パワートランジスタ�x場は��実に成長、2020�Qまでに148億ドルに
�毫x場調�h会社のIC Insights社は、2020�Qまでの�x場予�Rレポートを発行し、パワートランジスタ�x場は2016�Qに�i�Q比1%�\の124億ドルになりそうだと発表した。半導������が2.4%��(f┫)（WSTSの予�R）であるから、今�Qのパワートランジスタ�x場はまだマシの�靂爐貌�る。
図1 パワートランジスタ�x場の予�R 出�Z：IC Insights
世�cのパワートランジスタの�x場は、2015�Qのディスクリート半導���x場約210億ドルの内の約120億ドルを��めるという。これまで2010�Qの135億ドルをピークに、ジグザグ�Xに成長している。2015�Qは�i�Q比7%��(f┫)の123億ドルであり、2016�Qは少しずつ�v復しつつあり、124億ドルになるが、2017�Qは3%�\の128億ドル、2018�Q5%�\の135億ドルと�峺���向にあるとしている。
2015�Qから2020�Qまでの�x場予�Rでは、�Q平均成長率（CAGR）3.9%で成長していき、最終�Qの2020�Qには148億ドルに達すると見ている。その�iの10�Q間、2005�Qから2015�QまでのCAGRは4%だったから、ほぼ同じスピードで成長していくことになる。その背景として、データセンターのサーバーや�噞機�_、エアコンや冷���Uなどの白�餡氾邸��O動�Zなどの輸送機�_、バッテリ動作の携帯機�_やIoTへの接��などシステムでは、より高いエネルギー効率を求めているからだと見ている。
しかし、パワートランジスタのような�j(lu┛)電��のディスクリートトランジスタは�j(lu┛)電源を��要とする応��機�_に使われる。むしろ、携帯機�_やIoT端��のような小電��機�_では、ディスクリートではなく、パワートランジスタをIC化してコストダウンする��向がある。
パワートランジスタとしては高耐圧MOSFET (耐圧200V以��)とIGBTがここ数�Q�Pびてきており、2020�Qまでに高耐圧MOSFETはCAGR4.7%で24億ドルに、IGBTモジュールは同4.0%で32億ドル、低耐圧FET (200V以下)は同3.7%で56億ドルになるとしている。IGBTのディスクリートは3.8%で11億ドル、バイポーラトランジスタは3.1%で8億8600万ドルになると予�[している。
半導��はコストダウンが進む�噞であるから、�x場よりも個数の��(sh┫)が�Pびは�j(lu┛)きい。パワートランジスタの個数は、2020�Qまでに711億個となり、2015�Qの520億個からCAGR6.5%で�Pびていくと予�[されている。
