Samsung、NAND工場をDRAM�攵剦張へ切り��え
DRAM�x場がわずか3社だけで�x場シェアが95.5%にも達する寡��化�x場になっている（表1）。DRAM�x場は2017�Qに�i�Q比76%成長したが、2018�Qも30%以�屬農�長する。このような予�[を��湾�Uの�x場調�h会社TrendForceが発表した。DRAMはメモリバブルが依��として��いている。
表1 2017�Q��4四半期におけるDRAMランキング 出�Z：TrendForce
DRAMの価格値�屬�りは2017�Q中、ずっと��いており、��4四半期でも�i四半期比14.2%で値�屬�りしたという。DRAM価格の高�_は、モバイルDRAM価格の高�_であると同時に、�Q��の繁忙期にスマートフォンの新����が発売されたことが�_なった�T果だとみている。DRAMメーカー�岼�3社のサーバー��DRAM販売�Yは2017�Q��4四半期に�i四半期比13.9%�\加した。
2018�Q1月には、パソコン向けDRAMは、Samsung、SK Hynix、Micronの�岼�3社の平均販売単価は33ドルとなっており、�i月比5%�\加した。サーバー��DRAMの単価は、2018�Q��1四半期には�i四半期比3〜5%�\をTrendForceは見込んでいる。モバイルDRAM�x場はNANDフラッシュの販売単価が下がり始めており、DRAMやや引きずられる��向があるという。その�T果、2018�Q��1四半期のモバイルDRAMの平均単価は3%�\とみている。
DRAMメーカーは昨�Q、�攵��ξ�を�屬欧困肪渦舛涼��屬�りだけで売り�屬欧鮟j(lu┛)きく�Pばした。その�T果、2017�Q��4四半期における営業�W(w┌ng)益が�j(lu┛)きく�Pび、Samsungは64％、SK Hynixは59%、Micron（旧エルピーダ）は53%に�\えた。
Samsungは、現�X(ju└)のライバルに�瓦靴討気蕕忘垢鮃�げ、これから登場する中国のDRAMメーカーには参入バリアを高く�屬欧襪燭瓠�18nmプロセスへの�々圓鮨覆瓩討い�。2018�Qには18nmプロセスの比率を�j(lu┛)きく�屬欧討い���画だ。
SamsungはNANDフラッシュの単価が軟化してきたことから、�f国平�u�xにある工場の2階�霾�をこれまでNANDフラッシュ��に確保していたが、この場所をDRAM���]ラインに転換する。Samsungは、NANDフラッシュ価格の下がる�]度を緩和し、DRAMの独��をますます��(d┛ng)める、という戦�Sだ。
SK Hynixは、18nmの歩�里泙蠍��屬貌Dり組む。2017�Qに18nmプロセスを導入したが、�\術的な�Mしさに18nmへの�々圓���れた。加えて、�攵��ξ�拡張の��(sh┫)針は緩めず、中国の無錫にある300mmウェーハの��2工場は2019�Qのなるべく早い時期に�n働させるつもりだとしている。
SamsungのNANDからDRAMへの工場切換えは、東��メモリにとってNANDフラッシュのシェアを広げるチャンスである。いかに早く�n働にこぎつけられるか、が�M負を��めるであろう。
参考�@料
1. DRAMの売�崟�長はまだ�W井��(m┬ng)らず、半導��景気は��く (2017/11/17)
