NANDフラッシュの稱家ロ〖ドマップが叫路う
NANDフラッシュの稱家のロ〖ドマップを勢輝眷拇漢柴家のIC Insightsがまとめた。これによると、Samsungが3Dメモリで黎乖しているが、IM FlashとSK Hynix、澎記ˇSanDiskグル〖プも2015鉗×2016鉗には3肌傅步する紛茶だ。
哭1 NANDフラッシュとDRAMの稱家ロ〖ドマップ 叫諾¨IC Insights
腮嘿步では澎記ˇSanDiskグル〖プが黎乖しているが、3肌傅步では辦戎覓れていることがわかった(哭1)。そしてSamsungは2013鉗から3肌傅步を幌めたが、IM FlashとSK Hynixは2015鉗から幌め、澎記ˇSanDiskグル〖プは2016鉗はじめに3肌傅步する徒年だ。
Samsungは、2013鉗に24霖の3D NANDフラッシュを烹很したSSDを警翁欄緩し幌め、2014鉗5奉には32霖のV-NANDチップを券山している。この箕に、その媽2坤洛の32霖チップを烹很した、≈プレミアムSSD∽の瀾墑も券山した。プレミアムSSDはデ〖タセンタ〖のストレ〖ジだけではなく、ハイエンドのパソコンにも烹很していくとしている。
IntelとMicron Technologyとのメモリ圭售のIM Flashは、澎記と票屯、腮嘿步で10nmまで腮嘿步を渴め、その稿に3肌傅步するという。沸貉弄には32霖になるだろうと斧ている。
SanDiskは、19nm坤洛の瀾墑の肌に1y-nmとして15×16nmプロセスを蝗う徒年だったが、メモリセルの肋紛を斧木し、19nmのままでセルサイズを25%シュリンクできるようになったという。碰介、2013鉗稿染に1y-nmデバイスを紛茶していたが、腮嘿步ではなく黎渴のセル肋紛を何脫した。
DRAMはもはや腮嘿步を福苞していない。附哼のDRAMメ〖カ〖は20nm駱のプロセスを蝗っている。DRAMの3肌傅步は、モノリシックに驢檬に礁姥するのではなく、DRAMチップを姥み腳ねる數及だ。TSV∈Through Silicon Via∷を蝗って姥霖していくためのコンソ〖シアムHMC∈Hybrid Memory Cube∷が3D DRAMを夸渴している。HMCはMicronとSamsungが捏捌し、附哼はAltera、ARM、IBM、Opem-Silicon、SK Hynix、Xilinxが裁塘している。
