7nm、3D-NANDへの投�@で半導�����]����販売�Yは5月も���P
2017�Q5月における半導�����]����の販売�Yは、依��として�Pび��けている。����(sh━)のSEMIと日本のSEAJ（日本半導�����]����協会）が発表した5月における半導�����]����の販売�Yは����(sh━)が�i�Q同月比41.9%�\の22億7300万ドル、日本が同40.9%�\の1736億6300万��となった。
![図1 ����(sh━)と日本の半導�����]����販売�Yの推� ―儘Z：SEMI/SEAJ](/archive/editorial/market/img/MKT170620-01a.gif)
図1 ����(sh━)と日本の半導�����]����販売�Yの推� ―儘Z：SEMI/SEAJ
日��(sh━)とも、5月の数�C(j┤)は3カ月の�‘以振冀佑任△�、単月の推�，鯢修靴討い��lではない。5月の数�C(j┤)は3,4,5月の平均値を表したもの。����(sh━)�x場では、4月が21億3640万ドルだったため、5月は�i月比で6.4%�\であった。日本�x場は4月の1657億9200万��から4.7%�\となっている。日��(sh━)とも、高成長が��いており、半導�����]�����x場の好調さを�餮譴辰討い�。
���]�����x場の好調は、メモリとファウンドリビジネスが牽引している。ファンドリは10nmから7nmへの設�◆▲瓮皀蠅�3D-NANDへの設�△��j(lu┛)きく変わることが投�@の要因となっている。微細では、いよいよ7nm時代からEUVが量�咁に投入されることになる。��来のArFレーザーリソでは2�_露光や3�_露光、さらには4�_露光となると、1�vのパターン形成に何度も露光・現�気魴�り返さなければならず�攵掚が落ちてしまう。EUVでは軟X線の出��において最高250Wが�u(p┴ng)られるようになり、スループット向�屬縫瓮匹�たった。
7nmのパターンでも、X線�S長の13.5nmよりも�]いが、これまでのOPC�\術などが役に立つため、加工は可�Δ箸覆襦�これまで�S長193nmのArFレーザーで10nm��のパターンを加工してきたことがEUV�\術も�Г┐襪海箸砲覆襦�EUVリソグラフィ����を設��・���]するASMLは、2017�Q��1四半期に新しい����NXE:3400Bを3���p�Rし、�p�R残は合��21��になった。この��2四半期には3��のNXE:3400B����を出荷する予定だ。
新しい露光にはレジスト、現�機▲僖拭璽鵑覆疋螢愁哀薀侫�����以外の�\術も��要となり、半導���噞����にビジネスチャンスが�擇泙譴襪海箸砲覆�。露光だけではなく3次元NANDフラッシュでも様々な����・材料などが��要となるため、業�c����が�rり�屬�ることになる。
