Semiconductor Portal

» セミコンポータルによる分析 » x場分析

7nm、3D-NANDへの投@で半導]販売Yは5月もP

2017Q5月における半導]の販売Yは、依としてPびけている。櫃SEMIと日本のSEAJ(日本半導]協会)が発表した5月における半導]の販売Yは櫃iQ同月比41.9%\の22億7300万ドル、日本が同40.9%\の1736億6300万となった。

図1 櫃汎本の半導]販売Yの推 ―儘Z:SEMI/SEAJ

図1 櫃汎本の半導]販売Yの推 ―儘Z:SEMI/SEAJ

日櫃箸癲5月の数Cは3カ月の‘以振冀佑任△蝓単月の推,鯢修靴討いlではない。5月の数Cは3,4,5月の平均値を表したもの。毫x場では、4月が21億3640万ドルだったため、5月はi月比で6.4%\であった。日本x場は4月の1657億9200万から4.7%\となっている。日櫃箸癲高成長がいており、半導]x場の好調さを餮譴辰討い襦

]x場の好調は、メモリとファウンドリビジネスが牽引している。ファンドリは10nmから7nmへの設、メモリは3D-NANDへの設△jきく変わることが投@の要因となっている。微細では、いよいよ7nm時代からEUVが量咁に投入されることになる。来のArFレーザーリソでは2_露光や3_露光、さらには4_露光となると、1vのパターン形成に何度も露光・現気魴り返さなければならず攵掚が落ちてしまう。EUVでは軟X線の出において最高250Wがuられるようになり、スループット向屬縫瓮匹たった。

7nmのパターンでも、X線S長の13.5nmよりも]いが、これまでのOPC\術などが役に立つため、加工は可Δ箸覆。これまでS長193nmのArFレーザーで10nmのパターンを加工してきたことがEUV\術もГ┐襪海箸砲覆。EUVリソグラフィを設・]するASMLは、2017Q1四半期に新しいNXE:3400Bを3pRし、pR残は合21になった。この2四半期には3のNXE:3400Bを出荷する予定だ。

新しい露光にはレジスト、現、パターンなどリソグラフィ以外の\術も要となり、半導噞にビジネスチャンスが擇泙譴襪海箸砲覆。露光だけではなく3次元NANDフラッシュでも様々な・材料などが要となるため、業cがrり屬ることになる。

(2017/06/20)
ごT見・ご感[
麼嫋岌幃学庁医 晩昆胆溺嶄猟忖鳥| 2022忽恢醍狭丞惚恭勧箪丞秤| 恷除嶄猟忖鳥2019| 冉巖娼瞳忽娼瞳消消99犯| 醍狭忽恢圻幹丞秤娼瞳| 忽恢濛蛍侘鍔崢| 匯曝屈曝眉曝消消娼瞳| 涙呱鱗畠科涙孳飢岻析弗| 冉巖av涙鷹匯曝屈曝眉曝窮唹| 娼瞳忽恢互賠徭壓瀲伺屈曝眉曝 | 冉巖來伏試利嫋| 槻溺匯曝屈曝眉曝窒継| 膨拶喟消壓濔瞳忽恢窒継| 仔弼利峽壓瀉盞儿杰| 忽恢娼瞳汽了溺揖並壓| 99消消娼瞳怜匚匯曝屈曝| 晩晩玻玻匚匚際際va篇撞| 冉巖天胆晩昆繁撹| 税蛤唹垪www| 装荻梁崑薦嬉夛諮犯畠利| 弼虚某恷仟利嫋| 忽恢娼瞳消窒継議仔利嫋| 供秡埖翆翆壓| 晩恢岱鷹触1触2触眉触膨壓| 冉巖撹繁利壓濆杰| 槻繁円郭通円恂円握頼屁| 忽恢岱尖戴頭壓濆杰| 忽恢娼瞳弼性性窒継心| 恫巷住概的阻2倖弌扮弌篇撞| 消消冉巖AV涙鷹娼瞳弼怜匚醍| 剋痛冷嚥弌易暇雇井壓| 冉巖忽恢忝栽壓| 天胆菜繁決髄來鞭xxxxx島邦| 卅繁消消寄穗濬琴杠腕惟妻徠| 娼瞳忽恢v涙鷹寄頭壓濆杰| 膨兆僥伏谷珊短海馴壓瀛啼| 篇撞娼瞳匯曝屈曝眉曝| 忽恢娼瞳忽恢怜匚窒継牽旋心| 匯云寄祇秉狂瀁緤啼app| 撹定溺繁槻繁窒継篇撞殴慧| 消消消消忽恢匯曝屈曝眉曝|