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半導設投@は2016Q後半から2017Qに\咾

SEMIのIndustry Research and Statistics Groupは、最新の設投@X況を表すWorld Fab Reportをまとめた。これによると、設投@Yは、今Qの後半(2016Q2H)にはi半(1H)と比べ18%\えると予[する(図1)。

図1 設投@Yは今Qの後半はi半に比べ18%\へ 出Z:SEMI

図1 設投@Yは今Qの後半はi半に比べ18%\へ 出Z:SEMI


設投@を`的とする半導は、やはりスマートフォンやノートパソコン/タブレットなどのモバイルデバイスがけん引し、O動Z向け、IoTデバイスへの期待もjきい。主に二つのがけん引する。10nm/7nmのロジックファウンドリと3D NANDフラッシュである。2016Qi半と比べ、ファウンドリは29%\、メモリは21%\と\えている。

メモリの中ではに、NANDフラッシュはプレーナから3Dへのシフトがjきく、3D NAND向け設投@のPびは、2017Qもく。SamsungやMicron、東とSanDiskの共同ファブであるFlash Alliance、Intel、SK HynixなどのNANDフラッシュメーカーは、2016QにはiQ比152%、2017Qはさらに29%もの投@を行うとSEMIは見ている。これだけの投@を行ってもすぐには立ち屬らないため、新のn働率は2016Qではまだ低いが2017Qには高まるとしている。

他のデバイスはどうか。DRAMの設投@はDRAMx場の在UがまだHく残っており、2016Qには31%とjきく下がるが、2017Qには2%\を見込んでいる。パワー半導は実に成長が見込まれるため、設投@は2016QにiQ比25%\、2017Qには同16%\を期待している。ただし、アナログ設投@は2016Qには15%だが、2017Qには20%\に、MPU向け設投@は2016Qには同20%だが、2017Qには48%\と\えると期待している。


表1 地域別の設投@Y 出Z:SEMI

表1 地域別の設投@Y 出Z:SEMI


地域別では、2016QにPびると見込まれている地域は、157%とjきな東南アジアである(表1)。Micronのシンガポール新工場Fab10Xでの3D NANDフラッシュがけん引している。中国は2016Qに64%Pばすと見ているが、これは中国j連にあるIntelの工場を3D NANDにリフォームするようだ。またロジックファウンドリとしても同度の投@がおこなわれているとする。

2017Qの成長率が最もjきい地域は、欧/中東の60%\で、10nm設△領ち屬欧砲茲襪箸垢襦その次がf国でSamsungによるDRAMとNANDフラッシュへの投@であり、3番`の日本はFlash Allianceによる3D NANDへの投@だとしている。

(2016/09/09)
ごT見・ご感[
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