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7nm、3D-NANDへの投@で半導]販売Yは5月もP

2017Q5月における半導]の販売Yは、依としてPびけている。櫃SEMIと日本のSEAJ(日本半導]協会)が発表した5月における半導]の販売Yは櫃iQ同月比41.9%\の22億7300万ドル、日本が同40.9%\の1736億6300万となった。

図1 櫃汎本の半導]販売Yの推 ―儘Z:SEMI/SEAJ

図1 櫃汎本の半導]販売Yの推 ―儘Z:SEMI/SEAJ

日櫃箸癲5月の数Cは3カ月の‘以振冀佑任△蝓単月の推,鯢修靴討いlではない。5月の数Cは3,4,5月の平均値を表したもの。毫x場では、4月が21億3640万ドルだったため、5月はi月比で6.4%\であった。日本x場は4月の1657億9200万から4.7%\となっている。日櫃箸癲高成長がいており、半導]x場の好調さを餮譴辰討い襦

]x場の好調は、メモリとファウンドリビジネスが牽引している。ファンドリは10nmから7nmへの設◆▲瓮皀蠅3D-NANDへの設△jきく変わることが投@の要因となっている。微細では、いよいよ7nm時代からEUVが量咁に投入されることになる。来のArFレーザーリソでは2_露光や3_露光、さらには4_露光となると、1vのパターン形成に何度も露光・現気魴り返さなければならず攵掚が落ちてしまう。EUVでは軟X線の出において最高250Wがuられるようになり、スループット向屬縫瓮匹たった。

7nmのパターンでも、X線S長の13.5nmよりも]いが、これまでのOPC\術などが役に立つため、加工は可Δ箸覆襦これまでS長193nmのArFレーザーで10nmのパターンを加工してきたことがEUV\術もГ┐襪海箸砲覆襦EUVリソグラフィを設・]するASMLは、2017Q1四半期に新しいNXE:3400Bを3pRし、pR残は合21になった。この2四半期には3のNXE:3400Bを出荷する予定だ。

新しい露光にはレジスト、現機▲僖拭璽鵑覆疋螢愁哀薀侫以外の\術も要となり、半導噞にビジネスチャンスが擇泙譴襪海箸砲覆襦O光だけではなく3次元NANDフラッシュでも様々な・材料などが要となるため、業cがrり屬ることになる。

(2017/06/20)
ごT見・ご感[
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