図1　���櫃汎�本の半導�����]����販売�Yの推�　―儘Z：SEMI/SEAJ

日�櫃箸癲�5月の数�Cは3カ月の�‘以振冀佑任△蝓�単月の推�，鯢修靴討い��lではない。5月の数�Cは3,4,5月の平均値を表したもの。���毫x場では、4月が21億3640万ドルだったため、5月は�i月比で6.4%�\であった。日本�x場は4月の1657億9200万��から4.7%�\となっている。日�櫃箸癲�高成長が��いており、半導�����]�����x場の好調さを�餮譴辰討い襦�

���]�����x場の好調は、メモリとファウンドリビジネスが牽引している。ファンドリは10nmから7nmへの設��、メモリは3D-NANDへの設�△��jきく変わることが投�@の要因となっている。微細では、いよいよ7nm時代からEUVが量�咁に投入されることになる。��来のArFレーザーリソでは2�_露光や3�_露光、さらには4�_露光となると、1�vのパターン形成に何度も露光・現�気魴�り返さなければならず�攵掚が落ちてしまう。EUVでは軟X線の出��において最高250Wが�uられるようになり、スループット向�屬縫瓮匹�たった。

7nmのパターンでも、X線�S長の13.5nmよりも�]いが、これまでのOPC�\術などが役に立つため、加工は可�Δ箸覆�。これまで�S長193nmのArFレーザーで10nm��のパターンを加工してきたことがEUV�\術も�Г┐襪海箸砲覆�。EUVリソグラフィ����を設��・���]するASMLは、2017�Q��1四半期に新しい����NXE:3400Bを3���p�Rし、�p�R残は合��21��になった。この��2四半期には3��のNXE:3400B����を出荷する予定だ。

新しい露光にはレジスト、現��、パターンなどリソグラフィ����以外の�\術も��要となり、半導���噞����にビジネスチャンスが�擇泙譴襪海箸砲覆�。露光だけではなく3次元NANDフラッシュでも様々な����・材料などが��要となるため、業�c����が�rり�屬�ることになる。