしそうだ。別では、今Qもi半まではメモリバブルのX況がき、33.2%\とx場をけん引した。メモリ、にDRAM単価の値屬りにより半導売幢Yにめるメモリの割合は34.5%にまで跳ね屬った。

図1 世c半導x場は2019Q4779億ドル 今Qもメモリが高成長 出Z:WSTS

図1 世c半導x場は2019Q4779億ドル 今Qもメモリが高成長 出Z:WSTS


半導x場の模は2018Qには4779億3600万ドルに達しそうだ。2016Qまで半導に瓦垢襯瓮皀蠅糧耄┐23%i後で推,靴討い燭、この2Q間のメモリバブルの影xによって2017Qには30.1%にはね屬り、今Qは34.5%にまで高まった。金YベースではiQの1239億7400万ドルから1651億1000万ドルとなっている。

WSTSはメモリの内lを会^外にo表していないため、DRAMとNANDフラッシュそれぞれの成長率はわからないが、NANDフラッシュは2018Q初から単価の値下がりが始まっていたのに瓦靴董DRAMの単価はこの10月になってようやく下がり始めたところだ。このため、DRAMの成長率の気高く、NANDフラッシュの成長率はそれほど高くはなさそうだ。ちなみに2017QのDRAMは75%成長、NANDフラッシュは45%成長だった。メモリ平均で60%成長となっていた。


図2 ディスクリート半導もメモリの次に高成長 出Z:WSTS

図2 ディスクリート半導もメモリの次に高成長 出Z:WSTS


メモリの次に成長率が高いのは、ディスクリート半導の241億9400万ドルで11.7%となっている。ディスクリートの内の7~8割がパワートランジスタと言われており、パワーMOSFETやIGBTなどがPびているとみられる。ただし、ディスクリート半導のx場模は半導の内の5%しかないため、半導噞に瓦垢覬惇xは少ない。ディスクリートの次がイメージセンサやLED、レーザーなどのオプトエレクトロニクスの387億1500万ドル、その次がアナログICの10.8%成長であり、その金Yは588億300万ドルとなっている。

のx場模では2016Qまではロジックが最もjきかったが、2017Qにメモリにsかれ、2018Qは7.3%\の1096億7200万ドルとなっている。

来Qは半導x場で2.6%\の4901億4200万ドルとみており、このうちICは2.0%\の4095億5300万ドルと予Rしている。にメモリは完にバブルがはじけ、0.3%と{J少すると見ている。だからといってt、不況というlではないだろう。むしろ健な数%成長に戻るだろう。というのは、これからがIoTやAIチップなどが本格的に登場してくるからだ。加えて、メモリ単価の値屬りでデバイスもk緒に値屬欧靴Pびなくなったスマホやパソコンは、単価の値下がりによってこれから成長しやすくなる。

(2018/11/29)
ごT見・ご感[
麼嫋岌幃学庁医 忽恢冉巖娼瞳天巖壓濆杰| 娼瞳忽恢剋竹壓濆杰| 晩云窒継繁撹仔匈壓濆杰簡啼| 冉巖忽囂壓瀛啼喫峪壓| 及272嫗容宜墅絃背| 忽恢匯雫壓濂シ| 91娼瞳消消消消消消消消弌利嫋 | 7777娼瞳消消消寄穗濬| 翆翆繁繁訪繁繁恂繁繁耶| 消消卅繁娼瞳犯壓75| 自瞳戟諾胆溺忽庁甥遷寄樫業| 冉巖娼瞳忽恢窮唹| 娼瞳匯曝屈曝眉曝壓濆杰| 忽恢**谷頭匯雫篇撞| 秉曲啼詰嫋壓濆杰| 忽恢娼瞳VA壓濆杰肝淆覯賛| 99消消消忽恢娼瞳窒継釘釘| 溺伏浪散斑槻伏徭失強只| 嶄猟忖忖鳥壓濛丗| 晩云眉雫頭利嫋| 消消娼瞳冉巖匯曝屈曝| 天胆、総窃冉巖晩云匯曝屈曝 | 溺繁嫖蝕揚斑槻繁涌倖訪| 嶄猟忖鳥匯曝晩昆壓瀛啼| 晩云喟消窒継a‥壓瀛啼| 湘湘篇撞互賠篇撞窒継鉱心| 天胆晩昆弌篇撞| 冉巖忝栽匯屈眉| 槻溺匯雫訪訪酔篇撞| 壅栖匯肝挫宅強只窒継鉱心| 析望字69娼瞳撹窒継篇撞| 忽恢恢壓濔瞳冉巖AAVV| 忽恢娼瞳利峽壓濆杰環禧議| 忽恢娼瞳涙鷹V壓濆杰| 91醍狭互賠忽恢壓濂シ| 爺銘а〔壓炒侘辻斛| jizz窒継壓灑以唸杰翰嫋| 硫勸寔岑徨晩昆廨曝壓| 鈍埖翆翆娼瞳篇撞壓濆杰| 撹定繁仔弼匯雫頭| 嶄猟篇撞壓濆杰|